Презентации, доклады, проекты без категории

Стабилизаторы напряжения
Стабилизаторы напряжения
Общие черты электромеханических и электронных стабилизаторов Отличия электромеханических стабилизаторов напряжения от электронно-релейных Высокая точность стабилизации Точность стабилизации постоянна Успешно работают с нулевой нагрузкой При работе почти бесшумны Форма напряжения не искажается Высокая скорость отработки возмущения Широкий диапазон стабилизации Малая чувствительность к частоте сети Фазы стабилизируются независимо, стабилизатор устраняет перекос фаз Электромеханические Точность коррекции +/- 1% Высокая скорость обработки возмущения 150 в/сек Высокая перегрузочная способность: 1000% - 2 сек., 400% - 10 сек. и 200% в течение 100 сек. Диапазон входного напряжения 105-333 В (в зависимости от модели) Плавная отработка всплесков/просадок напряжения Электронные Точность коррекции +/- 2,5 % Скорость обработки возмущения 110 в/сек Высокая перегрузочная способность Диапазон входного напряжения 124-300 В (в зависимости от модели) Быстродействие стабилизатора зависит от количества коммутационных элементов Электромеханические стабилизаторы напряжения «Сатурн» Серия 500, 1000 мощностью от 4 кВа до 132кВа Предназначена для обеспечения качественного электропитания: - аудио-видеотехники, - компьютеров, - оргтехники, - бытовой электронной, - медицинского оборудования, - промышленного оборудования, - строительного оборудования
Продолжить чтение
1
1
09. Резонанс. 11. Интерференция волн. Типичная интерференционная картина 12. Дифракция волн. Типичная дифракционная картина. 13. Поляризация света. её применение. 14. Отражение и преломление света. 15. Соотношения неопределенностей Гейзенберга. 16. Квантование момента импульса и орбитали электронов в атомах. Схема уровней атома водорода. ННЗ-6 3-й семестр 3 17. Туннельный эффект, коэффициент прозрачности барьера. 18. Распределение Гиббса (каноническое распределение). Пример. 19. Бозоны. Примеры. Распределение Бозе-Эйнштейна. 20. Типичные ЗД электронного и дырочного ПП при разных температурах. 21. Примеры применения полупроводниковых резисторов. 22. Контактные явления. Типичные ЗД p-n перехода при разных смещениях. Примеры применения ПП диодов. 23. Сверхпроводимость. Влияние на неё температуры и магнитного поля. 24. Лазеры: типы, основные элементы, условия работы. ННЗ-6 3-й семестр 5
Продолжить чтение
Повышение эффективности строительных машин при эксплуатации в климатических условиях Севера и Сибири
Повышение эффективности строительных машин при эксплуатации в климатических условиях Севера и Сибири
Анализ состояния вопроса Количество дней Температура воздуха, 0С Общее количество дней с температурой ниже -10 0С 135 дней График кол-ва дней в году с отрицательной температурой (на примере г. Сургута) Безгаражное хранение техники Плохое обеспечение специальными зимними сортами горюче-смазочных материалов Отсутствие систем тепловой подготовки Изменение характеристик эксплуатационных материалов Изменение теплового режима двигателя Повышенный износ движущихся частей техники Затраты энергетических ресурсов на предпусковую подготовку техники Затраты времени на предпусковую подготовку техники УСЛОВИЯ ЭКСПЛУАТАЦИИ ПОСЛЕДСТВИЯ Удаленность от баз механизации Технологические условия и последствия эксплуатации строительной техники при отрицательных температурах
Продолжить чтение
Мембранный рынок в России и за рубежом.
Мембранный рынок в России и за рубежом.
Сравнение российского и европейского мембранных рынков Объем рынка половолоконной ультрафильтрации По данным компании «Гидротех», закончившей исследование рынка применения технологии половолоконной ультрафильтрации в составе водоподготовительных установок на промышленных объектах (Россия и СНГ), суммарный объем данного сегмента рынка составил 32 $млн. по мембранным модулям (при этом 10 $млн. приходится на долю российских компаний) и 118 $млн. по установкам. В исследование включены установки половолоконной УФ производительностью не менее 10 м3/час В обзор не вошли объекты, на которых используются установки меньшей производительности, а также установки с использованием других вариантов ультрафильтрации: аппаратов типа «фильтр-пресс», аппаратов трубчатого типа и рулонных мембранных модулей.
