Суперионное состояние интерфаз в системах прямого контакта

Содержание

Слайд 2

Цель работы:

Установление закономерностей механизма и кинетики ионного переноса в твердофазных электрохимических

Цель работы: Установление закономерностей механизма и кинетики ионного переноса в твердофазных электрохимических
системах металл | твердый электролит | органический полупроводник и в «короткозамкнутых», организованных путем непосредственного контакта катода и анода, определения возможности использования органических полупроводников (производных гетероциклических соединений фенотиазина, фульвалена, тиопирилия и пиридиния) в качестве активных электродных материалов в твердофазных преобразователях энергии.

2

Слайд 3

Химические формулы и названия органических полупроводников (298 К)

3

Химические формулы и названия органических полупроводников (298 К) 3

Слайд 4

Химические формулы и названия органических полупроводников (298 К)

4

Химические формулы и названия органических полупроводников (298 К) 4

Слайд 5

Химические формулы и названия органических полупроводников (298 К)

5

Химические формулы и названия органических полупроводников (298 К) 5

Слайд 6

Химические формулы и названия органических полупроводников (298 К)

6

ТКЦ - 3,3-диэтилтиокарбоцианин; ТЦХМ -

Химические формулы и названия органических полупроводников (298 К) 6 ТКЦ - 3,3-диэтилтиокарбоцианин;
7,7`,8,8`-тетрацианохиноиметан; ТФ - 2,2`,6,6` диметилдибензотетратиофульвален (Синтез осуществлялся в соответствии с методиками, разработанными Любовской Р.Б. и сотр. в ИХФ АН СССР).
ТП1; ТП2, ТП3, ТП4, П1, П2 - (Синтез осуществлялся в соответствии с методиками, разработанными на каф. органической химии СГУ Харченко В.Г. и сотр.)

Слайд 7

Фрагменты структур КПЗ и ИРС

Рис.1. проекция структуры ТЭА·(ТЦХМ)2 вдоль оси с.

Рис.3. Фрагмент

Фрагменты структур КПЗ и ИРС Рис.1. проекция структуры ТЭА·(ТЦХМ)2 вдоль оси с.
структуры тетрагидротиоксантилия (ТПI3).

Рис.4. Фрагмент структуры (BEDT-TTF)3·AgxI8

Рис 2. Проекция структуры трииодида 2,2΄,6,6΄-диметилдибензотетратио-фульвалена вдоль оси с.

Рис.5. Фрагмент структуры гексахлорстаннат дибензотетратиофульвалена.

7

I

I

Слайд 8

Структурные параметры комплексов с переносом заряда

8

Структурные параметры комплексов с переносом заряда 8

Слайд 9

Схемы электрохимических процессов с участием КПЗ и ИРС

1. производные тиопирана:


2.

Схемы электрохимических процессов с участием КПЗ и ИРС 1. производные тиопирана: 2.
производные тиофульвалена: а - тиофульвален; б - дибензотиофульвален

3. производные тетрацианохинодиметана:


4. производные фенотиазина:

а)

б)

9

Слайд 10

Уравнения температурной зависимости э.д.с. систем Na|Na+-β-Al2O3 | йодный КПЗ

10

1

2

Уравнения температурной зависимости э.д.с. систем Na|Na+-β-Al2O3 | йодный КПЗ 10 1 2

Слайд 11

Энергия Гиббса и направленность химических реакций в системе: Na|β-Аl2O3|I2;С

Состав β-глинозема: Na2O·5Al2O3·0,1TiO2·0,8CoO.

