Содержание
- 2. Процесс распространения инжектированных в базу неосновных носителей заряда от эмиттерного до коллекторного перехода идет диффузионным путем.
- 3. Биполярный транзистор в схеме с общей базой Пусть в эмиттерной цепи от генератора тока в момент
- 4. Затем, также вследствие размытия фронта импульса, коллекторный ток будет спадать до нуля в течение времени t1.
- 5. Будем уменьшать период эмиттерного тока. При некоторой длительности эмиттерного импульса «плоского» участка на коллекторном токе IK=αIЭ
- 7. При дальнейшем уменьшении периода эмиттерного импульса Т начнет уменьшаться амплитудное значение коллекторного тока, поскольку за это
- 8. Чтобы охарактеризовать и ϕα вводится понятие предельной (граничной) частоты усиления по току ωα. Предельная частота –
- 9. Для определения частотной зависимости коэффициента переноса χ(ω) нужно решить уравнение непрерывности. В комплексной форме выражение для
- 10. С учетом этого выражения для граничной частоты ωα соотношение для комплексного значения коэффициента переноса преобразуется к
- 11. Графическая зависимость модуля коэффициента переноса и угла фазового сдвига приведена на следующем рисунке
- 12. Биполярный транзистор в схеме с общим эмиттером Коэффициент передачи эмиттерного тока α и коэффициент передачи базового
- 13. При малой частоте ω (а) (б)
- 14. При значении частоты эмиттерного тока, равной граничной частоте ω = ωα, в схеме с общей базой
- 15. Определим предельную частоту ω усиления по току биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером как частоту
- 16. Частоты ωα и ωβ могут быть выражены через физические параметры транзистора: Величина ωβ ≈ ωα/β, а
- 19. Скачать презентацию