В.И. ИсаевДисциплина«Интерпретация данных ГИС»МИКРОЗОНДЫ. БОКОВОЙ КАРОТАЖ

Содержание

Слайд 2

Интерпретация диаграмм микрозондов

Интерпретация диаграмм микрозондов

Слайд 3

ПРИНЦИПИАЛЬНАЯ СХЕМА МИКРОЗОНДА

ПРИНЦИПИАЛЬНАЯ СХЕМА МИКРОЗОНДА

Слайд 4

Задачи микрозондирования

1. Определение границ тонких пластов неразрушаемых пород.
2. Регистрация каверн.
3. Выделение пластов-коллекторов.

Задачи микрозондирования 1. Определение границ тонких пластов неразрушаемых пород. 2. Регистрация каверн. 3. Выделение пластов-коллекторов.

Слайд 5

Прибор микрокаротажа МКГ-1
Микрокаротаж
Производится измерение кажущегося электрического сопротивления пластов зондами микрокаротажа

Прибор микрокаротажа МКГ-1 Микрокаротаж Производится измерение кажущегося электрического сопротивления пластов зондами микрокаротажа
(МКЗ), бокового микрокаротажа (МБК), непосредственно в прилегающей к стенкам скважине зоне. Все скважинные приборы микрокаротажа произоводят измерение диаметра скважины микрокаверномером (МКВ).
Измерительные электроды МКЗ (A0.025M0.025N-градиент-зонд, А0.025M-потенциал зонд),
двухэлектродный МБК, расположены на двух башмаках скважинного прибора, прижимаемых к стенке скважины управляемыми рычагами.

Диаметр прибора 110 мм
Диаметр скважины 160 - 340 мм
Давление 120 МП
Температура 150 °С
Длина 4400 м
Масса 125 кг
Скорость записи 1000 м/ч
Диапазон измерений:
микрозонды 0,1…50 Омм
микробоковой 0,5…600 Омм
микрокаверномер 150…400 Омм

Общие технические данные

Микро-
зонды

Микробо-
ковой
зонд

Рычаги микро-
ковернометра

17

ООО Востокгазпромгеофизика

ООО Томскгазпромгеофизика

ГИС в процессе бурения

Слайд 6

МИКРОЗОНДЫ. ВЫДЕЛЕНИЕ ПЛАСТОВ-КОЛЛЕКТОРОВ, ТОНКИХ ПЛАСТОВ, КАВЕРН

МИКРОЗОНДЫ. ВЫДЕЛЕНИЕ ПЛАСТОВ-КОЛЛЕКТОРОВ, ТОНКИХ ПЛАСТОВ, КАВЕРН

Слайд 7

ИНТЕРПРЕТАЦИЯ ДИАГРАММ ФОКУСИРОВАННЫХ ЗОНДОВ (БОКОВОЙ КАРОТАЖ – БК)

ИНТЕРПРЕТАЦИЯ ДИАГРАММ ФОКУСИРОВАННЫХ ЗОНДОВ (БОКОВОЙ КАРОТАЖ – БК)

Слайд 8

Задачи бокового каротажа

Изучение ρп тонких пластов
(h < 1,2 м).
2. Изучение

Задачи бокового каротажа Изучение ρп тонких пластов (h 2. Изучение ρп при
ρп при ρп / ρс > 100.
3. Изучение ρп при ρп / ρвм > 10.
4. Изучение ρп при ρвм / ρс > 10 .

Слайд 9

ОБЛАСТИ ИССЛЕДОВАНИЯ ОБЫЧНЫМИ (а, б) И ФОКУССИРОВАННЫМИ (в) ЗОНДАМИ

ОБЛАСТИ ИССЛЕДОВАНИЯ ОБЫЧНЫМИ (а, б) И ФОКУССИРОВАННЫМИ (в) ЗОНДАМИ

Слайд 10

СХЕМА СЕМИЭЛЕКТРОДНОГО ЗОНДА

ΔUM1N1 = ΔUM2N2 = 0

СХЕМА СЕМИЭЛЕКТРОДНОГО ЗОНДА ΔUM1N1 = ΔUM2N2 = 0

Слайд 11

СХЕМА ТРЕХЭЛЕКТРОДНОГО ЗОНДА

СХЕМА ТРЕХЭЛЕКТРОДНОГО ЗОНДА

Слайд 12

СКВАЖИННЫЙ ПРИБОР КС , БЭЗ И БК (ТРЕХЭЛЕКТРОДНЫЙ ЗОНД)

СКВАЖИННЫЙ ПРИБОР КС , БЭЗ И БК (ТРЕХЭЛЕКТРОДНЫЙ ЗОНД)

Слайд 13

ДИАГРАММЫ ФОКУСИРОВАННЫХ ЗОНДОВ

ДИАГРАММЫ ФОКУСИРОВАННЫХ ЗОНДОВ

Слайд 14

Фокусированные микрозонды

Фокусированные микрозонды
Имя файла: В.И.-ИсаевДисциплина«Интерпретация-данных-ГИС»МИКРОЗОНДЫ.-БОКОВОЙ-КАРОТАЖ.pptx
Количество просмотров: 215
Количество скачиваний: 4