Проскальзывание фазы, поглощение электромагнитного излучения и формирование отклика в детекторах на основе узких полосок сверхп

Структура диссертации
Гл. 1 - обзорная
Гл. 2. Теоретический анализ работы сверхпроводникового детектора на кинетической индуктивности
Гл. 3. Проскальзывание фазы в диффузной сверхпроводящей нанопроволоке
Гл. 4. Оптимизация сверхпроводникового однофотонного детектора

Глава 2
Теоретический анализ работы сверхпроводникового детектора на кинетической индуктивности
Поглощение электромагнитного излучения и формирование индуктивного отклика в «грязном» одномерном сверхпроводнике в присутствие тока, сравнимого с током распаривания

Эквивалентная схема детектора на кинетической индуктивности
Заданный ток смещения Ib распределяется между двумя ветвями сверхпроводящей петли. Изменение кинетической индуктивности детектора δLk, приводит к изменению тока через правую ветвь на δI, Соответствующее изменение магнитного потока регистрируется СКВИДом. При условии, что индуктивность правой ветви Ls, много больше индуктивности кинетической индуктивности детектора Lk , отклик магнитного потока есть
ћω
δΦ=IbδLk

Эквивалентная схема детектора на кинетической индуктивности
Заданный ток смещения Ib распределяется между двумя ветвями сверхпроводящей петли. Изменение кинетической индуктивности детектора δLk, приводит к изменению тока через правую ветвь на δI, Соответствующее изменение магнитного потока регистрируется СКВИДом. При условии, что индуктивность правой ветви Ls, много больше индуктивности кинетической индуктивности детектора Lk , отклик магнитного потока есть
ћω
δΦ=IbδLk
Поскольку малость отклика составляет одну из главных проблем, интересны большие токи

Длинный одномерный сверхпроводник
a
L>>ξ(T)
Низкая температура
Т~Tc−T
Al: ξ=200 нм
NbN: ξ=4 нм
MoRe: ξ=15 нм
Тонкие плёнки
Критерий
одномерности
ξ в реальных образцах

Поглощение в сверхпроводнике в бестоковом случае
Отклик кинетической индуктивности при низкой температуре в бестоковом случае

Спектральные функции
g – «параметр распаривания», фигурирующий в уравнении Узаделя и определяющий влияние сверхтока на спектральные функции
g
J/Jc

Исходные уравнения
Состояние грязного сверхпроводника в методе Узаделя описывается матричной квзиклассической функцией Грина
.
.
Компоненты
представляют собой матрицы в пространстве Намбу
,
Уравнение Узаделя:
Градиентные члены устранены калибровочным преобразованием. Это возможно благодаря пространственной однородности задачи

Электрон-фотонный источник
Член источника получается из келдышевой части уравнения Узаделя
Монохроматический сигнал
f – функция распределения квазичастиц
в термодинамическом равновесии, fL=tanh(E/2T)

Электрон-фотонный источник
В линейном по поглощаемой мощности приближении, функции распределения и когерентные факторы в члене источника – равновесные
Нормированная на скорость электрон-фотонных столкновений функция источника, рассчитанная
для различных значений параметра распаривания g. Положено ω0=5Δ, Т=0.
Пунктир соответствует нормальному металлу.

Вычисление когерентных факторов
Запаздывающее уравнение Узаделя
Уравнение самосогласования
Ф - параметризация

Линеаризованные кинетические уравнения
Линейное приближение:
,
,
,
- равновесные функции распределения квазичастиц и фононов,
Линеаризованное кинетическое уравнение для квазичастиц

Линеаризованное кинетическое уравнение для фононов
где
- скорость поглощения фононов с порождением квазичастиц,
- скорость ухода фононов в подложку
Выражение для кинетической индуктивности
Линеаризованные кинетические уравнения
и его линеаризация

Результаты численных расчётов
Функции распределения неравновесных квазичастиц, рассчитанные численно при нескольких
значениях параметра распаривания g. Пунктирные кривые
соответствуют режиму ``фононного термостата'', сплошные кривые -
режиму ``эффективно запертых фононов''

Результаты численных расчётов
Функции распределения неравновесных фононов, рассчитанные
численно при тех же значения параметра распаривания g, что и
неравновесные функции распределения квазичастиц на предыдущем рисунке

Результаты численных расчётов
Нормированный отклик детектора на кинетической индуктивности как функция тока смещения. Кривая 1 - предел ''фононного термостата'', кривая 2 - предел ''эффективно запертых фононов''

Глава 3
Проскальзывание фазы в диффузной сверхпроводящей нанопроволоке
Микроскопическое рассмотрение задачи о флуктуационном проскальзывании фазы параметра порядка в «грязном» одномерном сверхпроводнике

Длинный одномерный сверхпроводник
a
L>>ξ(T)
Низкая температура
Т~Tc−T
Al: ξ=200 нм
Эффективная размерность образца зависит от температуры!
NbN: ξ=4 нм
MoRe: ξ=15 нм
Тонкие плёнки
Критерий
одномерности
ξ в реальных образцах