Энергия

Энергия Гиббса и направленность химических реакций в системе: Na|β-Аl2O3|I2;С Состав β-глинозема: Na2O·5Al2O3·0,1TiO2·0,8CoO.
Гиббса образования NaI, Na2О·5Al2O3, Na2О·11Al2O3 :

Свободная энергия Гиббса для реакций ( 7) – 62,154 кДж; (8) - 88,106 кДж.:

Уравнение температурной зависимости э.д.с. системы Na | NaI | I2:

11

Слайд 12

Переходные слои на границе йодный комплекс - β-глинозем

Рис.1. Анодные поляризационные кривые

Переходные слои на границе йодный комплекс - β-глинозем Рис.1. Анодные поляризационные кривые
переходных слоев на границе β-Аl2O3|иодный комплекс;I2;(С,Тi) при Vp=2 мВ/с, Т=298 К: а)ДМДБТТФI3:1-первый цикл; 2 - после катодной поляризации; 3 - через 2 часа после катодной поляризации; б)2ФТА·3I3: 4 - первый цикл; 5 - повторно; в)БФI3: 6 - с добавкой С; 7 - на Ti; г)ТТФI3: 8 - первый цикл; д) I2: 9 - на С; 10 - на Ti.

12

Рис.2. Конструкция трехэлектродной ячейки, герметичный вариант:
1 - металлическая обойма;
2, 4 - эбонитовая втулка;
3 – мембрана (керамический
твердый электролит);
5 – корпус;
6 – анод;
8 – катод;
7, 9 – пуансоны;
10 – герметик.

9
10
2
8
3
1
6
4
5
7

Слайд 13

Электрические характеристики переходных слоев границы β-Al2O3 | I2, иодный комплекс

Q, Кл

13

Электрические характеристики переходных слоев границы β-Al2O3 | I2, иодный комплекс Q, Кл 13

Слайд 14

Поляризационные кривые границы: а: ФТАI3 / β-Al2O3;
б, в: ДМДБТТФIх / β-Al2O3

а

б

в

а - ФТАI3 /β-Al2O3при Vp,

Поляризационные кривые границы: а: ФТАI3 / β-Al2O3; б, в: ДМДБТТФIх / β-Al2O3
мВ/с:
1 – 1; 2 – 2; 3– 4, 4 – 8.

б - катодная область поляризации; в - анодная область поляризации ДМДБТТФIх / β-Al2O3
при х=3 кривые1, 2, 3;
при х=5 кривые 1’, 2’, 3’;
при Vp, мВ/с: 1, 1’; – 2; 2, 2’ – 4; 3, 3’ – 8;.
4 - I2,C| β-Al2O3, Vp=2 мВ/с

14

Слайд 15

Рис.2. Шрихдифрактограммы
электрода 2ФТА·3I2:
1 – исходный 2ФТА·3I2;
2 – разряженный

Рис.2. Шрихдифрактограммы электрода 2ФТА·3I2: 1 – исходный 2ФТА·3I2; 2 – разряженный до
до 50% (инертная атмосфера);
3 – разряженный до 50% (воздушная атмосфера)

Рис.1.Разрядные кривые систем Ti | Na(Hg)|β-Al2O3|2ФТА·nI2,С|Ti, 298К:
1- n=3, i=0,05 мА/см2;
2 – n=3, i=2,5 мА/см2;
3 - n=5, i=1,0 мА/см2;
4 - n=5, i=0,1 мА/см2 (Т=273К).

15

1

2

3

Слайд 16

Изменение сопротивления продукта реакции от емкости:
Na/β-Al2O3/ ДМДБТТФI3.

75
70
65
60

0 10 20 30 40

Изменение сопротивления продукта реакции от емкости: Na/β-Al2O3/ ДМДБТТФI3. 75 70 65 60

3

2

1

степень разряженности:
1 – 45%, 2 – 30%, 3 – исходный

Штрихдифрактограмма электрода ДМДБТТФI3,

2θ°

16

*

*

*

*

*

Слайд 17

Исследование катодного восстановления производных тиофульвалена, фенотиазина, тиопирана, пиридиния методом хроновольтамперометрии

