Биполярный транзистор

Литература
Опадчий Ю.Ф. и др. Аналоговая и цифровая электроника (Полный курс): Учебник для вузов / Ю. Ф. Опадчий, О. П., Глудкин, А. И., Гуров; Под ред. О. П. Глудкина. – М.: Горячая линия – Телеком, 2012.
2. Лачин В. И., Савелов Н. С. Электроника: Учеб. пособие. 4-е изд. – Ростов н/Д: изд-во «Феникс», 2014.
3. Щудро И.А. Методические рекомендации по выполнению лабораторных работ по электронике. – МТИ, 2016.

Схемы переходов
Устройство и принцип действия

Схема движения электрических зарядов
Устройство и принцип действия

Режим отсечки – на оба перехода поданы обратные напряжения;
Режим насыщения – на оба перехо­да поданы прямые напряжения;
Активный режим – на эмиттерный переход подано прямое напряжение, а на коллекторный – обратное;
Инверсный режим – на эмиттерный переход подано обратное напря­жение, а на коллекторный – прямое.
Режимы работы транзистора

IK = α IЭ + IKБ0,
где: α – коэффициент передачи тока эмиттера; IKБ0 – обратный ток коллекторного перехода.
На практике α = 0,9 … 0,998.
IЭ = IК + IБ,
IБ = IЭ – IК ≈ IК /αст – IК = IК [(1 – αст)/ αст] = IК / β,
где: β = α / (1 – α) – коэффициент передачи тока базы в схеме с общим
эмиттером (β = 20 … 1000).
Определение тока коллектора

Типовые структуры биполярных транзисторов
а) сплавный;
б) эпитаксиальный-диффузионный;
в) планарный;
г) мезапланарный.

а. Схема с общей базой
б. Схема с общим эмиттером
в. Схема с общим коллектором
Схемы включения транзистора

а. Выходная характеристика
б. Входная характеристика
Вольт-амперные характеристики транзистора