Продолжить чтение
Комплексный подход к проектированию радиационно-стойких аналоговых микросхем
Комплексный подход к проектированию радиационно-стойких аналоговых микросхем
Особенности 1,5 мкм БиПТП- технологии Применение известных конструктивно-технологических способов увеличения радиационной стойкости (полной диэлектрической изоляции, тонкопленочных резисторов, вертикальных p-n-p- транзисторов с тонкой активной базой и др.) приводит к существенному удорожанию ИС. При создании на ОАО «Интеграл» (г. Минск, Беларусь) маршрута изготовления микросхем с биполярными (БТ), полевыми транзисторами с p-n- переходом (ПТП) и проектной нормой 1,5 мкм использован компромиссный подход, ориентированный на одновременное увеличение быстродействия, уменьшение шумов и стоимости, обеспечение радиационной стойкости, а именно: формирование комбинированной изоляции элементов диэлектриком и p+- скрытым слоем для уменьшения площади p-n- переходов и предотвращения «защелкивания» транзисторных структур при радиационном воздействии; Технологический маршрут изготовления радиационно-стойких аналоговых ИС ОАО "МНИПИ", МНТЦ "МикАн» уменьшение всех топологических размеров; уменьшение глубины залегания базовой и эмиттерной областей n-p-n- транзистора и максимальное увеличение концентрации примеси в них; конструктивное исключение соприкосновения областей n+- эмиттера и диэлектрической изоляции для предотвращения тока утечки между коллектором и эмиттером n-p-n- транзистора по окислу; формирование резисторов на сильнолегированных полупроводниковых областях; повышение плотности тока в транзисторных структурах до границы наступления эффектов высокого уровня инжекции. Технологический маршрут изготовления радиационно-стойких аналоговых ИС ОАО "МНИПИ", МНТЦ "МикАн»
Продолжить чтение
Основные положения проекта рекультивации и закрытия полигона твердых бытовых отходов в Адлерском районе
Основные положения проекта рекультивации и закрытия полигона твердых бытовых отходов в Адлерском районе
Содержание Введение. 1. Краткая справка об объекте. 2. Текущее состояние полигона. 2.1. Топография полигона. 2.2. Проблемы. 3. Этапы работ. 4. Список сооружаемых объектов. 5. Проектные решения по коллектору. 5.1.Основание коллектора. 5.2. Размеры коллектора. 5.3. Дренаж. 5.4. Конструкция коллектора и сопряженной подпорной стенки. 5.5. Конструкция примыкающей подпорной стенки. 6. Обеспечение механической устойчивости свалочных масс. 7. Проектируемое состояние рекультивируемого полигона. 8. Вид рекультивированного полигона ТБО. 9. Работы по планировке поверхности рекультивируемого полигона. 9.1. Срезка грунта. Работы экскаваторами ЭО 7111 и ЭО 4121А. 9.2. Планировка поверхности бульдозером Д-385(засыпка грунта). 9.3. Уплотнение грунта. 10. Перехват поверхностного стока. 11. Финальное перекрытие. 12. Основные пострекультивационные мероприятия. 13. Система сбора и очистки фильтрата. 13.1. Схема расположения вертикальных скважин на полигоне. 13.2. Конструкция газо-, вододренажной скважины. 13.3. Отведение фильтрата. 13.4. Очистные сооружения фирмы «ECOCOM»(Австрия). 14. Дегазация свалочного тела. 14.1. Компремирующее оборудование. 14.2. Технологическая схема дегазации свалочного тела. 15. Основные технико-экономические показатели СГП. 16. Сравнение существующего и проектного видов полигона. Заключение.
Продолжить чтение
Урок по теме « Магнитное поле»
Урок по теме « Магнитное поле»
Первоначальные сведения о магнетизме. История магнита насчитывает свыше 2,5 тыс. лет. В VI в. До н.э. древнекитайские ученые обнаружили минерал, способный притягивать к себе железные предметы. Китайцы назвали его «Чу-ши», что означает «Любящий камень». Есть и другие легенды о названии минерала магнитом.        Пастух по имени Магнус как-то обнаружил, что железный наконечник его посоха и гвозди сапог притягиваются к чёрному камню. Этот камень стали называть камнем Магнуса, или просто магнитом.                                                                              Известно и другое предание, гласящее, что слово магнит произошло от названия местности, где добывали железную руду, — холмы Магнезии в Малой Азии. Об этом упоминал греческий философ и физик Фалес в VI в. до н.э. Таким образом, за много веков до нашей эры было известно, что некоторые каменные породы обладают свойством притягивать куски железа.   Где возникает магнитное поле?
Продолжить чтение
ФОРМИРОВАНИЕ ВОДОРОДНО-ИНДУЦИРОВАННЫХ ДЕФЕКТОВ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ В ТЕХНОЛОГИЯХ МИКРО- И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ
ФОРМИРОВАНИЕ ВОДОРОДНО-ИНДУЦИРОВАННЫХ ДЕФЕКТОВ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ В ТЕХНОЛОГИЯХ МИКРО- И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ
Создание структур кремний-на-изоляторе Перспективность использования структур кремний-на-изоляторе (КНИ) в микроэлектронике Использование для построения аппаратуры с высокой стойкостью к радиационным излучениям, в особенности к воздействию излучения с большой мощностью дозы Диэлектрическая развязка в КНИ приборах препятствует паразитному взаимодействию элементов, групп элементов и подложки, уменьшает число паразитных элементов и приводит к резкому повышению радиационной стойкости к импульсным воздействиям, тепло- и помехоустойчивости схем Развитие КНИ технологий дает начало и созданию высокотемпературных ИС (до 350°С), схем силовой электроники, открывает принципиальные возможности разработки схем трехмерной интеграции Перевод производства традиционных БИС и СБИС массового применения на современные КНИ структуры делает его в 1,5-2 раза более рентабельным, чем производство тех же СБИС на основе подложек монокристаллического кремния. Упрощается конструкция элементов КМОП и КБиКМОП ИС (упраздняются глубокие карманы и разделительные p-n переходы). В результате упрощения конструкции элементов ИС на 30% уменьшается площадь чипов и, соответственно, увеличивается примерно на 30% количество чипов на пластине Формирование КНИ-пластин методом smart-cut 1. Отбор пластин {100} КДБ - 12 ЕТО.035.206ТУ отклонение от плоскостности < 9 мкм прогиб < 40 мкм 2. Создание структур SiO2/Si температуры термообработки 800-1100 °С среда термообработок сухой O2, O2+Н2O толщины окисла на пластинах 20-300 нм 3. Ионная имплантация ионы H2+ дозы имплантации 4-5x1016 ион/см2 ток в пучке 500-600 мкА энергия 80-100 кэВ температура 50 °C Создание структур кремний-на-изоляторе
Продолжить чтение