Слайд 2СОСТОЯНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА
Рассмотрим, как будет меняться концентрация свободных носителей в приповерхностной области
![СОСТОЯНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА Рассмотрим, как будет меняться концентрация свободных носителей в приповерхностной](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/459650/slide-1.jpg)
полупроводника, когда вблизи этой поверхности создается электрическое поле. Для примера будем считать, что электрическое поле создается заряженной металлической плоскостью с поверхностной плотностью зарядов σ. Поскольку силовые линии электрического поля замкнуты, то на поверхности полупроводника возникает равный по величине, но противоположный по знаку электрический заряд. В зависимости от знака заряда на металлической плоскости экранирующий это поле заряд в приповерхностной области полупроводника также будет различных знаков.
Слайд 3СОСТОЯНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА
Из-за малой концентрации свободных носителей заряда в объеме полупроводника возможно
![СОСТОЯНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА Из-за малой концентрации свободных носителей заряда в объеме полупроводника](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/459650/slide-2.jpg)
проникновение электрического поля вглубь полупроводника на большие, по сравнению с межатомными, расстояния. Проникшее электрическое поле перераспределяет свободные носители заряда. Это явление получило название эффекта поля. Таким образом, эффект поля - это изменение концентрации свободных носителей в приповерхностной области полупроводника под действием внешнего электрического поля. Поскольку заряд свободных носителей или ионизованных доноров пространственно распределен в приповерхностной области полупроводника и эта область не является электронейтральной, она получила название область пространственного заряда (ОПЗ).
Слайд 4СОСТОЯНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА
В зависимости от направления и величины внешнего электрического поля, типа
![СОСТОЯНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА В зависимости от направления и величины внешнего электрического поля,](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/459650/slide-3.jpg)
полупроводниковой подложки различают 4 различных состояния поверхности полупроводника:
Обогащение
Обеднение
Сильная инверсия
Слабая инверсия
Слайд 5СОСТОЯНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА
Обогащение - состояние поверхности полупроводника, когда поверхностная концентрация основных носителей
![СОСТОЯНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА Обогащение - состояние поверхности полупроводника, когда поверхностная концентрация основных](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/459650/slide-4.jpg)
больше, чем концентрация основных носителей в нейтральном объеме.
Слайд 6СОСТОЯНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА
Обеднение - состояние поверхности полупроводника, когда поверхностная концентрация неосновных носителей
![СОСТОЯНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА Обеднение - состояние поверхности полупроводника, когда поверхностная концентрация неосновных](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/459650/slide-5.jpg)
меньше, чем концентрация основных носителей в квазинейтральном объеме, но больше, чем поверхностная концентрация неосновных носителей
Слайд 7СОСТОЯНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА
Слабая инверсия - состояние поверхности полупроводника, когда поверхностная концентрация неосновных
![СОСТОЯНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА Слабая инверсия - состояние поверхности полупроводника, когда поверхностная концентрация](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/459650/slide-6.jpg)
носителей больше, чем поверхностная концентрация основных, но меньше, чем концентрация основных носителей в квазинейтральном объеме