Слайд 2 Уравнения состояния в матричной форме
1
Слайд 3 Где [X'(t)] – матрица-столбец производных от токов в индуктивностях и напряжений
в емкостях (n - элементов)
Слайд 4[A] – квадратная матрица коэффициентов при переменных состояния (n – строк и
n – столбцов)
Слайд 5[X(t)] – матрица-столбец переменных состояния (n – элементов)
Слайд 6[F(t)] – матрица-столбец (независимых) источников ЭДС и тока (m – элементов)
Слайд 7[B] – прямоугольная матрица связи, состоящая из коэффициентов перед источниками ЭДС и
тока
(n – строк, m – столбцов)
Слайд 8 Алгебраические уравнения для выходных величин в матричной форме
2
Слайд 9Где [Y(t)] – матрица-столбец выходных величин (k - элементов)
Слайд 10[С] – прямоугольная матрица связи выходных величин с переменными состояния (k –
строк, n – столбцов)
Слайд 11[D] – прямоугольная матрица связи выходных величин с источниками (k – строк,
m – столбцов)
Слайд 13 1. Из расчета схемы до коммутации определяются ННУ
Слайд 14 2. Для схемы после коммутации по законам Кирхгофа составляем уравнения и
2
1
Слайд 15 3. По специальным программам на ЭВМ решаем уравнения и
2
1
и
получаем численные значения для Y(t)
Слайд 18 1. Определяем независимые начальные условия:
Слайд 192. По теореме компенсации заменим реактивные элементы источниками:
индуктивность – источником тока
ёмкость -
источником ЭДС
Слайд 20В полученной схеме определим методом наложения две величины: iC и uL
Слайд 21В соответствии с методом наложения:
Оставляем только один источник, остальные источники ЭДС закорачиваем,
ветви с источниками тока не изображаем.
Слайд 22Первая подсхема:
Определяем токи и напряжения от действия источника тока J.
Слайд 23Вторая подсхема:
Определяем токи и напряжения от действия источника тока iL.
Слайд 24Первая подсхема:
Определяем токи и напряжения от действия источника ЭДС uL.