Санкт-Петербург 2011

Содержание

Слайд 4

КЛАССИФИКАЦИЯ ЭЛЕМЕНТОВ

по типу функциональной характеристики

КЛАССИФИКАЦИЯ ЭЛЕМЕНТОВ по типу функциональной характеристики

Слайд 5

Иллюстрации типовых свойств элементов и ФУ


Линейность и нелинейность
Линейный элемент (узел, устройство)

Иллюстрации типовых свойств элементов и ФУ Линейность и нелинейность Линейный элемент (узел,
в отличие от нелинейного подчиняется принципу суперпозиции: «Реакция на сумму воздействий равна сумме реакций на каждое из воздействий в отдельности».
Функциональный узел, составленный из линейных элементов, линеен.



Приведите примеры нелинейных функциональных характеристик

- нелинейная функция

Слайд 8


Безынерционность и инерционность
Реакция инерционных элементов (функциональных узлов, устройств) в отличие от

Безынерционность и инерционность Реакция инерционных элементов (функциональных узлов, устройств) в отличие от
безынерционных определяется не только мгновенным значением входного сигнала, но и значением самой реакции в предыдущие моменты времени.
Примерами функциональных элементов являются конденсаторы и катушки индуктивности.



Источник прямоугольного импульса с амплитудой _____?, подключается к конденсатору С1 с номинальной емкостью 1 мФ через ограничительный резистор R1 с номинальным сопротивлением 1 Ом, напряжение на конденсаторе фиксируется вольтметром Uc.
Варьируемым параметром является начальное напряжение на конденсаторе С1 c ___ до ____ В. C целью изменения выходного напряжения в момент замыкания ключа S1.
Напряжения на входе измеряется вольтметром U_input

Слайд 9


Активность и пассивность
Под активными элементами (функциональными узлами, устройствами) понимаются такие, у

Активность и пассивность Под активными элементами (функциональными узлами, устройствами) понимаются такие, у
которых мощность на выходе больше мощности на входе.
Примерами функциональных узлов являются транзисторы, усилители.

Слайд 12


ИИН

ИИТ

Физические модели источников напряжения и тока

ИИН ИИТ Физические модели источников напряжения и тока

Слайд 13

Математические модели источников напряжения и тока в присутствие нагрузки

Рис.1.

Рис.2.

Рис.3.

Рис.4.

Математические модели источников напряжения и тока в присутствие нагрузки Рис.1. Рис.2. Рис.3. Рис.4.

Слайд 14

К определению условий передачи мощности в нагрузку (источник напряжения)

 

 

 

 

 

 

А

Б

В

Г

Д

 


 

 

К определению условий передачи мощности в нагрузку (источник напряжения) А Б В Г Д Rн

Слайд 15

 

Аналитический вывод условия максимальной передачи мощности

 

 

 

 

Тогда мощность, выделяющаяся на нагрузке равна:

 

 

 

 

Аналитический вывод условия максимальной передачи мощности Тогда мощность, выделяющаяся на нагрузке равна:

Слайд 18

Рези́стор (англ. resistor, от лат. resisto — сопротивляюсь)  – элемент, основным свойством которого является перевод

Рези́стор (англ. resistor, от лат. resisto — сопротивляюсь) – элемент, основным свойством
электрической энергии в тепловую. Идеальный резистор – безынерционный линейный элемент, основным параметром которого является сопротивление R, которое согласно закону Ома: u(t)=R*i(t) представляет собой коэффициент пропорциональности между током, протекающим через резистор, и возникающим на резисторе напряжением U.
Основное назначение резистора: деление и сложение напряжений и токов, формирование режима работы нелинейных активных элементов, обеспечение выделения в нагрузке максимальной мощности.

Основные параметры резисторов:
Номинальное сопротивление (Rном), разброс номиналов(δ), номинальная рассеиваемая мощность (Pном), температурный коэффициент сопротивления (ткс), надежность резистора: вероятность отказа (Pотк), вероятность безотказной работы (Pбр), интенсивность отказов (λ)

Резисторы: определение, назначение, основные параметры, конструкции

Слайд 19

Номиналы сопротивлений промышленно выпускаемых резисторов не являются произвольными. Существуют специальные ряды номиналов,

Номиналы сопротивлений промышленно выпускаемых резисторов не являются произвольными. Существуют специальные ряды номиналов,
представляющие собой множества значений от 1 до 10 (декада). Номинал резистора определённого ряда является произвольным значением из соответствующего множества, зависящего от допуска на относительную погрешность отклонения от номинала (δ).

