Разработка сверхвысокочастотного кремниевого переключательного p-i-n - диода

Актуальность работы заключается в осуществлении импортозамещения закупаемых из-за границы электронных компонентов (p-i-n - диодов), используемых в изделиях военного назначения.
Актуальность

Цель данной работы – разработка сверхвысокочастотного кремниевого переключательного p-i-n - диода по соответствующему техническому заданию. Для достижения этой цели необходимо выполнить следующие задачи:
1. Выбор схемы включения диода.
2. Выбор технологии создания полупроводниковой структуры.
3. Выбор конструкции диода в соответствии с техническим заданием.
4. Расчет конструктивных, электрических и тепловых параметров.
5. Сборка полученной полупроводниковой структуры в корпус.
6. Измерение полученной партии диодов на соответствие техническому заданию.
Цели и задачи

Техническое задание

Практическая значимость работы заключается в произведении теоретических расчетов конструктивных параметров p-i-n - диода, которые в дальнейшем послужат основанием для разработки конструкторской документации на изделие и постановки его на производство.
Практическая значимость

P-i-n-диоды — это разновидность диодов, в которых полупроводниковая пластина состоит из сильно легированных p-области и n-области, разделенных слоем сравнительно чистого высокоомного материала. Электрический контакт подводится к двум сильно легированным областям. При нулевом или обратном напряжении смещения такой диод обладает высоким импедансом на СВЧ, в то время как при небольших прямых токах импеданс очень низкий.
Структура p-i-n-диода
Общие сведения

Пример реализации p-i-n-диода в металлокерамическом корпусе
Кристаллы диодов на кремниевой пластине