Программа Model

ОКНО ПРОГРАММЫ MODEL

В таблицу данных заносят данные по току коллектора и напряжения база эмиттер в режиме насыщения.

Схема измерения ВАХ

Определение тока коллектора насыщения и соответствующего ему
напряжения эмиттер-база насыщения (в эксперименте определяется ток базы насыщения)

Определение напряжения насыщения по заданному току базы насыщения.

Результат расчета после инициализации и оптимизации

Расчет поле двух введенных точек, ошибка расчета 4.5%

Следующее окно (горячие клавиши CTRL/->)
Зависимость выходной проводимости от тока коллектора

Расчет ведется по выходной характеристике. Но можно задать напряжение Эрли и из геометрических построения на выходной характеристике.
hoe=dIc/dVce
dIc=1.040 mA
dVce=2.595 V

Значения статического коэффициента усиления тока в схеме ОЭ, B как
функция от тока коллектора Ic

Значения статического коэффициента усиления тока в схеме ОЭ, B как
функция от тока коллектора Ic

Зависимость напряжения насыщения коллектор эмиттер от тока коллектора

Зависимость напряжения насыщения коллектор эмиттер от тока коллектора, при заданном отношении тока коллектора к току базы.
Это (Ic/Ib) отношение определяется из выходных и входных характеристик.

Зависимость напряжения насыщения коллектор эмиттер от тока коллектора, при заданном отношении тока коллектора к току базы.
Это (Ic/Ib) отношение определяется из выходных и входных характеристик.

Барьерная емкость перехода эмиттер-база.
Таблица значений.
В справочнике может быть приведено только одно значение.
Примечание:
Напряжение обратного смещения всегда берется положительным.

Барьерная емкость перехода коллектор-база.
Таблица значений.
В справочнике может быть приведено только одно значение.
Примечание:
Напряжение обратного смещения всегда берется положительным.

Барьерная емкость перехода эмиттер-база.
Таблица значений.
В справочнике может быть приведено только одно значение.
Примечание:
Напряжение обратного смещения всегда берется положительным.

Таблица времени рассасывания от тока коллектора. При заданном отношении токов коллектор/база.
Этот параметр может быть оценен по ориентировочно из технологических параметров транзистора.

Создание файла (*.lib) – текстового файла описания параметра модели.
Создание файла (*.lbr) – двоичного файла описания параметра модели.