Спектроскопия упруго-рассеянных электронов на отражение

Интенсивность пика упруго рассеянных электронов
Е0 – энергия электронов;
I0 – ток падающего пучка;
Ie – ток отраженного пучка;
N – концентрация атомов образца;
– дифференциальное сечение упругого
рассеяния электронов на атомах образца;
- длина свободного пробега первичных
электронов с энергией E0 в образце по
отношению к неупругим потерям.

Экспериментальный спектр рассеяния отраженных электронов с энергией E0=500 эВ на поверхности SiO2. На рисунке интенсивность спектра характеристических потерь энергии электронами увеличена в 20 раз по отношению к интенсивности пика упруго-рассеянных электронов.

Дифференциальное сечение упругого рассеяния:
Структурный фактор
Амплитуда рассеяния на атоме
Фактор Дебая-Валлера
атом
ē
ē
φ
Волновой вектор рассеяния

E0=500 эВ

Температура Дебая
Параметр Линдемана
Фактор Дебая-Валлера
Температура плавления
T1<<Т2
а
а
а
а

Структурный фактор
структурный фактор для рассеяния на шероховатой поверхности S(h)
отклонение от гладкой формы поверхности

Методика определение температуры плавления образца по зависимости интенсивности линии упругого пика от температуры.