Содержание
- 2. Анализ взрывного характера взаимодействия микроструй на границе раздела металл - керамика Схема поражения Экструзия металла на
- 3. Составы многослойных композиционных материалов Состав МКМ для защиты от ударноволнового и импульсного электромагнитного излучения - первый
- 4. продолжение Состав МКМ для защиты от теплового воздействия - первый слой полимерная матрица 30-40 % и
- 5. Таблица 1 Результаты электрофизических измерений экспериментальных образцов из МКМ Чередование слоев в образцах МКМ а) «черный»-
- 7. Скачать презентацию
Слайд 2Анализ взрывного характера взаимодействия микроструй на границе раздела металл - керамика
Схема поражения
Экструзия
Анализ взрывного характера взаимодействия микроструй на границе раздела металл - керамика
Схема поражения
Экструзия

Основной поражающий фактор:
ударно-волновой и проникающих
микроструй
Слайд 3Составы многослойных композиционных материалов
Состав МКМ для защиты от ударноволнового и импульсного электромагнитного
Составы многослойных композиционных материалов
Состав МКМ для защиты от ударноволнового и импульсного электромагнитного

- первый слой полимерная матрица 50-60 % и наполнитель порошок оксида алюминия 50-40 %, толщиной 0,3-0,5 мм, служит для защиты от ударно-волнового воздействия и проникающих микрочастиц, обладает повышенной ударной прочностью и прочностью на изгиб;
- второй слой фольга из аморфной ленты Fe60-Ni20-B14-P6 толщиной 0,2 – 0,4 мм, предназначен для снижения воздействия импульса электромагнитного излучения;
- третий слой полимерная матрица 50-60 % и 50-40 % наполнитель из смеси порошков фуллерена и углеродных нанотрубок (в соотношении 2:1), толщиной 0,2-0,3 мм, как поглощающий слой ионизирующего излучения;
- четвертый слой полимерная матрица 50-60 % и наполнитель порошок оксида кремния 50-40 % , толщиной 0,3-0,5 мм - электроизоляционный слой.
Слайд 4продолжение
Состав МКМ для защиты от теплового воздействия
- первый слой полимерная матрица
продолжение
Состав МКМ для защиты от теплового воздействия
- первый слой полимерная матрица

300 оС – 0,5 Вт/м*К;
- второй слой фольга из аморфной ленты Fe60-Ni20-B14-P6 толщиной 0,2 – 0,4 мм, предназначен для снижения воздействия импульса электромагнитного излучения;
- третий слой полимерная матрица 50-60 % и 50-40 % наполнитель из смеси порошков фуллерена и углеродных нанотрубок (в соотношении 2:1), толщиной 0,2-0,3 мм, как поглощающий слой ионизирующего излучения;
- четвертый слой полимерная матрица 50-60 % и наполнитель порошок оксида кремния 50-40 % , толщиной 0,3-0,5 мм - электроизоляционный слой.
Слайд 5Таблица 1 Результаты электрофизических измерений экспериментальных образцов из МКМ
Чередование слоев
Таблица 1 Результаты электрофизических измерений экспериментальных образцов из МКМ
Чередование слоев

а) «черный»- нанотрубки, фуллерен - защита от ионизирующего излучения (поглощающий слой);
б)аморфная лента Fе4Ni20 В14 P6 - защита от электромагнитного излучения (отражающий слой);
в)Аl2Оз - для прочности (ударные нагрузки, отражающий слой) белый;
г)А1 <100мкм – электропроводя-щий слой (сток зарядов).
Система команд процессора
Проблемное обучение
Архитектура электронного округа
Учимся улыбаться
Презентация на тему История создания романа «Война и мир»
L’alimentation saine et régulière
РОССИЙСКАЯ МОДЕЛЬ СОЦИАЛЬНЫХ ОТНОШЕНИЙ и социальная политика
Итоговая аттестация выпускников 9-х классов
Разработка программы восстановления цветности полутоновых изображений
Мутация- источник формирования биологического разнообразия
The Widow's Mite
The development of management theory
Идеи новогоднего макияжа
Presentation Title
2_5287247905520885514
Мотивация трудовой деятельности
Невербальные средства общения: мимика, взгляд, жесты, поза
Sir Joshua Reynolds (1723 -1792)
Использование нестандартного оборудования
ЮниорПрофи
Developing Advocacy StrategyРазработка агитационной стратегии
Африканская улитка ахатина
Игровые технологии на уроке литературы.
Создание презентации
Порядок подготовки офицеров для прохождения службы по контракту на военных кафедрах образовательных учреждений
Друзья – монстры
Духовная культура. Тест
Изменение имен существительных