Номинальное сопротивление

Слайд 20

Установление связи между номинальной величиной сопротивления и допусками (разбросами)

Нетрудно заметить, что номиналы

Установление связи между номинальной величиной сопротивления и допусками (разбросами) Нетрудно заметить, что
резисторов представляют собой геометрическую прогрессию. Прогрессия вытекает из условия равенства относительных отклонений разбросов влево и вправо относительно номинальных значений.

y

x

0

1

 

Слайд 21

 

 

Это делает возможным путем решения показательного уравнения определить, как количество номиналов в

Это делает возможным путем решения показательного уравнения определить, как количество номиналов в
декаде, так и их величины.
Воспользуемся для решения пакетом Scilab для трех величин разброса δ=0.2, δ=0.1, δ=0.05 (определена как счетчик цикла d). Результатом поиска функцией fsolve корней уравнения, определенного с помощью deff, является количество номиналов в декаде
-->for d=[0.2 0.1 0.05]
-->deff('[y]=f(x,d)','y=((1+d)/(1-d)).^x-10')
-->fsolve(0,f)
-->end
ans = 5.6788736
ans = 11.474446
ans = 23.00665

Цикл для δ=[0.2 0.1 0.05]
Определяем функцию
Находим корень
Конец цикла
Ответы для δ=0,2
δ= 0,1
δ= 0,05

Слайд 23

Вероятности безотказной работы и отказа при λ = 0,01; 0,1; 0,2; 0,3;

Вероятности безотказной работы и отказа при λ = 0,01; 0,1; 0,2; 0,3; 0,5
0,5

Слайд 25

КОНСТРУКЦИИ РЕЗИСТОРЫ ПОСТОЯННОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ

а. объемный (цилиндрический) с выводами
б. цилиндрический с пленочным поверхностным резистивным

КОНСТРУКЦИИ РЕЗИСТОРЫ ПОСТОЯННОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ а. объемный (цилиндрический) с выводами б. цилиндрический с
слоем
в. плоский с пленочным поверхностным резистивным слоем
г. цилиндрический со спиральным резистивным слоем на керамической базовой детали и с выводами
1. резистивный слой
2. вывод
3. несущий фрагмент конструкции

Слайд 26

керамическое основание («трубка»)
проводящий элемент
контактный узел
защитное покрытие
выводы

Конструкция резисторов типа МЛТ

керамическое основание («трубка») проводящий элемент контактный узел защитное покрытие выводы Конструкция резисторов типа МЛТ

Слайд 27

1. проводящий элемент
2. заклепка
3. вывод
4. основание
резистивный элемент в виде скобы с пленочным проводящим элементом
контактный вывод
7. контактная щетка
8. основание

1. проводящий элемент 2. заклепка 3. вывод 4. основание резистивный элемент в
(поводок) контактной щетки
9. ось
резьбовая втулка (для крепления резистора)
защитный кожух

Конструкция пленочных резисторов переменного сопротивления

Слайд 28

А. линейная
Б. логарифмическая
В. обратно – логарифмическая (пунктир обозначает области допустимых значений)

Функциональные характеристики переменных резисторов

А. линейная Б. логарифмическая В. обратно – логарифмическая (пунктир обозначает области допустимых

Слайд 29

Узел: точка, в которой «объединяются» более двух двухполюсников
узлы ( ________________________________________________________________).
Ветвь: двухполюсник,

Узел: точка, в которой «объединяются» более двух двухполюсников узлы ( ________________________________________________________________). Ветвь:
включенный между двумя узлами.
Контур: замкнутая совокупность ветвей, в которой ни один узел не встречается дважды контура ( ______________________________________________________________).
Независимые контура: те, которые не могут быть получены из совокупности других контуров в анализируемой схеме.
Независимые узлы: те, в которых объединяются разные совокупности ветвей.

РАСЧЕТ ФУ НА ЛИНЕЙНЫХ БЕЗЫНЕРЦИОННЫХ ЭЛЕМЕНТАХ
Основные понятия электрической цепи: топология, узлы, ветви контура, законы Кирхгофа

R2

R3

1

Слайд 30

Первый закон Кирхгофа: алгебраическая сумма токов в узле равна нулю.
Второй закон Кирхгофа:

Первый закон Кирхгофа: алгебраическая сумма токов в узле равна нулю. Второй закон
алгебраическая сумма напряжений в замкнутом контуре равна нулю.
Правила анализа схем с помощью законов Кирхгофа:
Выделить и обозначить независимые узлы (______________________________________________).
Выделить и обозначить независимые контура (______________________________________________).
Задаться направлениями токов в ветвях и направлениями обхода контуров.
Выбрать метод анализа (“существует много способов исполнения песни стаи, и каждый способ хорош по-своему” – Акела [Киплинг «Маугли»]).

Слайд 33

Пример №1 Резистивный делитель напряжения (определение токов в ветвях, источник постоянного напряжения)

Пример №1 Резистивный делитель напряжения (определение токов в ветвях, источник постоянного напряжения)

Слайд 34

Пример №1 Резистивный делитель напряжения (определение напряжений в узлах, источник постоянного напряжения)

Пример №1 Резистивный делитель напряжения (определение напряжений в узлах, источник постоянного напряжения)

Слайд 35

Пример №1 Резистивный делитель напряжения (определение токов в ветвях, источник переменного напряжения)

Пример №1 Резистивный делитель напряжения (определение токов в ветвях, источник переменного напряжения)

Слайд 36

Пример №1 Резистивный делитель напряжения (определение напряжений в узлах, источник переменного напряжения)

Пример №1 Резистивный делитель напряжения (определение напряжений в узлах, источник переменного напряжения)

Слайд 37

A=[1000,1000,0;0,-1000,2000;1000,-1000,-1000]
B=[-1;0;0]
X=linsolve(A,B)
X =
0.0006
0.0004
0.0002

Расчет в пакете SciLab

Решение уравнения

A=[1000,1000,0;0,-1000,2000;1000,-1000,-1000] B=[-1;0;0] X=linsolve(A,B) X = 0.0006 0.0004 0.0002 Расчет в пакете SciLab
в матричной форме A*X+B=0

Определяем матрицу A
Определяем матрицу B
Находим решение уравнения

Слайд 38

R=4000
U0=1
A=[R,R,0;0,-R,2*R;R,-R,-R]
B=[-U0;0;0]
I=linsolve(A,B)
U(3)=I(3)*R
U(2)=U(3)+I(2)*R
U(1)=U(2)+I(1)*R

Расчет в пакете SciLab

Решение уравнения в матричной форме A*X+B=0

Сопротивление резистора
Входное напряжение
Матрица

R=4000 U0=1 A=[R,R,0;0,-R,2*R;R,-R,-R] B=[-U0;0;0] I=linsolve(A,B) U(3)=I(3)*R U(2)=U(3)+I(2)*R U(1)=U(2)+I(1)*R Расчет в пакете SciLab
сопротивлений
Матрица напряжений
Решение системы ур-ий
Находим напряжения

Слайд 39

R4

Uоп

R8

R6

R2

R1

R3

R5

R7

Σ

Управляется двоичным кодом

Uвых

ЦИФРО-АНАЛОГОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ

R4 Uоп R8 R6 R2 R1 R3 R5 R7 Σ Управляется двоичным кодом Uвых ЦИФРО-АНАЛОГОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ

Слайд 40

КОМПЛЕКСНАЯ РАБОТА №1
«ИССЛЕДОВАНИЕ БЕЗЫНЕРЦИОННЫХ ПАССИВНЫХ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ УЗЛОВ СРЕДСТВ СВЯЗИ».
Задание
Цель работы: исследование свойств

КОМПЛЕКСНАЯ РАБОТА №1 «ИССЛЕДОВАНИЕ БЕЗЫНЕРЦИОННЫХ ПАССИВНЫХ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ УЗЛОВ СРЕДСТВ СВЯЗИ». Задание Цель
резистивной матрицы R-2R.
Содержание задания:
Изготовить объект исследования, описать его.
Составить физическую модель исследуемого функционального узла.
Составить математическую модель исследуемого функционального узла.
Провести «инженерную» оценку (прогноз) ожидаемых результатов по заданным преподавателем номиналам элементов.
Провести моделирование функционального узла с использованием математического пакета Scilab (СПО).
Провести моделирование функционального узла с использованием схемотехнических пакетов Qucs (СПО).
Провести экспериментальное исследование функционального узла.
Сопоставить результаты прогноза, «ручного» расчета, моделирования и эксперимента.

Слайд 41

3.Представляемые текстовые и графические материалы:
3.1 Пояснительная записка, оформленная с использованием текстового процессора

3.Представляемые текстовые и графические материалы: 3.1 Пояснительная записка, оформленная с использованием текстового
OpenOffice.
3.2 Графический материал:
Оценки требуемых характеристик исследуемого функционального узла
Результаты моделирования в виде документа пакета Scilab (СПО).
Результаты моделирования в виде документов пакетов Qucs (СПО).
Результаты эксперимента в виде таблиц измерений.
3.3 Аннотация работы (русский и английский).

