ИФП 1976 год

ИФП :Микроэл.т.5,в.4; 1976 г
Thin Sol.Films,58(1979)
IEEE El.Dev.v.56,N4,Apr.2009
Цитата из статьи:
“We reported the
highest electron mobility (μn) for Ge NMOS in the literature”

Основные идеи А.В.Ржанова, положенные в основу формирования совершенной границы раздела, и выполненные под его руководством работы по созданию МДП – транзистора на основе германия
привели к получению прибора, характеристики которого не могут превзойти даже через 30 лет!
Они до сих пор являются лучшими в мире!

Учёный сосет ИФП СО РАН в 1970 году