Содержание
Слайд 2ДОСТОИНСТВА
P = I*U а не P = I2 *R
УПРАВЛЯЕТСЯ НАПРЯЖЕНИЕМ
IGBT MOSFET
ДОСТОИНСТВА
P = I*U а не P = I2 *R
УПРАВЛЯЕТСЯ НАПРЯЖЕНИЕМ
IGBT MOSFET
Слайд 3ДЕТЕКТИРОВАНИЕ ТОКОВ КОРОТКОГО ЗАМЫКАНИЯ
ДОПОЛНИТЕЛЬНОЕ ТЕПЛО
И ПОТЕРИ
НЕТ ГАЛЬВАНИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИИ
НИЗКАЯ СКОРОСТЬ ОБНАРУЖЕНИЯ КЗ
ВЫСОКАЯ
ДЕТЕКТИРОВАНИЕ ТОКОВ КОРОТКОГО ЗАМЫКАНИЯ
ДОПОЛНИТЕЛЬНОЕ ТЕПЛО
И ПОТЕРИ
НЕТ ГАЛЬВАНИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИИ
НИЗКАЯ СКОРОСТЬ ОБНАРУЖЕНИЯ КЗ
ВЫСОКАЯ
ЦЕНА
И ГАБАРИТЫ
И ГАБАРИТЫ
ДОПОЛНИТЕЛЬНОЕ
ПИТАНИЕ
ЗАВИСИМОСТЬ
ОТ ТИПА
ТРАНЗИСТОРА
- Предыдущая
BFA – с лат. (bigfattius assisus)Следующая -
What was in fashion in the past