Методы защиты IGBT транзисторов

Слайд 2

ДОСТОИНСТВА

P = I*U а не P = I2 *R

УПРАВЛЯЕТСЯ НАПРЯЖЕНИЕМ

IGBT MOSFET

ДОСТОИНСТВА P = I*U а не P = I2 *R УПРАВЛЯЕТСЯ НАПРЯЖЕНИЕМ IGBT MOSFET

Слайд 3

ДЕТЕКТИРОВАНИЕ ТОКОВ КОРОТКОГО ЗАМЫКАНИЯ

ДОПОЛНИТЕЛЬНОЕ ТЕПЛО
И ПОТЕРИ

НЕТ ГАЛЬВАНИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИИ

НИЗКАЯ СКОРОСТЬ ОБНАРУЖЕНИЯ КЗ

ВЫСОКАЯ

ДЕТЕКТИРОВАНИЕ ТОКОВ КОРОТКОГО ЗАМЫКАНИЯ ДОПОЛНИТЕЛЬНОЕ ТЕПЛО И ПОТЕРИ НЕТ ГАЛЬВАНИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИИ НИЗКАЯ
ЦЕНА
И ГАБАРИТЫ

ДОПОЛНИТЕЛЬНОЕ
ПИТАНИЕ

ЗАВИСИМОСТЬ
ОТ ТИПА
ТРАНЗИСТОРА