Диод Шоттки

Содержание:
Введение.
Общие сведение о диодах.
Принцип работы.
3.1 Барьер Шоттки.
3.2 Вольт-амперная характеристика барьера Шоттки.
4. Особенности перехода Шоттки.
Структура диода Шоттки.
Применение.

1. Введение.

2. Общие сведения о диодах.

3. Принцип работы.

3.1 Барьер Шоттки.
Вальтер Шоттки исследовал такой барьер в 1939 году. Для возникновения потенциального барьера необходимо, чтобы работы выхода металла и полупроводника были различными. При сближении полупроводника n-типа с металлом, имеющим большую, чем у полупроводника, работу выхода , металл заряжается отрицательно, а полупроводник — положительно, так как электронам легче перейти из полупроводника в металл, чем обратно.

Зонная диаграмма барьера Шоттки при различных напряжениях на затворе:
а) VG = 0; б)VG > 0, прямое смещение; в)VG < 0, обратное смещение

3.2 Вольт-амперная характеристика барьера Шоттки.

4.Особенности перехода Шоттки.
4. Особенности перехода Шоттки.

При этом применяют подложки из низкоомного n-кремния (или карбида кремния) с высокоомным тонким эпитаксиальным слоем того же полупроводника
1 – низкоомный исходный кристалл кремния (полупроводниковая подложка)
2 – эпитаксиальная плёнка высокоомного Кремния
3 – контакт металл-полупроводник
4 – металлический контакт
5 – внешний контакт
5. Структура диода Шоттки: