ДОСТОИНСТВА
P = I*U а не P = I2 *R
УПРАВЛЯЕТСЯ НАПРЯЖЕНИЕМ
IGBT MOSFET
ДЕТЕКТИРОВАНИЕ ТОКОВ КОРОТКОГО ЗАМЫКАНИЯ
ДОПОЛНИТЕЛЬНОЕ ТЕПЛО И ПОТЕРИ
НЕТ ГАЛЬВАНИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИИ
НИЗКАЯ СКОРОСТЬ ОБНАРУЖЕНИЯ КЗ
ВЫСОКАЯ
ДОПОЛНИТЕЛЬНОЕ ПИТАНИЕ
ЗАВИСИМОСТЬОТ ТИПА ТРАНЗИСТОРА