Содержание
- 2. В 1979 г. компания Intel разработала новый вид памяти — EEPROM Или по-нашему… ФЛЭШ-ПАМЯТЬ
- 3. Что такое Флэш-память Флэш-память (англ. Flash-Memory) — разновидность твердотельной полупроводниковой энергонезависимой перезаписываемой памяти Флэш-память может быть
- 4. преимущества её энергонезависимость более компактна чем CD-ROM , жёсткие диски, DVD дешева (с учётом стоимости устройств
- 5. малый объём (до 16 Гб ) недостатки
- 6. DVD
- 7. в качестве элементарных ячеек хранения информации используются полевые двухзатворные МОП-транзисторы (транзисторы с плавающим затвором).
- 8. Микросхемы NOR архитектура NOR предпочтительней, поскольку скорость произвольного доступа у нее выше. (например, для хранения программного
- 9. Микросхемы NAND обеспечивают более высокую плотность хранения информации, поэтому для записи/хранения большого количества информации используется преимущественно
- 10. МОП (металл-окисел-полупроводник) — это самый простой тип полевого транзистора. работает очень медленно высокая степень интеграции (занимают
- 11. Процесс записи информации для ячеек NOR сигнал ∆U на плавающий затвор инжектируются (впрыскиваются) электроны, изменяя его
- 12. Архитектура ячейки NAND
- 13. запись в ячейках NAND методом туннелирования электронов желтые частицы проходят сквозь барьер; красные частицы перепрыгивают его
- 14. Процесс стирания информации в ячейках NOR и NAND туннельный эффект: На управляющий затвор подается высокое напряжение
- 15. В настоящее время основные усилия разработчиков сосредоточены на наращивании объемов памяти и сокращении размеров носителей с
- 16. новые разработки
- 17. Перспективные запоминающие устройства (FRАМ, РFRАМ, МRАМ, OUM)
- 18. Успехи создания ЗУ на основе полупроводниковой технологии не снимают проблемы дальнейшего совершенствования микросхем памяти. Чтобы прибиться
- 19. ЗУ типа FRАМ (ферроэлектрические) В ферроэлектрических FRАМ (Ferroelectric RАМ) основой запоминающего элемента служит материал, в кристаллической
- 20. С помощью электрического поля можно придать внутреннему диполю тот или иной знак. Под воздействием внешнего электрического
- 21. ЗУ типа PFRAM (полимерно-ферроэлектрические) ЗУ типа PFRAM (Polimeric Ferroelectric RAM) – разновидность ферроэлектрических ЗУ. Они построены
- 22. В пленке, толщина которой меньше 0,1 мкм, образуются ориентированные диполи, которые служат запоминающими элементами, хранящими различные
- 23. Рисунок 16.3 Схематическая конструкция полимерно-ферроэлектрического ЗУ. Рисунок 16.3 Схематическая конструкция полимерно-ферроэлектрического ЗУ.
- 24. Процессы записи и чтения идентичны по быстродействию — и тот, и другой занимают приблизительно по 50
- 25. ЗУ типа MRAM (магниторезистивные) В ЗУ типа MRAM (Magnetoresistive RAM) битам двоичных данных соответствуют участки намагниченности,
- 26. Для создания MRAM можно использовать два типа эффектов — так называемый гигантский магниторезистивный эффект (Giant Magnetic-resistive
- 27. Конструкция запоминающего элемента типа MTJ включает в себя два ферромагнитных слоя, разделенных тонким слоем диэлектрика, действующим
- 28. Рисунок 16.4 Схематическая конструкция запоминающего элемента типа MTJ Рисунок 16.4 Схематическая конструкция запоминающего элемента типа MTJ
- 29. Современные разработки MRAM еще далеки от теоретически достижимых, уровень которых очень высок: время записи 2,3 не,
- 30. ЗУ типа ОUМ (с использованием фазовых переходов вещества) ЗУ типа OUM (Ovonyx Unified Memory, по названию
- 31. Фазовое состояние халкогенида программируется пропусканием через элемент импульсов тока, имеющих разные параметры. Управление током производится с
- 32. В элементе памяти с халкогенидом можно программировать сопротивление не только для двух его значений (максимального и
- 33. Запоминающие элементы OUM просты по конструкции, потребляют малую мощность, энергонезависимы, имеют неразрушающее чтение, допускают до 1012
- 34. Рисунок 16.5 Конструкция и схема запоминающего элемента памяти OUM Рисунок 16.5 Конструкция и схема запоминающего элемента
- 35. Параметры перспективных микросхем памяти, имеющих наибольшую степень практического освоения, приведены в табл. 1.
- 37. Скачать презентацию