Слайд 5Обозначение напряжений
Uк - это напряжение на коллекторе
UБЭ - это напряжение между базой и эмиттером.

UKK (Vcc) – это напряжение питания (обычно положительное) коллектора,
UЭЭ (Vee)— напряжение питания (обычно отрицательное) эмиттера.
Слайд 6Выводы транзистора с точки зрения омметра

Слайд 8Правила транзисторов (для pnp)

Слайд 9Правила транзисторов (для pnp)

Слайд 14Правила расчёта ключей
Сопротивление резистора в цепи базы лучше брать поменьше, тогда избыточный

базовый ток будет больше
При использовании индуктивных нагрузок транзистор следует предохранять с помощью диода
Если потенциал нагрузки по какой-либо причине меньше потенциала земли, то параллельно коллекторному переходу следует подключить диод в обратном направлении.
Слайд 15Режимы работы транзистора
Режим отсечки, т. е. выключение транзистора (отсутствует ток коллектора)
Активный режим (небольшой

ток коллектора, напряжение на коллекторе выше, чем на эмиттере)
Режим насыщения (напряжение на коллекторе приблизительно равно напряжению на эмиттере)
Слайд 16Основные параметры микросхем серии ТТЛ

Слайд 18Решение задач на ключи
N-p-n ключ для вентилятора
P-n-p ключ для семисегментного индикатора

Слайд 20Исключение случайных включений
Rбэ подтягивает базу для исключения случайного включения транзистора наводками
