Запоминающие устройства ПК. Вопросы: Регистровая память. Кэш-память. Основная память. Статическая и динамическая оперативная пам

Содержание

Слайд 2

Уровни памяти / Иерархия ЗУ

Уровни памяти / Иерархия ЗУ

Слайд 3

МПП МП i8088
14 регистров:
Универсальные AX, BX, CX, DX
для временного хранения любых данных
Сегментные

МПП МП i8088 14 регистров: Универсальные AX, BX, CX, DX для временного
CS, DS, SS, ES
для хранения сегментных адресов полей памяти
Смещения IP, SP, BP, SI, DI
для хранения внутрисегментных смещений адресов
Флагов FL

Микропроцессорная память

Упрощённая структурная схема МП

Слайд 4

Триггер

Триггер

Слайд 5

Cache

Кэширование (хеширование) - способ совместного функционирования двух типов запоминающих устройств, отличающихся временем

Cache Кэширование (хеширование) - способ совместного функционирования двух типов запоминающих устройств, отличающихся
доступа и стоимостью хранения данных, который за счёт динамического копирования в «быстрое» ЗУ наиболее часто используемой информации из «медленного» ЗУ позволяет:
с одной стороны, уменьшить среднее время доступа к данным,
а с другой стороны, экономить более дорогую более быстродействующую память.

Слайд 6

Cache memory

Собственно кэш-память - физический конструктив

Cache memory Собственно кэш-память - физический конструктив

Слайд 7

Принцип действия кэш-памяти

Принцип действия кэш-памяти

Слайд 8

Cash Levels

L1, встроен в основное ядро МП
L2, на плате МП / на

Cash Levels L1, встроен в основное ядро МП L2, на плате МП
материнской плате
L2/3, на материнской плате
L3/4, в поле ОП / в модуле ВЗУ

Слайд 9

Запоминающие
устройства ПК.
Вопросы:
Регистровая память. Кэш-память.
Основная память. Статическая и динамическая оперативная память.
Внешние ЗУ.

Запоминающие устройства ПК. Вопросы: Регистровая память. Кэш-память. Основная память. Статическая и динамическая оперативная память. Внешние ЗУ.

Слайд 10

Основная память (ОП)

ОЗУ (RAM, Random Access Memory)
ПЗУ (ROM, Read Only Memory)

Основная память (ОП) ОЗУ (RAM, Random Access Memory) ПЗУ (ROM, Read Only Memory)

Слайд 11

Типы микросхем ОЗУ

SRAM, Static Random Access Memory
DRAM, Dynamic Random Access Memory

Типы микросхем ОЗУ SRAM, Static Random Access Memory DRAM, Dynamic Random Access Memory

Слайд 12

eDRAM

Embedded DRAM -«Встроенная память DRAM»
Скорость сравнима с SRAM
Уменьшение в 3 раза площади

eDRAM Embedded DRAM -«Встроенная память DRAM» Скорость сравнима с SRAM Уменьшение в
поверхности процессора, отводимой под память (сейчас у Intel Core Duo – 60%)
Сокращение в 5 раз энергопотребления в пассивном режиме

Слайд 13

Структурная схема модуля памяти

Структурная схема модуля памяти

Слайд 14

Конструктивы модулей ОЗУ

DIP, Dual In-line Package
SIMM, Single In-line Memory Module
DIMM, Dual In-line

Конструктивы модулей ОЗУ DIP, Dual In-line Package SIMM, Single In-line Memory Module
Memory Module
RIMM™, «Rambus In-line Memory Module»
mobile

__________________________

Слайд 15

Разновидности ОЗУ

SIMM:
FPM DRAM, Fast Page Mode DRAM
RAM EDO, RAM Extended Data Out
BEDO

Разновидности ОЗУ SIMM: FPM DRAM, Fast Page Mode DRAM RAM EDO, RAM
DRAM, Burst Extended Data Output

DIMM:
SDRAM, Syncronous DRAM
DDR 1,2 SDRAM, Double Data Rate SDRAM
RDRAM, Rambus DRAM
DRDRAM, Direct Rambus DRAM
GDDR 1,2,3,4 SDRAM, Graphics DDR
SDR SDRAM

Mobile:
Mobile SDRAM

Слайд 16

Рынок DRAM: $ 28,7млрд.

Рынок DRAM: $ 28,7млрд.

Слайд 17

ПЗУ

Типы ПЗУ по технологии записи:
ПЗУ / ROM – «масочные», программируемые только при

ПЗУ Типы ПЗУ по технологии записи: ПЗУ / ROM – «масочные», программируемые
изготовлении,
ППЗУ / PROM – программируемые однократно в лабораторных условиях,
Перепрограммируемые ПЗУ / Erasable PROM – программируемые многократно.

Слайд 18

Запоминающие
устройства ПК.
Вопросы:
Регистровая память. Кэш-память.
Основная память. Статическая и динамическая оперативная память.
Внешние ЗУ.

Запоминающие устройства ПК. Вопросы: Регистровая память. Кэш-память. Основная память. Статическая и динамическая оперативная память. Внешние ЗУ.

Слайд 19

ВЗУ: внешняя память

ВЗУ: внешняя память

Слайд 20

НЖМД («винчестер») / HDD, hard disk drive

Носитель данных - пакет МД.
Рабочая МД поверхность

НЖМД («винчестер») / HDD, hard disk drive Носитель данных - пакет МД.
разбита на N окружностей (дорожек) от края к центру (в оптических дисках – наоборот!).
Цилиндр – все дорожки одна под другой.
Начало дорожки механически идентифицировано маркером начала оборота.
MBR, main boot record.
Запись и считывание производит блок магнитных головок (МГ).
Резервные цилиндры, для замены дефектных дорожек.
Этапы чтения/записи:
Механический подвод МГ к дорожке (Tmax!)
Ожидание подвода записи (время ротационного запаздывания)
Чтение/запись.
НМД «с коротким ходом».
Физические/Логические диски.

Слайд 21

«Отец» жёстких дисков Рей Джонсон (IBM)

«Отец» жёстких дисков Рей Джонсон (IBM)

Слайд 22

HDD manufacturers

HDD manufacturers

Слайд 23

RAID

Redundant Array of Inexpensive / Independent Disks,
Избыточный (резервный) массив недорогих / независимых

RAID Redundant Array of Inexpensive / Independent Disks, Избыточный (резервный) массив недорогих
дисков
Уровни конфигурации:
RAID 0 «расщепление» дисков, неотказоустойчивый дисковый массив
RAID 1 зеркальный дисковый массив: два диска - зеркальные копии
RAID 2 зарезервирован для массивов, которые применяют код Хемминга
RAID 3, 4, 5 используют чётность для защиты данных от одиночных неисправностей (RAID 5 – с распределёнными контрольными суммами)
RAID 6 используют чётность для защиты данных от двойных неисправностей (с двойной контрольной суммой)

Слайд 24

Поколения дисковых накопителей

DAS, Direct Attached Storage – диски, непосредственно подключаемые к серверам.
SAN,

Поколения дисковых накопителей DAS, Direct Attached Storage – диски, непосредственно подключаемые к
Storage Area Networking – сети хранения, с 1992г.
NAS, Network Attached Storage – диски, подключаемые к сети.
New! NUS, Network Unified Storage – унифицированные сетевые системы хранения.
DAFS, Direct Access File Systems – файловые системы с прямым доступом.
OBS, Object-Based Storage – объектные системы хранения.

Слайд 25

Object-Based Storage

Объект хранения: порция данных.
Средство адресации: метаданные, генерируемые по набору данных.
Впервые на

Object-Based Storage Объект хранения: порция данных. Средство адресации: метаданные, генерируемые по набору
практике
идеи OBS реализованы
в дисковых массивах CAS,
Content Addressable Storage.

Слайд 26

The 2007 Nobel Prize on physics

Лауреатами Нобелевской премии по физике за

The 2007 Nobel Prize on physics Лауреатами Нобелевской премии по физике за
2007 год стали французский физик Альберт Ферт (Albert Fert), работающий в университете Université Paris-Sud, и немецкий физик Петер Грюнберг (Peter Grünberg) из института Forschungszentrum Jülich.
Пресс-релиз нобелевского комитета, посвященный новым лауреатам, озаглавлен «Нанотехнологии позволили создать чувствительные считывающие головки компактных жестких дисков» (Nanotechnology gives sensitive read-out heads for compact hard disks)
В 1988 году Альберт Ферт (р. 1938г.) и Петер Грюнберг (р. 1939г.) независимо открыли новый квантово-механический эффект - «гигантское магнетосопротивление» (Giant Magnetoresistance or GMR). В системах GMR слабое изменение намагниченности дает большую разницу электрического сопротивления. В 1997 году были разработаны первые считывающие головки, основанные на использовании эффекта GMR. Благодаря открытию физического эффекта «гигантского магнетосопротивления» стала возможной радикальная минитюаризация жестких дисков. Разработанные на основе открытия чувствительные считывающие головки сделали возможным создание современных жестких дисков, которые используются повсеместно – в ноутбуках, музыкальных плеерах и других компактных устройствах. Сегодня такие жесткие диски уже стали стандартной технологией.






Слайд 27

CD vs DVD

CD vs DVD

Слайд 29

vs война окончена…

vs война окончена…

Слайд 30

HVD - голографические оптические диски

HVD - голографические оптические диски

Слайд 31

Flash

Метал-нитридные микросхемы памяти
Тотальное стирание блоков (flash!)
Количество циклов перезаписи > 1 млн.
MTBF >

Flash Метал-нитридные микросхемы памяти Тотальное стирание блоков (flash!) Количество циклов перезаписи >
1 000 000 часов?
tраб от -40 до +800C
Скорость считывания 1..10 Мбайт/с

Слайд 32

Гибриды HDD+Flash

HSA, Hybrid Storage Alliance:
Hitachi, Seagate, Fujitsu, Samsung, Toshiba
«Robson»:
Intel

Гибриды HDD+Flash HSA, Hybrid Storage Alliance: Hitachi, Seagate, Fujitsu, Samsung, Toshiba «Robson»: Intel

Слайд 33

SSD-накопители

SSD-накопители

Слайд 34

Перспективные типы памяти

MRAM, Magneto-resistive RAM
FRAM, Ferroelectric RAM
NRAM, Nanotube | Non-volatile RAM
OUM, Ovonic

Перспективные типы памяти MRAM, Magneto-resistive RAM FRAM, Ferroelectric RAM NRAM, Nanotube |
Unified Memory
PCM/PRAM

Слайд 35

PRAM

Phase Change Random Access Memory | Память на основе фазовых состояний

PRAM Phase Change Random Access Memory | Память на основе фазовых состояний
Имя файла: Запоминающие-устройства-ПК.-Вопросы:-Регистровая-память.-Кэш-память.-Основная-память.-Статическая-и-динамическая-оперативная-пам.pptx
Количество просмотров: 230
Количество скачиваний: 1