Затухание тока в кольцевом 1D сверхпроводнике
J
Ток в кольце квантуется

Затухание тока в кольцевом 1D сверхпроводнике
J
J
Ток в кольце квантуется
Параметр порядка должен претерпеть топологическое превращение

Проскальзывание фазы
W.A. Little, Phys. Rev. 156, 396 (1967)

Оценка порога
I
ξ

Оценка порога
I
I
ξ

Мотивация
2000-e
1970-e
d≈1 мкм

Первые эксперименты
J.E. Lukens, R.J. Warburton, W.W. Webb, Phys. Rev. Lett. 25 (1970) 1180
Зависимость R(T) для оловянного вискера. Точки – данные эксперимента, пунктирная кривая – теория ЛАМГ

Пример похожих современных измерений на нанопроволоке
Зависимости R(T ) для α:InO нанопроволоки шириной 100 нм и для аналогичным образом изотовленной плёнки шириной 500 мкм.
Вставка: Изображение типичного образца, полученное на сканирующем электроном микроскопе.
A. Johansson, G. Sambandamurthy, D. Shahar, N. Jacobson, R. Tenne, Phys. Rev. Lett. 95 (2005) 116804

Теоретические работы последних 15 лет, посвящённые флуктуационному проскальзыванию фазы
D.S. Golubev, A.D. Zaikin, Phys. Rev. B 64, 014504 (2001)
D.S. Golubev, A.D. Zaikin, Phys. Rev. B 78, 144502 (2008)
A. Zharov, A. Lopatin, A.E. Koshelev et al., Phys. Rev. Lett. 98, 197005 (2007)
A.D. Zaikin, D.S. Golubev, A. van Otterlo, and G.T. Zimanyi, Phys. Rev. Lett. 78, 1552 (1997)
A.D. Zaikin, D.S. Golubev, A. van Otterlo, and G.T. Zimanyi, Usp. Fiz. Nauk 168, 244 (1998)
Оценка частоты QPS при T=0
Учёт взаимодействия между QPS
Коррекция результата Маккамбера-Гальперина для частоты TAPS
Микроскопическое вычисление δF для 1D чистого случая

Однако, до настоящего времени не было проведено расчетов зависимости барьера свободной энергии от тока и магнитного поля для наиболее важного для практических применений случая диффузной нанопроволоки, находящейся при произвольной по сравнению с Tc температуре.

Приближение «седловой точки»
T<< δF

Решение Ланжера-Амбегаокара
,
J.S. Langer and V. Amegaokar, Phys. Rev. 164, 498 (1967)
1-е уравнение ГЛ
граничные условия
I=0
I≠0

Результаты Ланжера-Амбегаокара
(в пределе нулевого тока)
J.S. Langer and V. Amegaokar, Phys. Rev. 164, 498 (1967)
Задача о проскальзывании фазы рассмотрена в рамках теории Гинзбурга-Ландау

Уравнение Узаделя для проскальзывания фазы
G и F – мацубаровские функции Грина; G2+|F|2=1
Δ – координатно-зависимый комплексный параметр порядка
ω=(2n+1)πT – мацубаровская частота
(T – температура, n – неотрицательное целое число)
ps∞ – сверхтекучий импульс на бесконечности
D – коэффициент диффузии
Tc – критическая температура
Граничные условия
ℓ <

Вычисление порога свободной энергии
.
Узаделевское выражение для свободной энегргии

Вычисление порога свободной энергии
.
Узаделевское выражение для свободной энергии

Зависимость порога свободной энергии от тока
Зависимость порога свободной энергии от тока δF(Js) при H=0. Сплошные кривые - численный расчёт, пунктир с точками - теория Гинзбурга-Ландау. Свободная энергия нормирована на характерный масштаб энергии конденсации N0Δ3/2D1/2

Зависимость порога свободной энергии от магнитного поля
Зависимость порога свободной энергии от магнитного поля δF(B) при Js=0. Сплошные кривые - численный расчёт, пунктир с точками - теория Гинзбурга-Ландау. Свободная энергия нормирована на характерный масштаб энергии конденсации N0Δ3/2D1/2

Аналитическое решение вблизи критического поля
При Г→Гс удаётся свести уравнение Узаделя к замкнутому уравнению для параметра порядка, аналогичному уравнению теории Гинзбурга-Ландау
Критическое магнитное поле (Т<
Для сравнения, ГЛ
(бестоковый случай)
Параметр Γ описывает влияние магнитного поля и определяется как

Аналитическое решение вблизи критического поля
,
Решение для «седловой точки»
.
,
Порог свободной энергии

Глава 4
Моделирование формы отклика SSPD
Оптимизация сверхпроводникового однофотонного детектора (SSPD)
Исследование возможности применения SSPD, разрешающего число фотонов, в телекоммуникационных линиях

Сверхпроводниковый однофотонный детектор
Полоска из NbN
w=100 нм
d=4 нм
T=2..4 К
I=0.7..0.95 Ic

