Исследование и сравнение излучательных характеристик для различных составов квантовых ям

Цель работы
Совершенствование активной области полупроводниковых лазеров с целью повышения выходной мощности
Исследование и сравнение излучательных характеристик для различных составов квантовых ям

Выбор состава квантовой ямы
Для постоянной решетки 5,6-5,65 Å подходят составы AlGaAs и GaAsP

Достоинства и недостатки квантоворазмерной активной области полупроводниковых лазеров
Квантовые ямы AlGaAs
+ Хорошее согласование параметра кристаллической решетки
- Наличие дефектов, связанных с взаимодействием алюминия с кислородом
- Сильнее проявлятюся процессы «старения»
Квантовые ямы GaAsP
+ Значительно меньшая степень взаимодействия с кислородом.
+ Меньшая вероятность катастрофического разрушения зеркал
- Более низкая по сравнению с AlGaAs теплопроводность
- Более низкое качество гетерограниц

Зависимость концентрации примеси кислорода от доли алюминия в составе структуры

График сегрегации индия в гетероструктуре

Спектры интенсивности фотолюминесценции образцов
AlGaAs/ AlGaAs
GaAsP/AlGaAs
GaAsP/ InGaP