Слайд 42



ОПИСАНИЕ РАБОТЫ P-N - ПЕРЕХОДА

НЕЛИНЕЙНЫЕ БЕЗЫНЕРЦИОННЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ (ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД)

Отсутствие внешнего источника

ОПИСАНИЕ РАБОТЫ P-N - ПЕРЕХОДА НЕЛИНЕЙНЫЕ БЕЗЫНЕРЦИОННЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ (ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД) Отсутствие внешнего источника

Слайд 43



ОПИСАНИЕ РАБОТЫ P-N - ПЕРЕХОДА

б) Отпирание

в) Насыщение

ОПИСАНИЕ РАБОТЫ P-N - ПЕРЕХОДА б) Отпирание в) Насыщение

Слайд 44




ОПИСАНИЕ РАБОТЫ P-N - ПЕРЕХОДА

г) Запирание

ОПИСАНИЕ РАБОТЫ P-N - ПЕРЕХОДА г) Запирание

Слайд 45

МИКРОФОТОГРАФИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
(разное увеличение)

МИКРОФОТОГРАФИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ (разное увеличение)

Слайд 46

ИЗГОТОВЛЕНИЕ ПЛАНАРНОГО p-n ПЕРЕХОДА В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СХЕМЕ

Изготовление планарного p-n перехода - диодная

ИЗГОТОВЛЕНИЕ ПЛАНАРНОГО p-n ПЕРЕХОДА В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СХЕМЕ Изготовление планарного p-n перехода -
структура (фотолитография)

1. Заданная структура 2. Окисление кремния 3. Нанесение фоторезиста
4. Наложение маски 5. Маска

Слайд 47

Si-p

О1 (первое окисление Si)
Ф1 (первая фотолитография)
Д1 (первая диффузия)
Травление SiO2
Эпитаксия (слой n -

Si-p О1 (первое окисление Si) Ф1 (первая фотолитография) Д1 (первая диффузия) Травление
типа)
О2
Ф2
Д1 (разделительная, сквозная)
О3
Ф3
Д3 (базовая, слой p - типа)
О4
Ф4

Изготовление планарного p-n перехода - диодная структура (фотолитография)

6.

7.

8.

Si

p

Si

p

Si

p

9.

Si

p

10.

Si

p

11.

Si

p

6. Засветка 7. Удаление маски 8. Проявление 9. Задубливание 10. Травление окиси кремния 11. Удаление фоторезиста

ИЗГОТОВЛЕНИЕ ПЛАНАРНОГО p-n ПЕРЕХОДА В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СХЕМЕ

Слайд 48

12.

Si

p

P

P

P

P

P

n+

Si

p

n+

13.

14.

p

p

p

p

p

n+

p

p

12. Диффузия фосфора (создание n-области) 13. Заданная структура (профиль)
14. Заданная структура (вид сверху)

ИЗГОТОВЛЕНИЕ

12. Si p P P P P P n+ Si p n+
ПЛАНАРНОГО p-n ПЕРЕХОДА В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СХЕМЕ

Слайд 49




Вольт-амперная характеристика диода

параметры : I0 – обратный ток диода (зависит от материала),
φT

Вольт-амперная характеристика диода параметры : I0 – обратный ток диода (зависит от
– параметр, определяющий прямой ток
(зависит от температуры)

Аналитическая форма записи ВАХ п/п диода:

Слайд 51

Диоды. Вольт-амперная характеристика (ВАХ), аппроксимация ВАХ

Диоды. Вольт-амперная характеристика (ВАХ), аппроксимация ВАХ

Слайд 57




Пример №2 Моделирование диодного ограничителя в СПО (Qucs)

Пример №2 Моделирование диодного ограничителя в СПО (Qucs)

Слайд 61

Безынерционные логические элементы

D1

U1

U2

R

D2

U3

Безынерционные логические элементы D1 U1 U2 R D2 U3

Слайд 62

Безынерционные логические элементы

Безынерционные логические элементы

Слайд 63

Безынерционные логические элементы

X1

X1

X2

X2

Y

Y

&

1

0

1

1

0

0

1

Безынерционные логические элементы X1 X1 X2 X2 Y Y & 1 0

Слайд 64

КОМПОНЕНТНЫЕ УРАВНЕНИЯ

Резистор

Конденсатор

Катушка индуктивности

Диод

R

C

UR

IR

UC

IC

UL

IL



L

КОМПОНЕНТНЫЕ УРАВНЕНИЯ Резистор Конденсатор Катушка индуктивности Диод R C UR IR UC
Имя файла: Санкт-Петербург-2011.pptx
Количество просмотров: 96
Количество скачиваний: 0