Физические основы вычислительной техники. Цифровая 3D-медицина

Содержание

Слайд 2

Раздел 5: запоминающие устройства (ЗУ).
Рассматриваемые темы:
классификация ЗУ, ПЗУ и ОЗУ;
ячейки памяти

Раздел 5: запоминающие устройства (ЗУ). Рассматриваемые темы: классификация ЗУ, ПЗУ и ОЗУ;
разных типов памяти;
статическая и динамическая оперативная память;

Раздел 5

Слайд 3

Запоминающие устройства
Для хранения результатов вычислений, конфигурационных параметров и пользовательских данных необходимы устройства,

Запоминающие устройства Для хранения результатов вычислений, конфигурационных параметров и пользовательских данных необходимы
позволяющие сохранять и передавать информацию.
Рассматриваем ЗУ на электронных компонентах

Запоминающие устройства

Слайд 4

ЗУ по возможности перезаписи
Постоянные Запоминающие Устройства (ПЗУ, ROM)
Программируемые, стираемые и перезаписываемые ПЗУ

ЗУ по возможности перезаписи Постоянные Запоминающие Устройства (ПЗУ, ROM) Программируемые, стираемые и
(PROM, EPROM и EEPROM)
Оперативные Запоминающие Устройства (ОЗУ: SRAM, SDRAM, DDR SDRAM)

Классификация ЗУ

Слайд 5

ЗУ по энергозависимости

Классификация ЗУ

Запоминающие устройства

Энергозависимые

Энергонезависимые

При отключении питания данные теряются (не моментально)

При отключении

ЗУ по энергозависимости Классификация ЗУ Запоминающие устройства Энергозависимые Энергонезависимые При отключении питания
питания данные не теряются

Слайд 6

ROM – Read Only Memory (ПЗУ)
Постоянное запоминающее устройство – однократно программируемое устройство,

ROM – Read Only Memory (ПЗУ) Постоянное запоминающее устройство – однократно программируемое
создаваемое масочным способом. Запоминающий элемент может быть изготовлен в виде диода, транзистора или плавкой вставки.

ROM

Слайд 10

EPROM

EPROM (Erasable PROM)
Стираемые ПЗУ представляют собой матрицу транзисторов с плавающим затвором. Стирание

EPROM EPROM (Erasable PROM) Стираемые ПЗУ представляют собой матрицу транзисторов с плавающим
производится воздействием ультрафиолета непосредственно на поверхность микросхемы.

Слайд 11

EPROM

EPROM (Erasable PROM)
Чип, стираемый ультрафиолетом (процедура стирания - часы)

EPROM EPROM (Erasable PROM) Чип, стираемый ультрафиолетом (процедура стирания - часы)

Слайд 12

EEPROM

EEPROM (Electrically EPROM)
Электрически стираемые ПЗУ получили широкое распространение благодаря удобству и скорости

EEPROM EEPROM (Electrically EPROM) Электрически стираемые ПЗУ получили широкое распространение благодаря удобству
перезаписи. Теперь для стирания нужен только кратковременный электрический импульс (~10мс). Запоминающий элемент выполнен в виде транзистора с плавающим затвором.

Слайд 14

RAM

RAM (Random Access Memory)
Память с произвольным доступом, содержимое которой стирается после выключения

RAM RAM (Random Access Memory) Память с произвольным доступом, содержимое которой стирается
питания. Предназначена для хранения временных данных, результатов вычисления и т.д., поэтому получила название «оперативная память».
RAM используется когда требуется быстро считывать и записывать данные и EEPROM уже не хватает (в современных реалиях сравнивать RAM и EEPROM не имеет смысла, так как частоты работы RAM значительно выше).

Слайд 15

SRAM

SRAM (Static RAM)
Статическое ОЗУ обладает наибольшим быстродействием и не подвержено деградации хранимых

SRAM SRAM (Static RAM) Статическое ОЗУ обладает наибольшим быстродействием и не подвержено
данных из-за утечек заряда.

Слайд 16

SRAM (пример)

SRAM (пример)

Слайд 17

SRAM (пример)

Статическую ОЗУ также располагают на кристалле рядом с вычислительными ядрами, например,

SRAM (пример) Статическую ОЗУ также располагают на кристалле рядом с вычислительными ядрами,
для имплементации кэша процессора. Другой пример – блоки статической память BRAM (Block RAM) в FPGA, которые могут быть использованы в качестве FIFO, LUT – таблиц поиска или просто как одно- или двухпортовые блоки оперативной памяти.

Слайд 18

DRAM

DRAM (Dynamic RAM)
Динамическая память более компактна с точки зрения количества запоминающих элементов

DRAM DRAM (Dynamic RAM) Динамическая память более компактна с точки зрения количества
на единицу площади (1 транзистор + 1 конденсатор на ячейку), но более медленная и подвержена эффекту утечки заряда, следовательно, для поддержания целостности данных нужно производить регенерацию ячеек (обновление заряда конденсатора)

Слайд 19

DRAM

DRAM
Первоначально DRAM была асинхронной и с ростом частоты работы системы стабильность памяти

DRAM DRAM Первоначально DRAM была асинхронной и с ростом частоты работы системы
падала (Page Mode DRAM, Extended Data Output DRAM). EDO DRAM содержит регистр-защёлку для выходных данных, что обеспечивало конвейеризацию и повышение производительности при чтении.

Слайд 20

SDRAM

SDRAM (Synchronous DRAM)
Синхронизация тактовым сигналом и конвейеризация позволила значительно увеличить стабильность работы

SDRAM SDRAM (Synchronous DRAM) Синхронизация тактовым сигналом и конвейеризация позволила значительно увеличить
памяти на высоких частотах (Single Data Rate SDRAM). Проблемы с задержкой сигнала решались встраиванием малого объёма SRAM внутрь чипа SDRAM для хранения наиболее часто используемых данных (Enhanced SDRAM).

Слайд 21

DDR SDRAM

DDR SDRAM (Double Data Rate SDDRAM)
Защёлкивание данных по обоим фронтам тактового

DDR SDRAM DDR SDRAM (Double Data Rate SDDRAM) Защёлкивание данных по обоим
сигнала и размещение управляющих сигналов и адресов на одной шине позволила повысить пропускную способность памяти в два раза.
Технологии DDR2,3,4… основаны на DDR. Благодаря техническим улучшениям их рабочие частоты выше, а напряжение питания ниже.

https://habr.com/ru/company/kingston_technology/blog/525528/

Слайд 22

Дополнительная литература

Харрис и Харрис, «Основы цифровой схемотехники и архитектура компьютера»

Дополнительная литература Харрис и Харрис, «Основы цифровой схемотехники и архитектура компьютера»
Имя файла: Физические-основы-вычислительной-техники.-Цифровая-3D-медицина.pptx
Количество просмотров: 51
Количество скачиваний: 0