Электрические параметры

Исследование катодного восстановления производных тиофульвалена, фенотиазина, тиопирана, пиридиния методом хроновольтамперометрии Электрические параметры
систем
щелочной металл | органический полупроводник

17

Слайд 19

Типичные разрядные кривые(а,б) и хронопотенциограммы (в,г) систем: Li|ДБТТФIз, xLi−(1-х)Аl|ФТА·nI2 ,Li|ТП3ClO4 ,Li|(ТП1)2SnCl6

при

Типичные разрядные кривые(а,б) и хронопотенциограммы (в,г) систем: Li|ДБТТФIз, xLi−(1-х)Аl|ФТА·nI2 ,Li|ТП3ClO4 ,Li|(ТП1)2SnCl6 при
токах, мА/см2, Т=298 К:
а − Li|ДБТТФIз: 1, 1’ − 0,02; 2,2' − 0,04; 3 – 0,10; 3' − 0,20 (1’, 2', 3'−с добавкой LiI); б − xLi−(1-х)Аl|ФТА·nI2: 1 − 0,015 (n=3, x = 20%); 2 − 0,015 (n=5, x = 30%); 3 − 0,045 (n = 5, х = 30%); в − Li|ТП3ClO4: 1 – 0,05; 2 – 0,25; 3 – 0,38; 4 – 0,50; 5 – 0,75; 6 – 1,00; г − Li|(ТП1)2SnCl6: 1 – 0,32; 2 – 1,00; 3 – 2,00; 4 – 4,00; 5 – 0,16; 6 – 0,21 (кривые 5 и 6 - с продуктом катодного восстановления).

а

б

в

г

19

Слайд 20

Рис.1. Зависимость наклона гальваностатических кривых от количества пропущенного электричества в системах:
1

Рис.1. Зависимость наклона гальваностатических кривых от количества пропущенного электричества в системах: 1
- Li-Al|2ФTA•5I2;
2 - Li-Al| ДБТТФIз.
Сплав: 30% Li-70%Al

Рис.2. Хронопотенциограммы в координатах Делахея-Берзинса системы Li|ТП3ClO4 с продуктом разряда при токе 0,16 мА/см2 .

20

ΔЕ >> RT / nF

Слайд 21

Исследование катодного восстановления систем щелочной металл/органический полупроводник методом циклической вольтамперометрии

Рис.2 Циклические поляризационных

Исследование катодного восстановления систем щелочной металл/органический полупроводник методом циклической вольтамперометрии Рис.2 Циклические
кривые системы Li/ТП4СlO4
при скорости развертки В/с:
1 –0,004;2 – 0,008; 3 – 0,02

Рис. 3. Циклические поляризационные кривые системы Li/П1СlO4 при скорости развертки В/с:1-0,001; 2-0,002; 3-0,004;

Рис.1. Конструкция корпуса трехэлектродной ячейки, герметичный вариант:
1, 6 – пуансоны (токоотводы);
2 – корпус;
3 – электрод сравнения;
4, 5 – анодный и катодный материалы;
7 – герметизирующая прокладка.

21

Iap/ Iкp<1
Ох+ne↔Rеd↔М
Лимитирующей стадия -перенос заряда

Слайд 22

Рис. 1. Зависимость константы скорости электрохимической реакции от потенциала системы Li|БФIз .

Рис.2.

Рис. 1. Зависимость константы скорости электрохимической реакции от потенциала системы Li|БФIз .
Приложимость уравнения Ерофеева-Колмогорова-Аврами к кинетике твердофазных электрохимических реакций:1 – Li-Al/ФТАI5; 2-β-Al2O3/ФТАI5; 3–Li/ДМДБТТФ,10%C;4–i/ТФ2SOCl2;5 – Li/ ТП3ClO4; 6 - Li/ТП3SnCl6.

