Что такое «нанотехнологии»???

Содержание

Слайд 2

Федеральная целевая программа «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса

Федеральная целевая программа «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса
России на 2007-2012 гг»

Приоритетные направления:
Живые системы
Индустрия наносистем и материалы
Информационно-телекоммуникационные системы
Рациональное природопользование
Энергетика и энергосбережение

Безопасность и противодействие терроризму
Перспективные вооружения, военная и специальная техника

Слайд 3

Полупроводниковые нанотехнологии:
революция света

Полупроводниковые нанотехнологии: революция света

Слайд 4

Полупроводниковые квантовые точки: «искусственные атомы»

кв. точка

смачивающий слой

широкозонная матрица

NQD ~ 5x1010 cm-2
Size

Полупроводниковые квантовые точки: «искусственные атомы» кв. точка смачивающий слой широкозонная матрица NQD
~ 10x10x5 nm

Слайд 5

Электроны

Фотон

Квантовая яма или квантовая точка

Зона проводимости

Валентная зона

Межзонный переход

Дырки

Полупроводниковые наноструктуры:
квантовые ямы, квантовые точки

Электроны Фотон Квантовая яма или квантовая точка Зона проводимости Валентная зона Межзонный
и др.

квантовые точки – это «искусственные атомы»

Слайд 6

Полупроводниковые наноструктуры:
создание и изучение

Молекулярно-пучковая и газофазная эпитаксия
Просвечивающая и сканирующая электронная микроскопия и

Полупроводниковые наноструктуры: создание и изучение Молекулярно-пучковая и газофазная эпитаксия Просвечивающая и сканирующая
электронно-лучевой микроанализ
Рентгеновская дифракция и топография
Оже-электронная спектроскопия и вторично-ионная масс-спектроскопия

Слайд 7

Полупроводниковые лазеры

Запись/считывание информации
Передача данных
Лазерная печать
Медицина и биология
Лазерная резка/сварка/сверление

Полупроводниковые лазеры Запись/считывание информации Передача данных Лазерная печать Медицина и биология Лазерная резка/сварка/сверление

Слайд 8

Мощные полупроводниковые лазеры (λ = 0.8 – 1.8 мкм)

P = 16 Вт
КПД

Мощные полупроводниковые лазеры (λ = 0.8 – 1.8 мкм) P = 16
= 74 %

Низкая стоимость по сравнению с газовыми и твердотельными лазерами
Уникальные параметры выходного излучения
Гибкость процесса изготовления

Слайд 9

Нанотехнологии для энергетики будущего:
солнечная энергетика

Согласно расчетам, выполненным в 70-80х годах прошлого века,

Нанотехнологии для энергетики будущего: солнечная энергетика Согласно расчетам, выполненным в 70-80х годах
солнечной электростанции площадью 70х70км было достаточно для удовлетворения потребности в электроэнергии всего СССР

Слайд 10

Концентраторные солнечные батареи и установки

Тенденция развития: уменьшение размера ячейки и повышение эффективности!

Зеркала,

Концентраторные солнечные батареи и установки Тенденция развития: уменьшение размера ячейки и повышение
большие ячейки

Линзы Френеля, средние ячейки

Маленькие линзы, маленькие ячейки

Слайд 11

Мощные светодиоды с силой света 10000 – 15000 кд

Мощные светодиоды с силой света 10000 – 15000 кд

Слайд 12

Светодиоды для среднего инфра-красного диапазона (1600-5000 нм)

0

10

20

30

40

50

60

70

80

1300

1500

1700

1900

2100

2300

2500

2700

Длина волны ,нм

Интенсивность, отн.ед.


μW/nm

LED22

LED20

f=500 Hz

LED18

В

Светодиоды для среднего инфра-красного диапазона (1600-5000 нм) 0 10 20 30 40
среднем инфра-красном диапазоне 1600-5000 нм лежат линии поглощения большинства газов:
CH4 , H2O, CO2, CO, C2H2, C2H4, C2H6, CH3Cl, OCS, HCl, HOCl, HBr, H2S, HCN, NH3 , NO2 , и многих других.

