Комплексный подход к проектированию радиационно-стойких аналоговых микросхем
Особенности 1,5 мкм БиПТП- технологии Применение известных конструктивно-технологических способов увеличения радиационной стойкости (полной диэлектрической изоляции, тонкопленочных резисторов, вертикальных p-n-p- транзисторов с тонкой активной базой и др.) приводит к существенному удорожанию ИС. При создании на ОАО «Интеграл» (г. Минск, Беларусь) маршрута изготовления микросхем с биполярными (БТ), полевыми транзисторами с p-n- переходом (ПТП) и проектной нормой 1,5 мкм использован компромиссный подход, ориентированный на одновременное увеличение быстродействия, уменьшение шумов и стоимости, обеспечение радиационной стойкости, а именно: формирование комбинированной изоляции элементов диэлектриком и p+- скрытым слоем для уменьшения площади p-n- переходов и предотвращения «защелкивания» транзисторных структур при радиационном воздействии; Технологический маршрут изготовления радиационно-стойких аналоговых ИС ОАО "МНИПИ", МНТЦ "МикАн» уменьшение всех топологических размеров; уменьшение глубины залегания базовой и эмиттерной областей n-p-n- транзистора и максимальное увеличение концентрации примеси в них; конструктивное исключение соприкосновения областей n+- эмиттера и диэлектрической изоляции для предотвращения тока утечки между коллектором и эмиттером n-p-n- транзистора по окислу; формирование резисторов на сильнолегированных полупроводниковых областях; повышение плотности тока в транзисторных структурах до границы наступления эффектов высокого уровня инжекции. Технологический маршрут изготовления радиационно-стойких аналоговых ИС ОАО "МНИПИ", МНТЦ "МикАн»