Аппаратные новинки ПК

Intel выпустил мощный 22-ядерный процессор
Новый микрочип назван Xeon E5-2699A v4 и превысил на 5% скорость работы своего предшественника. 22-ядерный чип может функционировать вместе с современными графическими процессорами, которые подразумевают работу со сложнейшими приложениями по инженерии. Чип Xeon E5-2699A v4 функционирует на частоте 2,4 гигагерц и обладает 55 мегабайтами кэш-памяти третьего уровня.
Компания Samsung Electronics начала разработку процессора на открытой архитектуре RISC-V.
Первая цель – разработать сверхлегкое 32-разрядное ядро на 10000-20000 транзисторов

Самые маленькие HDD в мире
Два маленьких жесткие диска Toshiba MK4001MTD, эти винчестеры самые маленькие в мире, их размер 0,85 дюйма, объем 4 Гб

Новейшая архитектура Pasсal
видеокарт от Nvida
Первое и самое важное изменение в Pascal – уход от 28-нм техпроцесса, который использовался с марта 2012 года. Архитектура Pascal основывается на новом 16-нм FinFET техпроцессе
Оптимизации позволили не только увеличить тактовую частоту, но и эффективность CUDA-ядер . Доказательство тому – прирост производительности в 70% (относительно GTX 980) и это еще на не до конца доведенных до ума драйверах.
В то время как AMD сделал шаг к многослойной HBM-памяти, с высочайшей пропускной способностью, Nvidia в GTX 1080 решила пойти по другому пути, и воспользовалась GDDR5X.( О новейших представителей видеопамяти расскажем подробнее)

Память GDDR5X (Graphics Double Data Rate)
GDDR5X был стандартизирован только в начале этого года, и впечатляет, что реализация новой памяти в уже готовом продукте случилась так быстро. Несмотря на то, что GDDR5X работает даже на меньше частоте (5 ГГц), чем GDDR5 (7 ГГц), новый тип памяти передает за такт вдвое больше информации. В итоге суммарная пропускная способность равна 320 Гбит/с, что немало. И это со «стыдной» для 2016 года шиной данных в 256 бит.

Память с высокой пропускной способностью
Еще одно новаторское решени​​е компании AMD — память с высокой пропускной способностью (HBM)
HBM — это новый тип памяти центральных и графических процессоров (RAM), располагающий микросхемы памяти вертикально, подобно этажам в здании. Это способствует сокращению расстояния передачи информации.
Помимо производительности и энергоэффективности, память HBM также обладает превосходными возможностями в экономии пространства.

Оперативной память следующего поколения — DDR5
В ходе Форума Intel для разработчиков (IDF 2016) была обнародована информация об ориентировочных сроках внедрения оперативной памяти следующего поколения — DDR5.
Сообщается, что спецификация DDR5 будет опубликована уже до конца текущего года. Однако постепенный переход от DDR4 на память нового поколения начнётся только в конце текущего десятилетия — ориентировочно в 2020 году.
Актуальной версией оперативной памяти на данный момент является DDR4
Изначально стандарт DDR4 определял частоты от 1600 до 2400 МГц с перспективой роста до 3200 МГц
Пропускная способность памяти DDR4 в перспективе может достигать 25,6 ГБ/c