Механизм работы
Поглощение фотона, размножение неравновесных квазичастиц
Подавление параметра порядка, перераспределение сверхтока, превышение критической плотности тока
Джоулев нагрев, эволюция резистивного участка – регистрация импульса напряжения

Механизм работы
Поглощение фотона, размножение неравновесных квазичастиц
Подавление параметра порядка, перераспределение сверхтока, превышение критической плотности тока
Джоулев нагрев, эволюция резистивного участка – регистрация импульса напряжения

Влияние кинетической индуктивности на длительность оклика
Длительность импульса определяется в основном временем восстановления тока
совпадает с извлеченным из τfall

Электротермическая модель
U0
RL
Lk
U
I = Is+In
Te, E
x

Константы
Температура термостата Т0=4.2 К
Критическая температура Тс=10 К
Эффективная длина когерентности ξ=7.5 нм
Постоянная Зоммерфельда γ=240Дж/(K2м3)
Толщина плёнки 3 нм
Ширина полоски 100 нм
Сопротивление плёнки на квадрат в нормальном состоянии Rn=700 Ом
Рабочий ток I=20 мкА
Крит. ток при 4.2 К Ic=25 мкА

Зависимость температуры электронной подсистемы от времени и координаты
L=500 nH
R0=108 Ohm
Ic=25 mA
I=20 mA
Зависимость электрического поля и параметра порядка от времени и координаты
x
t
T
x
t
Результаты моделирования

Зависимость температуры электронной подсистемы от времени и координаты
Зависимость электрического поля и параметра порядка от времени и координаты
L=5 nH
R0=108 Ohm
Ic=25 mA
I=20 mA
x
t
T
x
t
Результаты моделирования

Измерения на образцах с малой кинетической индуктивностью
τfall~Lk~N−2
τR~100 пс

Сверхпроводниковый однофотонный детектор, разрешающий число фотонов, как приёмник в телекоммуникационной линии
Доля ошибочных битов
Nabs=QE×N
V~Nabs
0: QE×n
1: QE×N
BER=BER1→0+ BER0→1
BER= BER(N,n,Nd)
QE=0.1, BER=10-11, 10 log(n/N)=-18
N=250

Положения, выносимые на защиту по результатам гл.2
Поглощение энергии высокочастотного электромагнитного поля в диффузном сверхпроводнике может быть полностью описано в рамках метода Келдыша-Узаделя. Получающийся при этом интеграл электрон-фотонных столкновений является обобщением результата теории Элиашберга на случай произвольного вида когерентных факторов.
Максимальный отклик сверхпроводникового детектора на кинетической индуктивности на основе узкой и длинной сверхпроводящей полоски достигается при величине тока смещения, сравнимого с током распаривания. Положение максимума определяется конкуренцией между ростом тока и кинетической индуктивности полоски и уменьшением относительной величины отклика кинетической индуктивности из-за сокращения времени рекомбинации квазичастиц.

Положения, выносимые на защиту по результатам гл.3
Зависимости порога свободной энергии для процесса проскальзывания фазы в одномерном диффузном сверхпроводнике от магнитного поля и тока во всём диапазоне температур качественно сходны с получающимися в пределе высоких температур в рамках теории Гинзбурга-Ландау; количественное отличие составляет приблизительно два раза в пределе низких температур, малых токов и магнитных полей, и уменьшается с ростом этих параметров.
В окрестности критического магнитного поля состояние одномерной диффузной нанопроволоки может быть описано замкнутым уравнением для параметра порядка типа уравнения Гинзбурга-Ландау, следующим из уравнений микроскопической теории как их предельный случай.

Положения, выносимые на защиту по результатам гл.4
Уменьшение кинетической индуктивности сверхпроводникового однофотонного детектора до величин менее 5 нГн позволяет достичь длительностей отклика, обусловленных собственной динамикой образованного после поглощения фотона резистивного состояния.

Спасибо за внимание!

Поиски QPS
Superconducting transitions of ‘‘long’’ MoGe nanowires on top of an insulating carbon nanotube used as the substrate. The samples’ normal state resistances and lengths are
1: 14.8 kΩ, 135 nm; 2: 10.7 kΩ, 135 nm; 3: 47 kΩ, 745 nm; 4: 17.3 kΩ, 310 nm;
5: 32 kΩ, 730 nm; 6: 40 kΩ, 1050 nm;
7: 10 kΩ, 310 nm; 8: 4.5 kΩ, 165 nm. Symbols stand for calculations with the single numerical coefficient A = 0.7. The critical temperature TC and the dirty-limit coherence length ξ(0) used as fitting parameters for samples 3–8 are
3: 5.0 K, 8 nm; 4: 6.4 K, 8.5 nm; 5: 4.6 K, 8.9 nm; 6: 4.8 K, 8.9 nm; 7: 5.6 K, 11.9 nm; 8: 4.8 K, 8.5 nm
A. Bezryadin, C.N. Lau, M. Tinkham, Nature 404 (2000) 971

Удобное калибровочное преобразование
ψ
x

Удобное калибровочное преобразование
ψ
ψ
x
x