Содержание
- 2. Содержание Введение Обзор зарубежных исследований по сплавам GeSn Перспективы МЛЭ структуры GeSn/Si Имплантация Ge и Sn
- 3. Введение Современное состояние технологии микроэлектроники: Базовый материал - кремний. Более 95% полупроводниковых устройств создается на основе
- 4. Обзор зарубежных исследований по сплавам GeSn Выращивание когерентных, однородных эпитаксиальных пленок SnxGe1-x/Ge(001) Рис. 1. ПЭМ микрофотографии
- 5. Рис. 4. Зависимость ширины запрещенной зоны в сплаве SnxGe1-x от содержания Sn. Рис. 5. Зависимость пропускания
- 6. 1 НАПРАВЛЕНИЕ Исследование сплавов GeSn: Теория: Сплавы Ge1-xSnx: - имеют прямую запрещенную зону при x -
- 7. 2 НАПРАВЛЕНИЕ Исследование структур (Ge+Sn)/Si: Теория: Существует возможность реализации прямого оптического перехода в системе Si/Ge при
- 8. Методические особенности МЛЭ структуры GeSn/Si
- 9. Рис. 2. Светлопольные ПЭМ микрофотографии от образцов С2 а) 925 °С 60 мин б) 950 °С
- 10. Выводы Сформированные нанокластеры Ge1-xSnx имеют средний размер ~10 нм, поверхност-ную плотность ~4.5×1010 см-2 Формирование нанокластеров Ge1-xSnx
- 11. Методические особенности Имплантация Ge и Sn в SiO2/Si
- 12. Рис.1. Спектр РОР от образцов “A” (a) и “B” (б) после отжига в атмосфере сухого азота
- 13. Рис.3. Изображения электронной дифракции, полученные от образцов “B”, отожженных в атмосфере сухого азота в течение 30
- 14. Выводы Cлои SiO2 содержат нанокластеры Ge и Sn. Средний размер и плотность нанокластеров варьируются в зависимости
- 15. Методические особенности Малые концентрации Sn в МЛЭ слоях Ge/Si
- 16. Рис. 1. ПЭМ микрофотографии образцов структуры (11Å Ge + 2,5% Sn), выращенной при температурах МЛЭ: а
- 18. Скачать презентацию