ОАО «ИНТЕГРАЛ» филиал «ТРАНЗИСТОР» Новые разработки изделий спецназначения

ИЗДЕЛИЯ С ПРИЕМКОЙ ЗАКАЗЧИКА,
ОСВАИВАЕМЫЕ В 2010 г.

НОВЫЕ ИЗДЕЛИЯ
В РАЗРАБОТКЕ
2010г.

2П524А9 , 2П524А-5 , АЕЯР.432140.519ТУ
n-канальный МОП полевой транзистор
Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой переключательный транзистор с
изолированным затвором, логическим уровнем управления,
обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом
Корпусное исполнение КТ-99-1, возможность поставок бескорпусного варианта
Значения характеристик:
7И1 по группе исполнения 3Ус, 7И6 - 4Ус, 7И7 – 4x4Ус, 7И8 - 2 х 10Е-5 х 1Ус, 7С1 - 5x4Ус, 7С4 - 1Ус,
7К1 – 5x1К, 7К4 - 0,5х1К ГОСТ РВ 20.39.414.2

ОКР «Титул» n-канальный МОП полевой транзистор
Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой транзистор с изолированным затвором, логическим уровнем управления, обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом. Повышенная стойкость к СВВФ
Корпусное исполнение КТ-99-1, возможность поставок бескорпусного варианта
Значения характеристик:
7И1 - 0,5 х 5Ус , 7И6 - 4Ус, 7И7 – 0,5 х 6Ус , 7И8 - 2 х 10 Е-5 х 1Ус , 7С1 - 50 х 5Ус , 7С4 - 5 х 4Ус ,
7К1 – 2К , 7К4 - 1К ГОСТ РВ 20.39.414.2

Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный
составной транзистор
Корпусное исполнение КТ-99-1
2ТД543А9, АЕЯР.432150.538ТУ,
Cоставной биполярный n-p-n транзистор

ОКР «Транзистор-М»
Cоставной биполярный n-p-n транзистор
Значения характеристик:
7И1 - 0,5 х 5Ус , 7И6 - 4Ус, 7И7 – 0,5 х 6Ус , 7И8 - 2 х 10 Е-5 х 1Ус , 7С1 - 50 х 5Ус , 7С4 - 5 х 4Ус ,
7К1 – 2К , 7К4 - 1К ГОСТ РВ 20.39.414.2
Кремниевый эпитаксиально-планарный
биполярный составной транзистор Дарлингтона
Корпусное исполнение КТ-99-1

Предельно-допустимые режимы эксплуатации
Значения характеристик:
7И1 по группе исполнения 3Ус, 7И6 - 4Ус, 7И7 - 4Ус, 7И8 - 2 х 10 Е-5 х 1Ус, 7С1 - 4Ус, 7С4 - 4Ус,
7К1 – 5х1.К, 7К4 - 0,5х1.К ГОСТ РВ 20.39.414.2
Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой переключательный транзистор с изолированным затвором, обогащением n-канала, логическим уровнем управления и встроенным обратносмещенным диодом, с повышенной стойкостью с СВВФ
Корпусное исполнение: металлокерамический корпус ТО-254

СВЧ диод Шоттки 2ДШ142А9
набор СВЧ диодов Шоттки 2ДШ142АС9
СВЧ диод Шоттки 2ДШ142А9
набор СВЧ диодов Шоттки 2ДШ142АС9
Функциональное назначение диодов
использование в импульсных устройствах,
преобразователях высокочастотного напряжения,
детекторах и других узлах и блоках аппаратуры специального назначения.
Корпусное исполнение: малогабаритный пластмассовый корпус для поверхностного монтажа КТ-46А
Один диод в корпусе
Набор диодов
(два последовательно соединённых диода)
Значения электрических параметров диодов при приемке (поставке), эксплуатации (в течение наработки) и хранении (в течение срока сохраняемости) [ Тср = (25 ±10) °С]

Предельно-допустимые значения электрических параметров и режимов эксплуатации
Предельно-допустимые значения электрических параметров и режимов эксплуатации
Значения характеристик специальных факторов
во время и непосредственно после воздействия которых диод должен выполнять свои функции