Методика определения среднего размера ансамбля нанокластеров на поверхности подложки при помощи методов РФЭС, ОЭС, ОРР

Содержание

Слайд 2

Нанокластеры Au/ВОПГ

СТМ и ПЭМ изображения нанокластеров Au

Нанокластеры Au/SiO2

50×50 нм2

7×7 нм2

50×50 нм2

7×7 нм2

Нанокластеры Au/ВОПГ СТМ и ПЭМ изображения нанокластеров Au Нанокластеры Au/SiO2 50×50 нм2

Слайд 3




а

б

в

г

СТМ-изображения нанокластеров Au/ВОПГ, сформированных методом ИЛО за N=10 (a), 100 (б),

а б в г СТМ-изображения нанокластеров Au/ВОПГ, сформированных методом ИЛО за N=10
200 (в) и 400 (г) импульсов осаждения. Размер изображений 50×50 нм.

Распределения по диаметрам нанокластеров Au/ВОПГ, полученных ИЛО за N=10 (1), N=100 (2), N=200 (3), N=400 (4) импульсов при концентрации осажденного вещества С=0.9÷25.5 ат.%, построенные по результатам обработки СТМ изображений, нормированные на наиболее вероятное значение диаметра нанокластера dmax.

Слайд 4

ПЭМ изображения нанокластеров Au, полученных магнетронным напылением на поверхность углеродной пленки и

ПЭМ изображения нанокластеров Au, полученных магнетронным напылением на поверхность углеродной пленки и
полученные из них распределения кластеров по размерам [D. Dalacu, E.B. Klemberg-Sapieha, L. Martinu // Surf. Sci. 472 (2001) 33]

Что делать, если изображений нанокластеров нет?

Слайд 5

h

Приближение двумерной формы

суммарная площадь
кластеров

общая площадь
поверхности

степень покрытия
поверхности


hэфф

Интенсивность рассеянных
- Электронов
- Ионов
Фотоэлектронов

hэфф

h Приближение двумерной формы суммарная площадь кластеров общая площадь поверхности степень покрытия
=θh

Слайд 6

Приближение полусферической формы

суммарная площадь
кластеров

общая площадь
поверхности

степень покрытия
поверхности


R=d/2

Приближение полусферической формы суммарная площадь кластеров общая площадь поверхности степень покрытия поверхности SΣ R=d/2

Слайд 7

Приближения:
Ансамбль монодисперсных частиц, то есть полагается, что все частицы абсолютно одинакового

Приближения: Ансамбль монодисперсных частиц, то есть полагается, что все частицы абсолютно одинакового
размера
Не учитывается эффект затенения
Не учитывается зависимость длины свободного пробега электрона (иона) от размера кластеров
Необходимость в дополнительном измерении одного из параметров d (и/или h) и θ

h

hэфф=θh Определяется через ОРР

Слайд 8

Спектроскопия рассеяния медленных ионов.

Классификация методов рассеяния ионов:
- СРМИ (LEIS), Е=0,1 –

Спектроскопия рассеяния медленных ионов. Классификация методов рассеяния ионов: - СРМИ (LEIS), Е=0,1
10 кэВ;
- СРСИ (MEIS)
- СРБИ (HEIS), Е=0,01 – 2 МэВ;
- ОРР (RBS), Е > 2 МэВ

Получаемая информация:
1) Элементный состав поверхности образца (положение линий);
2) Относительная концентрация поверхностных атомов (интенсивность линий);
3) Структура поверхностной решетки (угловые зависимости);
4) Химическое состояние поверхностных атомов (тонкая структура, иногда).
Особенности метода СРМИ: Глубина зондирования один-два атомных слоя поверхности, вследствие:
1) ослабления интенсивности ионного пучка по мере его проникновения вглубь образца вследствие большого сечения рассеяния;
2) увеличения вероятности нейтрализации ионов, рассеянных на глубоких поверхностных слоях.
Историческая справка. Первое применение РМИ для исследования поверхности (1967).

Слайд 9

СРМИ. Кинематический фактор.

знак «+» при рассеянии на тяжелом атоме,
знак «-» при

СРМИ. Кинематический фактор. знак «+» при рассеянии на тяжелом атоме, знак «-»
рассеянии на легком атоме

Учет неупругих потерь энергии – фактор Q:

Сечение рассеяния определяется потенциалом взаимодействия иона и атома-рассеивателя