Презентация на тему:Состояния поверхности полупроводника

Содержание

Слайд 2

СОСТОЯНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА

Рассмотрим, как будет меняться концентрация свободных носителей в приповерхностной области

СОСТОЯНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА Рассмотрим, как будет меняться концентрация свободных носителей в приповерхностной
полупроводника, когда вблизи этой поверхности создается электрическое поле. Для примера будем считать, что электрическое поле создается заряженной металлической плоскостью с поверхностной плотностью зарядов σ. Поскольку силовые линии электрического поля замкнуты, то на поверхности полупроводника возникает равный по величине, но противоположный по знаку электрический заряд. В зависимости от знака заряда на металлической плоскости экранирующий это поле заряд в приповерхностной области полупроводника также будет различных знаков.

Слайд 3

СОСТОЯНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА

Из-за малой концентрации свободных носителей заряда в объеме полупроводника возможно

СОСТОЯНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА Из-за малой концентрации свободных носителей заряда в объеме полупроводника
проникновение электрического поля вглубь полупроводника на большие, по сравнению с межатомными, расстояния. Проникшее электрическое поле перераспределяет свободные носители заряда. Это явление получило название эффекта поля. Таким образом, эффект поля - это изменение концентрации свободных носителей в приповерхностной области полупроводника под действием внешнего электрического поля. Поскольку заряд свободных носителей или ионизованных доноров пространственно распределен в приповерхностной области полупроводника и эта область не является электронейтральной, она получила название область пространственного заряда (ОПЗ).

Слайд 4

СОСТОЯНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА

В зависимости от направления и величины внешнего электрического поля, типа

СОСТОЯНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА В зависимости от направления и величины внешнего электрического поля,
полупроводниковой подложки различают 4 различных состояния поверхности полупроводника:
Обогащение
Обеднение
Сильная инверсия
Слабая инверсия

Слайд 5

СОСТОЯНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА

Обогащение - состояние поверхности полупроводника, когда поверхностная концентрация основных носителей

СОСТОЯНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА Обогащение - состояние поверхности полупроводника, когда поверхностная концентрация основных
больше, чем концентрация основных носителей в нейтральном объеме.

Слайд 6

СОСТОЯНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА

Обеднение - состояние поверхности полупроводника, когда поверхностная концентрация неосновных носителей

СОСТОЯНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА Обеднение - состояние поверхности полупроводника, когда поверхностная концентрация неосновных
меньше, чем концентрация основных носителей в квазинейтральном объеме, но больше, чем поверхностная концентрация неосновных носителей

Слайд 7

СОСТОЯНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА

Слабая инверсия - состояние поверхности полупроводника, когда поверхностная концентрация неосновных

СОСТОЯНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА Слабая инверсия - состояние поверхности полупроводника, когда поверхностная концентрация
носителей больше, чем поверхностная концентрация основных, но меньше, чем концентрация основных носителей в квазинейтральном объеме
Имя файла: Презентация-на-тему:Состояния-поверхности-полупроводника.pptx
Количество просмотров: 139
Количество скачиваний: 0