Содержание
- 4. КЛАССИФИКАЦИЯ ЭЛЕМЕНТОВ по типу функциональной характеристики
- 5. Иллюстрации типовых свойств элементов и ФУ Линейность и нелинейность Линейный элемент (узел, устройство) в отличие от
- 8. Безынерционность и инерционность Реакция инерционных элементов (функциональных узлов, устройств) в отличие от безынерционных определяется не только
- 9. Активность и пассивность Под активными элементами (функциональными узлами, устройствами) понимаются такие, у которых мощность на выходе
- 12. ИИН ИИТ Физические модели источников напряжения и тока
- 13. Математические модели источников напряжения и тока в присутствие нагрузки Рис.1. Рис.2. Рис.3. Рис.4.
- 14. К определению условий передачи мощности в нагрузку (источник напряжения) А Б В Г Д Rн
- 15. Аналитический вывод условия максимальной передачи мощности Тогда мощность, выделяющаяся на нагрузке равна:
- 18. Рези́стор (англ. resistor, от лат. resisto — сопротивляюсь) – элемент, основным свойством которого является перевод электрической
- 19. Номиналы сопротивлений промышленно выпускаемых резисторов не являются произвольными. Существуют специальные ряды номиналов, представляющие собой множества значений
- 20. Установление связи между номинальной величиной сопротивления и допусками (разбросами) Нетрудно заметить, что номиналы резисторов представляют собой
- 21. Это делает возможным путем решения показательного уравнения определить, как количество номиналов в декаде, так и их
- 23. Вероятности безотказной работы и отказа при λ = 0,01; 0,1; 0,2; 0,3; 0,5
- 25. КОНСТРУКЦИИ РЕЗИСТОРЫ ПОСТОЯННОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ а. объемный (цилиндрический) с выводами б. цилиндрический с пленочным поверхностным резистивным слоем
- 26. керамическое основание («трубка») проводящий элемент контактный узел защитное покрытие выводы Конструкция резисторов типа МЛТ
- 27. 1. проводящий элемент 2. заклепка 3. вывод 4. основание резистивный элемент в виде скобы с пленочным
- 28. А. линейная Б. логарифмическая В. обратно – логарифмическая (пунктир обозначает области допустимых значений) Функциональные характеристики переменных
- 29. Узел: точка, в которой «объединяются» более двух двухполюсников узлы ( ________________________________________________________________). Ветвь: двухполюсник, включенный между двумя
- 30. Первый закон Кирхгофа: алгебраическая сумма токов в узле равна нулю. Второй закон Кирхгофа: алгебраическая сумма напряжений
- 33. Пример №1 Резистивный делитель напряжения (определение токов в ветвях, источник постоянного напряжения)
- 34. Пример №1 Резистивный делитель напряжения (определение напряжений в узлах, источник постоянного напряжения)
- 35. Пример №1 Резистивный делитель напряжения (определение токов в ветвях, источник переменного напряжения)
- 36. Пример №1 Резистивный делитель напряжения (определение напряжений в узлах, источник переменного напряжения)
- 37. A=[1000,1000,0;0,-1000,2000;1000,-1000,-1000] B=[-1;0;0] X=linsolve(A,B) X = 0.0006 0.0004 0.0002 Расчет в пакете SciLab Решение уравнения в матричной
- 38. R=4000 U0=1 A=[R,R,0;0,-R,2*R;R,-R,-R] B=[-U0;0;0] I=linsolve(A,B) U(3)=I(3)*R U(2)=U(3)+I(2)*R U(1)=U(2)+I(1)*R Расчет в пакете SciLab Решение уравнения в матричной
- 39. R4 Uоп R8 R6 R2 R1 R3 R5 R7 Σ Управляется двоичным кодом Uвых ЦИФРО-АНАЛОГОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ
- 40. КОМПЛЕКСНАЯ РАБОТА №1 «ИССЛЕДОВАНИЕ БЕЗЫНЕРЦИОННЫХ ПАССИВНЫХ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ УЗЛОВ СРЕДСТВ СВЯЗИ». Задание Цель работы: исследование свойств резистивной
- 41. 3.Представляемые текстовые и графические материалы: 3.1 Пояснительная записка, оформленная с использованием текстового процессора OpenOffice. 3.2 Графический
- 42. ОПИСАНИЕ РАБОТЫ P-N - ПЕРЕХОДА НЕЛИНЕЙНЫЕ БЕЗЫНЕРЦИОННЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ (ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД) Отсутствие внешнего источника
- 43. ОПИСАНИЕ РАБОТЫ P-N - ПЕРЕХОДА б) Отпирание в) Насыщение
- 44. ОПИСАНИЕ РАБОТЫ P-N - ПЕРЕХОДА г) Запирание
- 45. МИКРОФОТОГРАФИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ (разное увеличение)
- 46. ИЗГОТОВЛЕНИЕ ПЛАНАРНОГО p-n ПЕРЕХОДА В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СХЕМЕ Изготовление планарного p-n перехода - диодная структура (фотолитография) 1.
- 47. Si-p О1 (первое окисление Si) Ф1 (первая фотолитография) Д1 (первая диффузия) Травление SiO2 Эпитаксия (слой n
- 48. 12. Si p P P P P P n+ Si p n+ 13. 14. p p
- 49. Вольт-амперная характеристика диода параметры : I0 – обратный ток диода (зависит от материала), φT – параметр,
- 51. Диоды. Вольт-амперная характеристика (ВАХ), аппроксимация ВАХ
- 57. Пример №2 Моделирование диодного ограничителя в СПО (Qucs)
- 61. Безынерционные логические элементы D1 U1 U2 R D2 U3
- 62. Безынерционные логические элементы
- 63. Безынерционные логические элементы X1 X1 X2 X2 Y Y & 1 0 1 1 0 0
- 64. КОМПОНЕНТНЫЕ УРАВНЕНИЯ Резистор Конденсатор Катушка индуктивности Диод R C UR IR UC IC UL IL Uд
- 70. Скачать презентацию