5 1 Диффузия

Содержание

Слайд 2

В твердом теле диффузия – процесс активируемого температурой перескока атома из одной

В твердом теле диффузия – процесс активируемого температурой перескока атома из одной потенциальной ямы в другую.
потенциальной ямы в другую.

Слайд 3

Законы Фика

j = – D grad N,
= –
= –
=

N

x

dx

x

x+dx

dx

j(x)

j(x+dx)

D(T)

Законы Фика j = – D grad N, = – = –
= Do exp(- E/kT)

[см2/c]

[см-3]

j [см-2/c]

Слайд 4

Диффузия из неограниченного источника примеси

Диффузия из ограниченного источника примеси

j(0,t)=0

j

Ns

Диффузия из неограниченного источника примеси Диффузия из ограниченного источника примеси j(0,t)=0 j Ns

Слайд 5

Диффузия из одной полуограниченной области в другую

Краевые условия
N (-∞,t) = No

Диффузия из одной полуограниченной области в другую Краевые условия N (-∞,t) =
= const
N (∞,t) = 0
Начальные условия
при t =0 и x → +0, N(x,0) → 0
при t =0 и x → -0, N(x,0) → No

 

Слайд 6

Краевые условия
N (-∞,t) = No = const
N (∞,t) = 0
Начальные условия
при

Краевые условия N (-∞,t) = No = const N (∞,t) = 0
t =0 и x → +0, N(x,0) → 0
при t =0 и x → -0, N(x,0) → No

Слайд 7

Диффузия из неограниченного источника примеси

N(x,t) = Ns erfc (x/L)

Диффузия из неограниченного источника примеси N(x,t) = Ns erfc (x/L)

Слайд 8

Диффузия из слоя конечной толщины

суперпозиция двух профилей N1–N2

Диффузия из слоя конечной толщины суперпозиция двух профилей N1–N2

Слайд 9

Диффузия из бесконечно тонкого слоя (точечный источник)

При h → 0 интеграл

Диффузия из бесконечно тонкого слоя (точечный источник) При h → 0 интеграл стремится к
стремится к

Слайд 10

Понятие тонкого и толстого слоя

h > 4L – слой толстый
h

Понятие тонкого и толстого слоя h > 4L – слой толстый h
< L/4 – слой тонкий
Отражающая и связывающая границы
Граница, поток примеси через которую равен 0 – отражающая.
Граница, концентрация примеси на которой равна 0 – связывающая (поглощающая).

Слайд 11

Факторы, влияющие на величину коэффициента диффузии

Температура процесса.
D(T) = Do exp (-

Факторы, влияющие на величину коэффициента диффузии Температура процесса. D(T) = Do exp
E/kT)
Механические напряжения и сопутствующая им повышенная концентрация дислокаций. Вдоль дислокаций диффузия примеси идет во много раз быстрее, чем в бездефектном материале.
Концентрация диффундирующей примеси.
Концентрация фоновой примеси.
Атмосфера, в которой ведется диффузия примеси.
Ориентация кристалла.

Слайд 12

Диффузия из пленок, наносимых на поверхность полупроводника

Пленки металлов, например, Au или Al,

Диффузия из пленок, наносимых на поверхность полупроводника Пленки металлов, например, Au или
нанесенные методом термического испарения. Толщина пленок определяется требуемым количеством примеси, которое должно быть введено в полупроводник.
Слои легированного оксида кремния или легированного поликремния.
Пленки фоторезистов- диффузантов. В этих пленках обычными методами фотолитографии можно сформировать рисунок областей, подлежащих легированию.

Слайд 13

Диффузия в потоке газа-носителя

Твердые источники
БСС (nB2O3∙mSiO2), В2О3
ФСС (nP2O5∙mSiO2)

Газообразные источники
В2Н6 (диборан)
PH3 (фосфин)

Диффузия в потоке газа-носителя Твердые источники БСС (nB2O3∙mSiO2), В2О3 ФСС (nP2O5∙mSiO2) Газообразные

Слайд 14

Диффузия в потоке газа-носителя из жидкого источника

BCl3 и BBr3; PCl3

Барботер

B2O3

Диффузия в потоке газа-носителя из жидкого источника BCl3 и BBr3; PCl3 Барботер B2O3