Коэффициент К и n уравнения Ерофеева-Колмогорова-Аврами в системах с литиевым анодом

22

Слайд 23

Топоэлектрохимические процессы, протекающие на границах лития с органическим полупроводником. Основные уравнения модели

Топоэлектрохимические процессы, протекающие на границах лития с органическим полупроводником. Основные уравнения модели ТОПЗ 23
ТОПЗ

23

Слайд 24

Катодное гальваностатическое включение системы прямого контакта Li|(ТП2)2SnCl6

Рис.1 Рентгеновские штрихдиффрактограмы:
1 – исходный

Катодное гальваностатическое включение системы прямого контакта Li|(ТП2)2SnCl6 Рис.1 Рентгеновские штрихдиффрактограмы: 1 –
(ТП2)2SnCl6;
2 – с продуктом катодного гальваностатического включения системы Li|(ТП2)2SnCl6

Рис.2. Кривые Е–t катодного гальваностатического включения системы Li/(ТП2)2SnCl6 при 298К и плотностях тока (А/см2):
1 – 0,016; 2 – 0,039; 3 – 0,046; 4 – 0,110; 5 – 0,140; 6 – 0,175.

24

1

2

Слайд 25

Катодное гальваностатическое включение системы прямого контакта Li|(ТП2)2SnCl6

Рис.1. Зависимость ή–t катодного гальваностатического включения

Катодное гальваностатическое включение системы прямого контакта Li|(ТП2)2SnCl6 Рис.1. Зависимость ή–t катодного гальваностатического
системы Li/(ТП2)2SnCl6 при 298К и плотностях тока (А/см2): 1 – 0,016; 2 – 0,039; 3 – 0,046; 4 – 0,110; 5 – 0,140; 6 – 0,175.

Рис.2. Зависимость (a): α–t;
(б):

для катодного гальваностатического включения системы Li/(ТП)2SnCl6 при 298К и плотностях тока (А/см2):1–0,016; 2 – 0,039; 3 – 0,046; 4 – 0,110; 5 – 0,140; 6 – 0,175.

а

б

25

Слайд 26

Катодное гальваностатическое включение системы прямого контакта Li|(ТП2)2SnCl6

Рис.1. Зависимость стационарной толщины слоя переходной

Катодное гальваностатическое включение системы прямого контакта Li|(ТП2)2SnCl6 Рис.1. Зависимость стационарной толщины слоя
интерфазы от плотности тока катодного гальваностатического включения системы Li/(ТП2)2SnCl6 при 298К.

Рис. 2. Зависимость коэффициента миграционной диффузии катионов лития от плотности тока катодного гальваностатического включения системы Li/(ТП2)2SnCl6 при 298К.

26

Слайд 27

Некоторые параметры исследуемых систем прямого контакта литий|органический полупроводник по данным катодной хронопотенциометрии

27

Некоторые параметры исследуемых систем прямого контакта литий|органический полупроводник по данным катодной хронопотенциометрии 27

Слайд 28

Предполагаемый механизм катодного процесса

28

Предполагаемый механизм катодного процесса 28

Слайд 29

Механизм образования переходного слоя короткозамкнутой системы литий-органический полупроводник
2Li

2Li+ + 2ē,

(квантово-химический

Механизм образования переходного слоя короткозамкнутой системы литий-органический полупроводник 2Li 2Li+ + 2ē,
расчет функционала плотности в варианте В3LYP)

I – катион органической соли; II – радикал; III - димер ;
Ph = C6H5.

29

Слайд 30

Температурная зависимость электропроводности (σ0) синтезированных продуктов

30

Температурная зависимость электропроводности (σ0) синтезированных продуктов 30

Слайд 31

Твердофазный и электрохимический синтез ТЭЛ

Рис.2. Частотная зависимость годографа 1/ώCS -RS продукта

Твердофазный и электрохимический синтез ТЭЛ Рис.2. Частотная зависимость годографа 1/ώCS -RS продукта
электролиза в ячейке Na| β-Al2O3|ТФI3.

