Содержание
- 2. Наноразмерные перьевые ручки. Локальное нанесение самоорганизующихся молекул на поверхность А – Схема процесса осаждения молекул с
- 3. Поскольку в данном процессе используется стандартный АСМ зонд, то возможно одновременное прецизионное определение рельефа и позиционирование
- 4. Нано гравировка Использование мягких слоев самоорганизующихся молекул для последующей гравировки наноразмерных структур с силами порядка 5-10
- 5. Наноразмерная десорбция самоорганизующихся молекул . Локальная десорбция происходит в условиях мениска адсорбированной воды и усилена полем.
- 6. Использование одного зонда для нанесения рисунка и визуализации поверхности позволяет наносить метки в строго определенных местах
- 7. Применение метода нанесения самоорганизующихся молекул. Создания масок для последующего травления кремния, окиси кремния – нанолитография с
- 8. Прямая печать с помощью капилляров. Достоинства: Возможность использования нанокапиляров для СБОМ с диаметрами отверстий менее 100
- 9. Создание узора методом процарапывания Создание наноразмерных структур на 2х кристаллах MoO3 на подложке из MoS2 (A-F).
- 10. Создание узора методом процарапывания При создании царапин и разрезании слоев используются твердые зонды способные выдержать силу
- 11. Наноразмерное плавление. Нагретый до температуры 400оС зонд оставляет на поверхности полимерного слоя РММА след при минимальной
- 12. Проект Millipede, IBM Среда для записи – специальный термополимер Запись – локальное расплавление нагреванием с одновременным
- 13. Проект Millipede, IBM Запись информации с плотностью 1 Tbit/inch2 с помощью СЗМ технологии Высокая скорость записи/чтения
- 14. Манипуляция отдельными атомами и молекулам Использование методик СТМ манипуляции отдельными атомами для модификации электронной структуры поверхности.
- 15. Различные нано кораллы полученные с помощью СТМ Использование специальных манипуляторов вместе с 3Д системой виртуальной реальности
- 16. Наноразмерные зондовые захваты Зонд сформирован из непроводящего основания на котором нанесено два независимых металлических электрода. На
- 17. Наноразмерная электрохимия – локальное окисление Локалное окисление. Начало применения -1990е годы Вначале использовались методы туннельной микроскопии
- 18. Процесс оксидирования возможен и при подаче отрицательного напряжения на образец. Механизм аналогичен усилению окисления в электрическом
- 19. В случае окисления по методу анодирования процесс идет в присутствии жидкости на поверхности. Образующийся мениск влияет
- 20. Исследование возможностей литографического оксидирования и структурирования с использованием резистивных пленок в качестве резистивного слоя Схематическое представление
- 21. АСМ изображение результатов воздействия зонда при подаче +5.5 В на зонд до(А) и после (В) удаления
- 22. Создание металлорганических структур с использованием СОМ Нанокластеры металла могут быть созданы последовательным замещением концевых групп СОМ
- 23. Фото окисление кремниевой подложки пассивированной водородом. Использование излучения аргонового лазера с длинной волны ~ 457 нм
- 24. Наноразмерные CVD процессы Наличие сильного градиента поля около СТМ зонда, а также некоторого количества электронов в
- 25. CVD процессы под действием ближнепольного излучения При воздействии светом с длинной волны λ = 270 nm
- 26. Второй способ использования фотодиссоциации при CVD процессе Второй способ состоит из двух стадий: На первой стадии
- 27. Сравнение осаждения Zn из диэтил цинка на сапфире с использованием резонансной и нерезонансной длинны волны На
- 28. Создание структур (точек Al) на поверхности сапфира II стадийным методом CVD осаждения с последующим воздействием ближним
- 29. Локальное испарение В случае нагревания образца и прикладывания повышенного потенциала 50-100 В между зондом и поверхностью
- 30. Зависимости ширины и глубины ямок испарения кремния в зависимости от времени воздействия имеют явно немонотонный характер
- 31. Локальное травление диоксида кремния и графита. Предполагается, что механизм травления диоксида кремния при температуре 600-700 оС
- 32. Пример комплексного исследования параметров каталитической реакции окисления СО на поверхности платины. Верхняя часть сигнал масс-спектрометра на
- 33. СТМ Сопровождение атома в процессе диффузии СТМ сопровождение конкретного атома Pd на поверхности Pd/Cu(001) А) Карта
- 34. Манипулирование атомами на поверхности для создания наноразмерных структур Используются следующие виды манипуляций: Контролирование химической реакции между
- 35. Интеграция нанооптических устройств Концептуальная схема нано оптоэлектронного устройства в котором оптические переключатели, излучатели света, устойства ввода
- 36. Пример формирования переключателя на основе нелинейной адсобции излучения в отдельной квантовой точке В этом примере ключ
- 37. Переключение с помощью ближнепольного оптического взаимодействия квантовых точек Электронная структура квантовых точек напрямую зависит от размера
- 38. Первая стадия реализации проекта – подбор частот возбуждения и фотолюминесценции квантовых точек На рисунке а приведено
- 39. Оптическая запись и считывание оптическим ближним полем. Устройство представляет собой слайдер из кремния преимущества которого в
- 40. Схема устройства записи чтения на среду с изменяемым фазовым состоянием. При облучении ближним полем минимальный размер
- 41. Перемещение атомов в латеральной плоскости В зависимости от характера конкретных материалов необходимо применять либо силы притяжения,
- 42. Создание зарядовых центров Зарядка отдельных атомов Au на тонком слое NaCl на поверхности Cu. Тонкий слой
- 43. СБОМ, фотолитография Фото деформация фоточувствительного полимера воздействием ближнего поля. Ширина линии в наиболее тонкой части –
- 44. Линейные структуры полученные на фоторезисте SU-8 методом двухфотонного экспонирования. Общее облучение в далнем поле и локальное
- 45. Наночастицы Au, меченные меркаптобензойной кислотой (МБК), являются меткой на рН внутри эндосом клеток Золотые частицы захватываются
- 46. Зондирование внутренних слоев гетеро структур с помощью баллистической электронной микроскопии Инжекция электронов с помощью СТМ зонда
- 47. BEEM Диаграмма показывающая распределение инжектированных неравновесных носителей а)- электронов b) – дырок и их распределение после
- 49. Скачать презентацию