Слайд 15

Метод параллельного источника

Установка твердых планарных источников и пластин кремния – в кварцевой

Метод параллельного источника Установка твердых планарных источников и пластин кремния – в
кассете:
1 – кварцевая кассета;
2 – твердые планарные источники;
3 – пластины

BN (нитрид бора)

N2, O2

B2O3

Слайд 16

Источники диффузанта

Бор (В)
В2Н6 (диборан); смесь (порядка 5%) с Ar
БСС

Источники диффузанта Бор (В) В2Н6 (диборан); смесь (порядка 5%) с Ar БСС
(nB2O3∙mSiO2), В2О3
2 B2O3 + 3Si → 3Si02 + 4В
ТПИ – BN (нитрид бора)
BCl3 и BBr3
Фосфор (P), мышьяк (As) и сурьма (Sb)
PCl3, оксихлорид фосфора POCl3
PH3 (фосфин); 2 РH3 → 3H2 + 2P
P2O5, ФСС (nP2O5∙mSiO2)
2 Р2О5 + 5Si → 5SiО2 + 4P
Поверхностные источники: ортофосфаты кремния, (NH4)H2PO3, ФСС
ТПИ: нитрид фосфора, фосфид кремния, ФСС, метафосфат алюминия, пирофосфат кремния

Слайд 17

Выбор легирующей примеси

Система энергетических уровней, создаваемых данной группой примесей в запрещенной

Выбор легирующей примеси Система энергетических уровней, создаваемых данной группой примесей в запрещенной
зоне полупроводника.
Все основные донорные и акцепторные примеси в кремнии (элементы V и III групп) имеют Еа≈ 0.06 эВ. Исключением является In: Еа≈0.16 эВ от Еv (используется при создании фотоприемных устройств).
Примеси, имеющие энергетические уровни, расположенные вблизи середины ЗЗ, например, Au, применяются для снижения времени жизни ННЗ.
Предельная растворимость примеси.
Р (1,5·1021 см-3), As (2·1021 см-3), Sb (5·1019 см-3 ).
B (5·1020 см-3), Al (2·1019 см-3).
Величина коэффициента диффузии.
Наибольший коэффициент диффузии D имеет Al. Заметно уступают ему B и P. Очень велики D у Au и О2.
Технологичность. В первую очередь D в Si и SiО2.

Слайд 19

Двух- и трехмерные точечные источники

r - расстояние от источника диффузанта
m=

Двух- и трехмерные точечные источники r - расстояние от источника диффузанта m=
1/2, 1 и 3/2, соответственно, для одно-, двух- и трехмерного источников
В трехмерном случае количество примеси в источнике Q безразмерно,
в двухмерном случае Q [см-1]
(x1,y1,z1) – координаты источника примеси

Слайд 20

Формула Пуассона

N(x,y,z,t) = N(x,t)∙N(y,t)∙N(z,t)

Формула Пуассона N(x,y,z,t) = N(x,t)∙N(y,t)∙N(z,t)

Слайд 21

Диффузия в прямоугольное окно

Диффузия в прямоугольное окно

Слайд 23

Схематическое представление диффузионного очага при локальной диффузии бора в кремний

Схематическое представление диффузионного очага при локальной диффузии бора в кремний

Слайд 24

Отражающая граница

Отражающая граница

Слайд 25

Связывающая (поглощающая) граница

Связывающая (поглощающая) граница

Слайд 26

N0/2 erfc (-x/L)

- N0/2 erfc (x/L)

Диффузия в вакуум

N(x,t) = N0/2 erfc (x/L)

N0/2 erfc (-x/L) - N0/2 erfc (x/L) Диффузия в вакуум N(x,t) = N0/2 erfc (x/L)

Слайд 27

«Разгонка» примеси Многостадийная диффузия

Если Dр tр > 3 Dз tз

Если

«Разгонка» примеси Многостадийная диффузия Если Dр tр > 3 Dз tз Если
Dр tр < Dз tз

характеристическая величина D t = Dз tз + Dр tр

Dр tр = Dр1 tр1 + Dр2 tр2 + … + Dрi tрi

Слайд 28

Диффузия B в Si

Диффузия B в Si