Транзисторы. Применение

Содержание

Слайд 2

Изобретен

У. Шокли, У. Браттейн, Дж. Бардин

Изобретен У. Шокли, У. Браттейн, Дж. Бардин

Слайд 3

Транзистор

от сочетания английских слов:
transfer – переносить,
resistor – сопротивление.
- полупроводниковый

Транзистор от сочетания английских слов: transfer – переносить, resistor – сопротивление. -
прибор, состоящий из трех полупроводников типов p,n,p или n,p,n.

Слайд 4

Транзистор предназначен
для усиления электрического тока и управления им.
Для создания транзисторов используют

Транзистор предназначен для усиления электрического тока и управления им. Для создания транзисторов используют германий и кремний
германий и кремний

Слайд 5

Пластинку транзистора называют базой (Б), одну из областей с противоположным типом проводимости

Пластинку транзистора называют базой (Б), одну из областей с противоположным типом проводимости
– коллектором (К), а вторую – эмиттером (Э).

Слайд 6

Необходимы условия для работы транзистора
Толщина базы

средней длины свободного пробега, попадающих в

Необходимы условия для работы транзистора Толщина базы средней длины свободного пробега, попадающих
нее носителей (10 мкм)

<

Концентрация основных носителей в базе

концентрации основных носителей в эмиттере

<<

1

2

Слайд 7

Германиевый транзистор p–n–p-типа

небольшая пластинка из германия с донорной примесью (индий), т. е. из

Германиевый транзистор p–n–p-типа небольшая пластинка из германия с донорной примесью (индий), т.
полупроводника n-типа. В этой пластинке создаются две области с акцепторной примесью, т. е. области с дырочной проводимостью.

Слайд 8

В транзисторе n–p–n-типа

основная германиевая пластинка обладает проводимостью p-типа, а созданные на

В транзисторе n–p–n-типа основная германиевая пластинка обладает проводимостью p-типа, а созданные на
ней две области – проводимостью n-типа.

Слайд 9

Между полупроводниками образуются два р-n- перехода, прямые направления которых противоположны

Эмиттерный переход

Между полупроводниками образуются два р-n- перехода, прямые направления которых противоположны Эмиттерный переход
– переход между эмиттером и базой
Коллекторный переход - переход между базой и коллектром

Слайд 10

Эмиттер

Коллектор

Прямой
переход

Обратный
переход

В кристалле образуются два р-n- перехода, прямые направления которых противоположны

Эмиттер Коллектор Прямой переход Обратный переход В кристалле образуются два р-n- перехода,

База - управляющий электрод

Слайд 11

Обозначение на схеме

Основа действия

Изменение сопротивления в цепи
«База-Коллектор»

Обозначение на схеме Основа действия Изменение сопротивления в цепи «База-Коллектор»

Слайд 12

На эмиттерный переход подают прямое напряжение U1,
то Е ↓,
переход работает

На эмиттерный переход подают прямое напряжение U1, то Е ↓, переход работает
в прямом направлении,
I велик

+

-

Слайд 13

Под влиянием U2 поле коллекторного перехода Ек ↑
т.к.Rк велико, то
при отключенном

Под влиянием U2 поле коллекторного перехода Ек ↑ т.к.Rк велико, то при
Э Iк ? 0

+

-

Слайд 14

При создании U между Э и Б основные носители полупроводника Р- типа

При создании U между Э и Б основные носители полупроводника Р- типа
– проникают в Б, где они уже неосновные носители заряда
Толщина Б мала, e мало. почти не объединятся с e и переходят в К за счет диффузии

Э

К

Б

P

P

n

Неосновные носители заряда

в К дырки увлекаются ЭП

5% дырок рекомбинируют с e базы

-

Основные носители заряда

Слайд 15

Убыль e в Б компенсируется их поступлением с отрицательного полюса источника U1.

Убыль e в Б компенсируется их поступлением с отрицательного полюса источника U1.
В цепи Б возникает слабый I.
Убыль о в Э компенсируется уходом e на положительный полюс.
, поступающие в К, рекомбинируют с e, приходящими с отрицательного полюса источника U2

Слайд 16

Под влиянием внешних U1, U2, в цепи Б и К возникают непрерывные

Под влиянием внешних U1, U2, в цепи Б и К возникают непрерывные
токи
Iэ = IБ + Iк
IБ мал ? Iэ ≈ Iк

Слайд 17

Чем больше U1, тем больше дырок достигает коллекторного перехода, тем I коллектора

Чем больше U1, тем больше дырок достигает коллекторного перехода, тем I коллектора
больше. Эмиттерный переход – прямое направление
Незначительное изменение Uэ вызывает большие изменения Iк
Происходит усиление сигнала по мощности

Pнагрузки > Pцепи Э

Слайд 18

Если в цепь Э включить источник слабых эл. колебаний, то это вызовет

Если в цепь Э включить источник слабых эл. колебаний, то это вызовет
колебания I в сопротивлении нагрузки R.
При большом R нагрузки колебания Uрезис >> Uэ ? ? усилительные свойства транзистора по U

Слайд 22

Преимущества

Недостатки

Не потребляют большой мощности
Компактны по размерам и массе
Работают

Преимущества Недостатки Не потребляют большой мощности Компактны по размерам и массе Работают
при более низких напряжениях
Высокой КПД (50%)
Малые размеры
Большая мех. прочность

Большая чувствительность к повышению температуры
Чувствительность к статическому электричеству

Транзисторы

Слайд 23

Применение

Заменяют электронные лампы в электрических цепях
Портативная радиоаппаратура
Цифровая техника
Процессоры

Применение Заменяют электронные лампы в электрических цепях Портативная радиоаппаратура Цифровая техника Процессоры

Слайд 24

Применение

Транзисторы в процессоре, на материнской плате, различных картах расширения и периферийных

Применение Транзисторы в процессоре, на материнской плате, различных картах расширения и периферийных
устройствах реагируют на цифровые сигналы, поступающие от других устройств.
Современный компьютер представляет собой набор электронных переключателей – транзисторов.

Слайд 25

Применение

В зависимости от подаваемого напряжения, транзистор может быть либо открыт, либо закрыт.
При достаточно

Применение В зависимости от подаваемого напряжения, транзистор может быть либо открыт, либо
напряжении транзистор открывается, а мы получаем значение «включен» или "1" в двоичной системе. 
Такое состояние, 0 или 1, назвали «битом».

Слайд 26

Применение

Подключив всего два транзистора определенным образом, можно добиться выполнения сразу нескольких логических

Применение Подключив всего два транзистора определенным образом, можно добиться выполнения сразу нескольких
действий: «и», «или». Комбинация величины напряжения на каждом транзисторе и тип их подключения позволяет получить разные комбинации нулей и единиц.
Имя файла: Транзисторы.-Применение.pptx
Количество просмотров: 38
Количество скачиваний: 0