Слайд 13

Оптическй пинцет

Волноводный эффект: свет в веществе

Волноводный эффект «наоборот»:
вещество в свете –

Оптическй пинцет Волноводный эффект: свет в веществе Волноводный эффект «наоборот»: вещество в свете – оптический пинцет
оптический пинцет

Слайд 14

Лазерные проекторы

Опытные образцы видео-проекторов размером со спичечный коробок

Лазерные проекторы Опытные образцы видео-проекторов размером со спичечный коробок

Слайд 15

Кафедра оптоэлектроники СПбГЭТУ «ЛЭТИ»: базовая кафедра ФТИ им.А.Ф.Иоффе занятия и практика в ФТИ

Кафедра оптоэлектроники СПбГЭТУ «ЛЭТИ»: базовая кафедра ФТИ им.А.Ф.Иоффе занятия и практика в ФТИ им.А.Ф.Иоффе
им.А.Ф.Иоффе

Слайд 16

ФТИ им. Иоффе и Кафедра оптоэлектроники: зарубежная практика и трудоустройство

Vitaly Mikhailov in

ФТИ им. Иоффе и Кафедра оптоэлектроники: зарубежная практика и трудоустройство Vitaly Mikhailov
the laboratory at UCL (London, UK)

Anton Deryagin in the laboratory at the Colorado University (USA)

Г

Galina Gagis at the Summer School (Venice, Italy)

Слайд 17

ФТИ им. Иоффе: работа с РОСНАНО

Декабрь 2008: ОНЭКСИМ и РОСНАНО инвестируют около

ФТИ им. Иоффе: работа с РОСНАНО Декабрь 2008: ОНЭКСИМ и РОСНАНО инвестируют
1 млрд рублей в строительство завода по выпуску светодиодных кристаллов в СПб. Завод станет частью компании ‘Оптоган’, которая займется выпуском светотехники нового поколения. ОНЭКСИМ (50% + 1 акция) ФГУП ‘Уральский опто-мех. з-д’ (33% - 1 акция) РОСНАНО (17%)
Декабрь 2009: УРАЛСИБ и РОСНАНО инвестируют 1.1 млрд рублей в создание высокотехнологичного предприятия по производству вертикально-излучающих лазеров для использования в оптических линиях передачи данных (т.н. «последняя миля») и линиях связи перспективного стандарта USB 3.0, 4.0. УРАЛСИБ (19.99%) VI-Systems GmbH (35%) РОСНАНО (45.01%)

Слайд 18

ФТИ им. Иоффе: работа с РОСНАНО

Май 2010: РЕНОВА и РОСНАНО инвестируют около

ФТИ им. Иоффе: работа с РОСНАНО Май 2010: РЕНОВА и РОСНАНО инвестируют
20,1 млрд рублей в строительство предприятия полного цикла по производству солнечных модулей, проектной мощностью один миллион солнечных модулей в год, что соответствует 120 МВт/год.
Декабрь 2009: Module Solar AG и РОСНАНО инвестируют 5.7 млрд рублей в создание производства наногетероструктурных фотопреобразователей с КПД 37-45%, солнечных модулей и энергоустановок нового поколения с линзами Френеля и системой слежения за солнцем . В 2015 г выручка компании должна составить 130млн.евро.
ЛЭТИ (Ф-т Электроники) и РОСНАНО заключили контракты на подготовку специалистов для этих предприятий

Слайд 19

Финансирование ФТИ им.А.Ф.Иоффе

Финансирование ФТИ им.А.Ф.Иоффе

Слайд 20

Кафедра оптоэлектроники: некоторые цифры

В 2008 году кафедра отметила своё 35-летие.
К 2009 году

Кафедра оптоэлектроники: некоторые цифры В 2008 году кафедра отметила своё 35-летие. К
кафедру закончили 462 студента, из которых:
более 150 получили дипломы с отличием
Среди выпускников:
3 члена-корреспондента РАН
2 лауреата Государственной премии РФ
22 доктора наук
более 150 кандидатов наук
В ФТИ им. Иоффе в настоящее время работают более 160 выпускников кафедры
Имя файла: Что-такое-«нанотехнологии»???.pptx
Количество просмотров: 148
Количество скачиваний: 0