Содержание
- 2. В расчетах используем упрощенную модель катушки, в которой магнитный поток Фобщ разделяется на две части: основной
- 4. Ls =const – индуктивность рассеяния; – напряжение, компенсирующее ЭДС, наводимую в катушке потоком Ф; – ЭДС,
- 5. Схема замещения
- 6. Ток катушки содержит две составляющие: – намагничивающую , отстающую от на ; – , соответствующую потерям
- 7. Допустим Поэтому
- 8. Векторная диаграмма Откладываем в масштабе магнитный поток , токи Затем, начиная с точки d, напряжения на
- 9. Катушка – нелинейный элемент, поэтому параметры ее схемы замещения зависят от величины приложенного напряжения (протекающего тока).
- 10. Из схемы замещения при заданных Ф, f, w находятся параметры gст и bФ: Индуктивность рассеяния Ls
- 11. Определение параметров катушки опытным путем ~ Дано: Измеряем:
- 12. 1. r – измеряется омметром или на постоянном токе при помощи амперметра и вольтметра. определяется
- 15. Скачать презентацию












Плутоний. Открытие плутония
Физические свойства наноматериалов
Презентация на тему Звуковые колебания и волны
Свойства грунтов
Фізіка вакол нас
Входные геоэлектрические модели геологических сред с наличием зоны ГРП
Физика для химиков день третий. МКТ и электричество
OVZ_Zanyatie_3
Формула Даламбера. Распространение упругих волн вдоль прямой
Динамика. Подготовка к ЕГЭ
Применение частотного метода регулирования скорости вращения асинхронного двигателя
Газовые законы
Идеальный газ
Lek_02_Elek_22
Электрическая цепь и ее составные
Законы Кирхгофа
Сборка регулировка и испытание приборов подачи топлива очистки воздуха и выпуска отработанных газов
Терморезистор
Логарифмы в физике
Криволинейное движение. Движение тела по окружности
Оптика и автомобиль
Изобретение радио и принципы радиосвязи
Система охлаждения
Текстура: преимущественная кристаллографическая ориентация кристаллитов по отношению ко внешним осям объекта
ВКР: Модификация и лазерное структурирование скользящих поверхностей
Управляющие процессы и их формализованное описание
Электромагнитная индукция
Ускорение