Рис.1.Частотная зависимость годографа 1/ώCS -RS систем 1 – ТФI3-LiI; 2 –ТФI3-NaI (твердофазный синтез)

31

Слайд 32

Параметры общей (σобщ.) и электронной (σе) проводимостей продуктов электрохимических реакций короткозамкнутых систем

Параметры общей (σобщ.) и электронной (σе) проводимостей продуктов электрохимических реакций короткозамкнутых систем (298 К) 32
(298 К)

32

Слайд 33

Рис.1. Изменение сопротивления во времени при твердофазном синтезе (Т=298 К) в системах:

Рис.1. Изменение сопротивления во времени при твердофазном синтезе (Т=298 К) в системах:
1 – LiI -ТПI; 2 – NaI-ТПI.

Рис.2. Разрядные кривые электрохимических систем
1, 2 - Li|ТП1-хLiхI3|ТФI3;
3 - Na|ТП1-хNaхI3|Тi
при плотностях тока, мА/см2:
1 - 250; 2 - 400; 3 – 25

33

Слайд 34

Схемы механизмов реакций

[R Me+] + MeA (I)
R+A- + Me [R Me+]A-

Схемы механизмов реакций [R Me+] + MeA (I) R+A- + Me [R
; R - R0R+ (II)
2[R+•] + 2MeA→2R0 + 2MeA (III)
R – ТП, ТФ;
А - анионы ClO-4, SnCl-26, I-n (1Me – Li, Na.

34

Слайд 35

Спектральные характеристики систем:

а – Li|ТП3ClO4:
1- исходный ТП3ClО4;
2 - продукт электрохимической реакции;

Спектральные характеристики систем: а – Li|ТП3ClO4: 1- исходный ТП3ClО4; 2 - продукт

б - Na|ТФI3:
1- нейтральный ТФ0;
2 – исходный ТФI3;
3 – продукт электросинтеза в ячейке Na| β-Al2O3 | ТФI3

35

а

б

Слайд 36

ИК-спектры продукта химической реакции Li +ТФ в ацетонитриле: 1 – в инертной

ИК-спектры продукта химической реакции Li +ТФ в ацетонитриле: 1 – в инертной
атмосфере; 2 – на воздухе

36

Слайд 37

ТВЕРДОТЕЛЬНЫЕ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ЭНЕРГИИ

Рис.2. конструкция ХИТ:
а – с мембраной из β-глинозема:
1- корпус;

ТВЕРДОТЕЛЬНЫЕ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ЭНЕРГИИ Рис.2. конструкция ХИТ: а – с мембраной из

2 – изоляционное кольцо;
3 - β-глинозем; 4 – катод;
5 – анод;
6,7 – изолятор;
8 - токоотвод;
б – без электролита:
1 – корпус;
2 – анод;
3 – катод;
4 – крышка;
5 – изолятор.

Рис.1. Типичных разрядно-зарядные кривых систем при 298К и токах, мА/см2:
а – Li |П3I3 : 1, 1’ – 0,05; 2, 2’ – 0,10;
б - Li /ТП3ClO4 : 1, 1’ – 0,05; 2, 2’ – 0,10; 3,3’ -0,5. (1’, 2’, 3’- заряд).

а

б

а

б

37

Слайд 38

Электрические характеристики систем для ХИТ

В диапазоне комнатных температур исследуемые системы обладают следующими

Электрические характеристики систем для ХИТ В диапазоне комнатных температур исследуемые системы обладают
выходными параметрами: э.д.с. = 2,4-3,16 В; токи разряда iраз.= 4 - 250 мкА; разрядное напряжение Uразр.= 2-3 В; емкость Q=20-60 мА⋅ч; теоретическая удельная энергия Wуд.=100–2000 Вт⋅ч/кг.

38

Имя файла: Суперионное-состояние-интерфаз-в-системах-прямого-контакта-.pptx
Количество просмотров: 250
Количество скачиваний: 0