УП «ЗАВОД ТРАНЗИСТОР» Новые разработки изделий спецназначения

Система менеджмента качества УП «Завод Транзистор»
Система менеджмента качества при производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем соответствуют требованиям
МС ИСО 9001-2001, ГОСТ В 22468-77, ГОСТ В 28146-89, ОСТ В 11 0398-2000, ОСТ В 11 336.018-82, ОСТ В 11 0998-99, ОСТ В 11 1010-2001

Таблица 1. ИЗДЕЛИЯ С ПРИЕМКОЙ ЗАКАЗЧИКА, РАЗРАБОТАННЫЕ В 2003 – 2009 г.г.

Продолжение Таблицы 1.

Продолжение Таблицы 1.

ИЗДЕЛИЯ С ПРИЕМКОЙ ЗАКАЗЧИКА, РАЗРАБОТАННЫЕ В 2003 – 2009 г.г.

1 – затвор
2 – сток
3 – исток
Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой транзистор с изолированным
затвором, обогащением n-канала, встроенным обратносмещенным диодом и с повышенной стойкостью к СВВФ.
Корпусное исполнение: металлокерамический корпус ТО-254
Значения характеристик:
7И1 по группе исполнения 3Ус, 7И6 - 4Ус, 7И7 - 4х4Ус, 7С1 - 100х1Ус, 7С4 - 2х1Ус,
7К1 - 5х1К, 7К4 - 0,5х1К ГОСТ РВ 20.39.414.2
Уровень бессбойной работы при воздействии специальных факторов
7И с характеристикой 7И8 (по критерию Iс ост = 5 мА), составляет (0,9 х 10 –4) х 2Ус
(по критерию Iс ост = 500 мА) составляет 0,02 х 1Ус.
Предельно-допустимые режимы эксплуатации

Предельно-допустимые режимы эксплуатации
Значения характеристик:
7И1 по группе исполнения 2Ус, 7И6 - 2Ус, 7И7 - 2Ус, 7С1 - 2Ус, 7С4 - 2Ус,
7К1 – 1.К, 7К4 - 0,1х1.К ГОСТ РВ 20.39.414.2
Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой переключательный транзистор с изолированным затвором, обогащением p-канала, встроенным обратносмещенным диодом
Корпусное исполнение: металлокерамический корпус ТО-254

Предельно допустимые и предельные режимы эксплуатации микросхем
АЕЯР.431420.495ТУ, АЕЯР.431420.495-01ТУ
Микросхемы ШИМ - контроллеров импульсных источников питания с обратной связью по току
(зарубежный аналог UC1842, UC 1843, UC 1844, UC 1845)
1114ЕУ7УИМ, 1114ЕУ7Н4ИМ
1114ЕУ8УИМ, 1114ЕУ8Н4ИМ
1114ЕУ9УИМ, 1114ЕУ9Н4ИМ
1114ЕУ10УИМ, 1114ЕУ9Н4ИМ
Корпусное исполнение Н02.8 – 2В, возможность поставки бескорпусного варианта

Таблица 2. ИЗДЕЛИЯ С ПРИЕМКОЙ ЗАКАЗЧИКА,
ОСВАИВАЕМЫЕ В 2010 г.

ИЗДЕЛИЯ В РАЗРАБОТКЕ 2010г.
2П524А9 , 2П524А-5 , АЕЯР.432140.519ТУ
n-канальный МОП полевой транзистор
Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой переключательный транзистор с
изолированным затвором, логическим уровнем управления, обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом
Корпусное исполнение КТ-99-1, возможность поставок бескорпусного варианта
Значения характеристик:
7И1 по группе исполнения 3Ус, 7И6 - 4Ус, 7И7 – 4x4Ус, 7И8 - 2 х 10Е-5 х 1Ус, 7С1 - 5x4Ус, 7С4 - 1Ус,
7К1 – 5x1К, 7К4 - 0,5х1К ГОСТ РВ 20.39.414.2

ИЗДЕЛИЯ В РАЗРАБОТКЕ 2010г.
2ТД543А, АЕЯР.432150.538ТУ,
Cоставной биполярный n-p-n транзистор
Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный
составной транзистор

ИЗДЕЛИЯ В РАЗРАБОТКЕ 2010г.
ИЗДЕЛИЯ В РАЗРАБОТКЕ 2010г.
СВЧ диод Шоттки и набор СВЧ диодов Шоттки
в малогабаритном пластмассовом корпусе
для поверхностного монтажа КТ-46А
Функциональное назначение диодов
использование в импульсных устройствах,
преобразователях высокочастотного напряжения,
детекторах и других узлах и блоках аппаратуры специального назначения.
Один диод в корпусе
Набор диодов
(два последовательно соединённых диода)
Значения электрических параметров диодов при приемке (поставке), эксплуатации (в течение наработки) и хранении (в течение срока сохраняемости) [ Тср = (25 ±10) °С]

ИЗДЕЛИЯ В РАЗРАБОТКЕ
ИЗДЕЛИЯ В РАЗРАБОТКЕ
«Диод Шоттки и набора диодов Шоттки в малогабаритном пластмассовом корпусе для поверхностного монтажа»
Предельно-допустимые значения электрических параметров и режимов эксплуатации
Значения характеристик специальных факторов
7.И, 7.С, 7.К во время и непосредственно после воздействия которых диод должен выполнять свои функции

Таблица 3. СТОЙКОСТЬ К СПЕЦФАКТОРАМ новых изделий

СТОЙКОСТЬ К СПЕЦФАКТОРАМ