Содержание
- 2. Системы создания плазмы Современные плазменные установки требуют создания начальной (мишенной) плазмы Поверхностная ионизация – Q машина
- 3. Q - машина Термическая ионизация Формула Саха: Водород – 13,6 эВ Цезий – 3,89 эВ
- 4. Q - машина Термическая ионизация Формула Саха-Ленгмюра: T=2500 K Cs0 Cs+ – работа выхода Вольфрам φ=4,5
- 5. Ионизация излучением Однофотонная ионизация hν > I ~ 13 эВ – вакуумный ультрафиолет (λ ~100 нм)
- 6. Ионизация электронным ударом Сечение ионизации (формула Томсона)
- 7. Ионизация внешними электронами (несамоподдерживающийся разряд) Доля атомарного водорода 3-6% Катод e- Плазма H2+e=H2++2e H2+e=H+H++2e Сечение ионизации
- 8. Ионизация внешними электронами Разряд с осциллирующими электронами При концентрации газа Катод e- Плазма Ug=+200 В Uс=0
- 9. Электроны осциллируют в области полого катода Ионы распыляют поверхность катода Лампа с полым катодом для спектрального
- 10. Разряд с осциллирующими электронами Мультипольная магнитная стенка
- 11. Разряд с осциллирующими электронами Пенинговский разряд Анод +500 В Катод 0 В Катод 0 В Магниторазрядный
- 12. Разряд с осциллирующими электронами Магнетронный разряд Анод +1000 В Катод 0 В Магнетрон
- 13. Разряд с осциллирующими электронами Магнетронный разряд Магнетронная распылительная установка
- 14. Безэлектродные разряды в ВЧ - поле Индуктивный разряд (inductively coupled plasma) Электрическое поле генерируется индукционной катушкой
- 15. Безэлектродные разряды в ВЧ - поле Емкостной разряд (capacitevely coupled plasma) газ диэлектрик
- 16. Безэлектродные разряды в ВЧ - поле ВЧ разряды Существуют высокоэффективные источники микроволнового излучения – магнетроны (2,45
- 17. Количество свободных носителей мало (электрическое поле не искажается пространственным зарядом) Образование вторичных электронов: - ионизация газа
- 18. Длина свободного пробега обратно пропорциональна плотности газа Тогда первый коэффициент Таунсенда Распределение по длине - уравнение
- 19. Условие зажигания разряда: γ - второй коэффициент Таунсенда - коэффициент вторичной эмиссии α - первый коэффициент
- 20. Кривая Пашена длина свободного пробега Uf Напряжение пробоя Электрический пробой в газах
- 21. Электрический разряд в газах
- 22. Тлеющий разряд В разрядном промежутке устанавливается самосогласованное распределение потенциала Напряжение на разряде и плотность тока разряда
- 23. Дуга Разогрев поверхности катода за счет ионной бомбардировки Термоэлектронная эмиссия Образование катодных пятен
- 24. Свойства дуги как разряда в газе Ud=α+β×l Малое приэлектродное падение потенциала α (10-40 В) Высокая плотность
- 25. Плазмотроны Плотность теплового потока ~
- 26. Дуговые источники плазмы Дуоплазмотрон Дуга 1200 А, 90 В, 5 мс
- 27. Плазменные пушки (АМБАЛ) Начальная плазма АМБАЛ 1013 см-3, 20 см, 1.5 Тл Кольцевая плазменная пушка плотность
- 28. Плазменные пушки (ГДЛ) Начальная плазма АМБАЛ 4*1013 см-3, 11 см, 0,22 Тл, пробки 15 Тл Плазменная
- 29. Система создания начальной плазмы (ГОЛ-3) ЗАДАЧИ Создание начальной ионизации и организация встречного тока в 12-метровой металлической
- 30. Конструкция источника плазмы Перенос приемника пучка в область расширителя с пониженным магнитным полем Использование электродов, расположенных
- 32. Скачать презентацию