Содержание отчета о НИР

Содержание

Слайд 2

Цель работы

Целью работы является разработка конструкции и технологии изготовления фотоприемных модулей спектрального

Цель работы Целью работы является разработка конструкции и технологии изготовления фотоприемных модулей
диапазона от 1300 до 1600 нм двух типов для применения в анализаторах оптических сигналов, телекоммуникационных и радиофотонных системах с последующей организацией производства.

2

Тип 1 (радиофотоника)

Тип 2 (анализаторы)

Слайд 3

Рабочая группа по проекту

3

От ЦК НТИ «Фотоника»:
Журавлев А.А. – главный конструктор проекта (руководитель проекта)

Рабочая группа по проекту 3 От ЦК НТИ «Фотоника»: Журавлев А.А. –

От Университета ИТМО:
Бугров В.Е. – научный руководитель проекта в части работ университета ИТМО
Карачинский Л.Я. – заместитель научного руководителя проекта в части работ Университета ИТМО
Колодезный Е.С. ‒ координатор проекта
От ПАО «ПНППК»:
Игнатенко Е.А. ‒ зам. руководителя проекта по подготовке производства
От ООО «Инверсия-Сенсор»:
Оглезнев А.А. – представитель заказчика продукции проекта
От ПГНИУ:
Пономарев Р.С. ‒ куратор проекта от ПГНИУ

Слайд 4

Особенности изготовления фотодетекторов

Использование фосфида индия InP в качестве подложки (InGaAs – основной

Особенности изготовления фотодетекторов Использование фосфида индия InP в качестве подложки (InGaAs –
материал активных областей)
Структура p-i-n для обеспечения эффективного фотопоглощения
Работа в спектральном диапазоне 1300-1600 нм
Планарная технология изготовления кристаллов

Тип 1 (радиофотоника)

Тип 2 (анализаторы)

Общие особенности

Различия

Отличия в толщине фотопоглощающего слоя и процессах фотолитографии (мезовая и безмезовая конструкции)
Структура p-i-n для обеспечения фотодетектирующих свойств
Отличия в параметрах темнового тока и полосы пропускания
Различные технологические маршруты

4

Слайд 5

International Students and Scholars Rock

Целевые технические характеристики

* - характеристики 1 тип/2 тип

International Students and Scholars Rock Целевые технические характеристики * - характеристики 1 тип/2 тип фотодетектора 5
фотодетектора

5

Слайд 6

International Students and Scholars Rock

Календарный план ОКР

6

International Students and Scholars Rock Календарный план ОКР 6

Слайд 7

International Students and Scholars Rock

Календарный план ОКР

7

International Students and Scholars Rock Календарный план ОКР 7

Слайд 8

International Students and Scholars Rock

Ключевые технологии

Состав изделия

Эпитаксия полупроводниковых твердых растворов (предпочтение –

International Students and Scholars Rock Ключевые технологии Состав изделия Эпитаксия полупроводниковых твердых
МПЭ)
Планарные технологии кристального производства
Монтаж кристалла на плату
Стыковка оптического волокна
Корпусирование и герметизация

Оптическое волокно
Кристалл фотодиода
Электрический СВЧ разъем
Кристаллодержатель
Охлаждающий элемент
Печатная плата
Корпус;
Средства сборки (материалы).

Фотография фотоприемника на 850 нм

8

Слайд 9

International Students and Scholars Rock

Содержание отчета о НИР

Аналитический обзор современной научно-технической, нормативной,

International Students and Scholars Rock Содержание отчета о НИР Аналитический обзор современной
методической литературы
Типы фотоприемников
Физические свойства используемых материалов
Анализ конструктивных решений для изготовления гетероструктуры, кристалла и модуля
Применения фотоприемников
Сравнительная оценка эффективности направлений исследований
Конструктивные решения для фотоприемников
Конструктивные решения для гетероструктуры (материалы, технологии, p-n-переход)
Конструктивные решения для кристалла (планарные технологии, конструкция, технологический маршрут)
Конструктивные решения для модуля (оптика, СВЧ, корпусирование)

8

Слайд 10

International Students and Scholars Rock

Содержание отчета о НИР

Математические модели для проведения расчетов

International Students and Scholars Rock Содержание отчета о НИР Математические модели для
оптических и электрических параметров фотоприемников
Модель расчета спектральной фоточувствительности полупроводникового кристалла
Модель расчета оптического пропускания просветляющих покрытий полупроводникового кристалла
Модель расчета эффективности схемы оптической стыковки полупроводникового кристалла и оптического волокна
Модель расчета темнового тока полупроводникового кристалла
Модель расчета полосы пропускания полупроводникового кристалла
Модель расчета согласования волновых сопротивлений составных элементов фотоприемника
Расчеты, подтверждающие работоспособность предложенных конструктивных решений для фотоприемников
Отчет о патентных исследованиях

8

Слайд 11

International Students and Scholars Rock

Результаты за 1 и 2 квартал 2021 года

Планы

International Students and Scholars Rock Результаты за 1 и 2 квартал 2021
на 3 и 4 кварталы 2021 года

Подготовлено ТЗ на НИР
Начата НИР (конструктивные решения, расчеты)
Подготовлено 20 бакалавров и магистров по соответствующему профилю (защищены выпускные работы)
Подготовлено ТЗ на ОКР и календарный план
Определена рабочая группа по проекту

Подготовлен отчет о НИР
Подготовлен отчет о проведении патентных исследований
Подготовлены эскизные проекты на фотоприемники 2-х типов

9

Имя файла: Содержание-отчета-о-НИР.pptx
Количество просмотров: 49
Количество скачиваний: 0