Слайд 2Структура доклада:
Введение
2. Экспериментальная часть
3. Результаты и их обсуждения
3.1. Комбинационное рассеяние света
![Структура доклада: Введение 2. Экспериментальная часть 3. Результаты и их обсуждения 3.1.](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/398536/slide-1.jpg)
3.2. Эллипсометрия
4. Выводы
Слайд 31. Введение
Уникальные свойства a-C:H пленок:
- Высокая твердость
- Низкие износ и коэффициент трения
-
![1. Введение Уникальные свойства a-C:H пленок: - Высокая твердость - Низкие износ](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/398536/slide-2.jpg)
Высокое удельное сопротивление
- Большой коэффициент теплопроводности
- Прозрачность в видимом и инфракрасном диапазоне
и т.д.
Применение:
- Формирование диэлектрика МДП-структур
- Катоды на основе автоэлектронной эмиссии
- Теплоотводы в микроэлектронике
- Защитные, просветляющие покрытия для солнечных элементов
и т.д.
Слайд 4Цель работы
Работа была направлена на решение следующих задач:
Осаждение углеродных пленок
![Цель работы Работа была направлена на решение следующих задач: Осаждение углеродных пленок](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/398536/slide-3.jpg)
при различных напряжениях тлеющего разряда
Исследование полученных пленок при помощи спектроскопии комбинационного рассеяния света и эллипсометрии
Выявление зависимости структуры и оптических параметров от условий осаждения
Слайд 5 2. Экспериментальная часть
Условия осаждения
![2. Экспериментальная часть Условия осаждения](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/398536/slide-4.jpg)
Слайд 6Рис.1. Экспериментальная установка.
1 – высоковольтный источник напряжения; 2 – балластное сопротивление; 3
![Рис.1. Экспериментальная установка. 1 – высоковольтный источник напряжения; 2 – балластное сопротивление;](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/398536/slide-5.jpg)
– сосуд с этанолом; 4 – натекатель; 5 – анод; 6 – кварцевая разрядная трубка; 7 – катод; 8 – держатель подложек; 9 – металлический шток; 10 – вакуумная камера; 11 – постоянный магнит; 12 – стеклянная трубка
Слайд 7 Рис. 2. Разрядный промежуток
![Рис. 2. Разрядный промежуток](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/398536/slide-6.jpg)
Слайд 83. Результаты и их обсуждения
3.1. Комбинационное рассеяние света
Для определения структуры и фазового
![3. Результаты и их обсуждения 3.1. Комбинационное рассеяние света Для определения структуры](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/398536/slide-7.jpg)
состава
осажденных углеродных пленок использовалась
спектроскопия комбинационного рассеяния света (КРС).
Современный спектрометр T64000. Производство Horiba
Jobin Yvon.
- длина волны возбуждения падающего излучения – 514,5 нм
- диапазон измерений – 800-2200 см-1
Слайд 9Рис. 3. Спектры КРС пленок, осажденных при напряжениях разряда от 1080 до
![Рис. 3. Спектры КРС пленок, осажденных при напряжениях разряда от 1080 до](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/398536/slide-8.jpg)
1380 В. Давление паров этанола 0,15 торр.
Расстояние катод-подложка 0,2 см
Слайд 10Таблица 1. Изменение положения полос D и G при различных напряжениях разряда
![Таблица 1. Изменение положения полос D и G при различных напряжениях разряда](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/398536/slide-9.jpg)
Слайд 11Рис. 4. Спектры КРС пленок, осажденных при напряжениях разряда 770, 870 и
![Рис. 4. Спектры КРС пленок, осажденных при напряжениях разряда 770, 870 и](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/398536/slide-10.jpg)
960 В. Давление паров этанола 0,15 торр.
Расстояние катод-подложка 0,2 см
Слайд 12Рис. 5. Спектры КРС пленок, осажденных при напряжениях разряда 600 и 680
![Рис. 5. Спектры КРС пленок, осажденных при напряжениях разряда 600 и 680](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/398536/slide-11.jpg)
В. Давление паров этанола 0,15 торр.
Расстояние катод–подложка 0,2 см
Слайд 133.1. Эллипсометрия
Можно ли узнать тенденцию изменения структуры?
Пленка растет послойно или изотропно?
Метод эллипсометрии
![3.1. Эллипсометрия Можно ли узнать тенденцию изменения структуры? Пленка растет послойно или](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/398536/slide-12.jpg)
может подсказать дополнительную информацию о выращенных слоях.
- Толщина
Показатель преломления
Показатель поглощения
Сканирующий лазерный эллипсометр «Микроскан» с He-Ne лазером. Производство ИФП СО РАН
- длина волны - 632,8 нм
- угол падения - 55º
Слайд 14Таблица 2. Результаты эллипсометрических измерений образцов, полученных при напряжениях разряда от 1080
![Таблица 2. Результаты эллипсометрических измерений образцов, полученных при напряжениях разряда от 1080 до 1380 В](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/398536/slide-13.jpg)
до 1380 В
Слайд 15Таблица 3. Результаты эллипсометрических измерений образцов, полученных при напряжениях разряда от 600
![Таблица 3. Результаты эллипсометрических измерений образцов, полученных при напряжениях разряда от 600 до 960 В](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/398536/slide-14.jpg)
до 960 В
Слайд 16Выводы:
Обнаружен рост нанокластеров со структурой колец или коротких цепей в системе углеродных
![Выводы: Обнаружен рост нанокластеров со структурой колец или коротких цепей в системе](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/398536/slide-15.jpg)
sp2-связей структуры.
Образцы, полученные при средних напряжениях (770-960 В), имели высокий люминесцентный фон, что свидетельствует об увеличении содержания водорода в пленках.
Образцы, полученные при высоких напряжениях разряда (1080–1380 В), являются двухслойными, и каждый слой обладает своей толщиной и оптическими параметрами.