Электроника и информационно-измерительная техника. Допуск к экзамену

Допуск к экзамену
Набрать не менее 18 баллов из 20 в тренировочных тестах по модулям №1 и №2 на учебном портале.
2. Сделать лабораторные работы и сдать по ним отчёты.
3. Пройти контрольный тест в университете, набрав не менее 7 баллов из 20. С собой иметь чистый лист бумаги, ручку, инженерный калькулятор (телефоны запрещены) и документ с фотографией.

Расчёт оценки на экзамен
где:
- балл, набранный на контрольном тесте; - баллы, набранные, соответственно, при ответе на 1 и 2 вопросы в экзаменационном билете;
- баллы, набранные при ответе на дополнительные вопросы.

Расчёт баллов
0 – если дан ответ менее чем на 50% объёма вопроса;
1 – если дан ответ от 50% до 75% объёма вопроса;
2 – если дан ответ более чем на 75% объёма вопроса.

Если
, то есть право ответа на дополнительные вопросы.
0 – если дан ответ менее чем на 75% объёма вопроса;
1 – если дан ответ более чем на 75% объёма вопроса.
На следующий дополнительный вопрос есть право ответа, только если получен 1 балл на предыдущий вопрос.
Дополнительные вопросы

Модуль 1
Компоненты электроники
и простейшие схемы на их основе
Модуль 2
Функциональные элементы
на основе интегральных микросхем
Портал

Тема 0
Основные понятия и определения электроники

Печатная плата
Интегральная микросхема
(микроконтроллер)
Конденсатор
Постоянный резистор
Переменный резистор
Разъём
Конденсаторы
Интегральная микросхема (стабилизатор напряжения)
Средство отображения информации
Простейший цифровой измерительный прибор
Радиатор

Тема 1
Резисторы, конденсаторы и дроссели
Модуль 1

Резисторы
Обозначения на схемах

Постоянные резисторы
для классического монтажа
Постоянные резисторы
для поверхностного монтажа
Основные параметры: Rном, Рном

Регулировочный резистор
Подстроечные резисторы

Схема замещения переменного резистора
R’
R’’
R’ = 0 ... Rном
R’’ = Rном ... 0
R’ + R’’ = const

Конденсаторы
По конструкции
Цилиндрические
Пластинчатые
По типу диэлектрика
С оксидным диэлектриком
С твёрдым органическим диэлектриком
С твёрдым неорганическим диэлектриком

Конденсаторы для
классического монтажа
Конденсаторы для
поверхностного монтажа
Основные параметры: Сном, Uном

Дроссели

Выпрямительные и импульсные диоды
Тема 2

Условные обозначения

Выпрямительные диоды
Импульсный диод

P-n переход в режиме прямого смещения

P-n переход в режиме обратного смещения

Анимация. Диод в прямом включении.
Анимация. Диод в обратном включении.

Вольтамперная характеристика диода

Диодный мост
Основные параметры выпрямительных и импульсных диодов:
Iпр.макс, Uобр.макс

Тема 3
Светодиоды и фотодиоды

Условные обозначения
Светодиоды
Фотодиод

Схема включения светодиода
Светодиодный индикатор

Схема включения фотодиода
Фотореле

Солнечные батареи

Схема солнечной батареи

Тема 4
Биполярные транзисторы

Уильям Шокли
Уолтер Браттейн
Джон Бардин
1947 год

Транзисторы
Биполярные
Полевые
p-n-p
n-p-n
n-канал
p-канал
КТ3102

Внутренняя структура биполярного транзистора

Основные параметры биполярного транзистора:
Соотношения между токами в биполярном транзисторе
коэффициент передачи тока коллектора
максимальный ток коллектора
максимальное обратное напряжение коллектор-эмиттер

Полевые транзисторы
Тема 5

MOSFET - metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

Внутренняя структура полевого транзистора

IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor

Тиристоры
Тема 6

Тиристоры
Однооперационные
Двухоперационные
Динисторы
Симисторы
Управляемые
по катоду
Управляемые
по аноду
Управляемые
по катоду
Управляемые
по аноду

Конструкция тиристора, управляемого по катоду

Семейство вольтамперных характеристик тиристора
Схема замещения тиристора

Тема 7
Интегральные микросхемы

Chip – интегральная микросхема

Конструкция микросхемы

Параметры микросхем
Степень интеграции
Технологический уровень
малая – до 100 транзисторов
средняя – до 1000 транзисторов
большая – до 10000 транзисторов
сверхбольшая – более 10000 транзисторов
1,5 мкм
1,2 мкм
Примеры:
0,25 мкм
0,18 мкм
0,009 мкм
0,012 мкм

Кристалл микросхемы со средней степенью интеграции

Кристалл микросхемы со сверхбольшой степенью интеграции