Программа фундаментальных исследований Президиума РАН № 27 «Основы фундаментальных исследований нанотехнологий и наноматериало

В рамках проекта планируется экспериментальное и теоретическое изучение электронной структуры и механизмов спиновой релаксации экситонов в новом классе InAs квантовых точек (КТ) в широкозонной матрице AlGaAs, имеющих непрямую структуру зон в квазиимпульсном пространстве.
Цель работы:

Проект предусматривает решение следующих задач:
1. Разработку технологии формирования InAs/AlGaAs КТ методом капельной эпитаксии.
2. Определение энергетической структуры экситонов в одиночных КТ.
3. Исследование спиновой релаксации экситонов массивах КТ и в одиночных КТ.

Задел по проекту
Изучена атомная и энергетическая структура квантовых ям (КЯ) и квантовых точек InAs, сформированных в матрице AlAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Изучено влияние после ростового отжига, на электронную структуру КТ InAs/AlAs. Выполнены расчеты энергетической структуры КЯ и КТ с учетом боковых минимумов зоны проводимости InAlAs, которые показывали, что и КЯ, и КТ имеют структуру зон первого рода. Основное электронное состояние КТ при уменьшении размера КТ переходит от прямой Г долины к боковой долине XXY зоны проводимости InAs. Таким образом, впервые показано, что в системе InAs/AlAs реализуется новый класс полупроводниковых КТ первого рода с непрямой в пространстве квазиимпульсов структурой зон.