Электропроводность твердых тел

Содержание

Слайд 2

08/15/2023

А.В. Шишкин, АЭТУ, НГТУ

1. Классификация твердых тел по электропроводности

R = ρ(l /

08/15/2023 А.В. Шишкин, АЭТУ, НГТУ 1. Классификация твердых тел по электропроводности R
S); γ = 1 / ρ.
По электропроводности γ все твердые тела можно разделить на три большие группы: металлы 106÷108 (Ом ⋅ м)–1 , полупроводники 10–8÷106 (Ом ⋅ м)–1 , диэлектрики < 10–8 (Ом ⋅ м)–1 .

Огромное влияние на величину электропроводности оказывают примеси и дефекты в материале. Удельная электропроводность полупроводника CdS в зависимости от содержания примесей и дефектов может иметь значение, лежащее в интервале 10–10÷105 (Ом ⋅ м)–1.

Слайд 3

08/15/2023

А.В. Шишкин, АЭТУ, НГТУ

2. Температурная зависимость электропроводности

Различие между металлами, с одной стороны,

08/15/2023 А.В. Шишкин, АЭТУ, НГТУ 2. Температурная зависимость электропроводности Различие между металлами,
и диэлектриками и полупроводниками – с другой, достаточно четко проявляется в ходе температурных зависимостей электропроводности. В некотором интервале температур температурная зависимость электропроводности диэлектриков и полупроводников может быть описана выражением вида γ = γ0exp(–Ea/kBT), Ea/kBT >> 1, где γ0 – константа; Ea – энергия активации переноса заряда; т. е. γ возрастает по экспоненциальному закону с ростом температуры. В металлах, наоборот, удельная электропроводность уменьшается с ростом температуры: ρ = ρ0[1 + αT(T – 273) ] .
При температурах, близких к 0 К, электропроводность многих металлов перестает изменяться и стремится к конечному значению, а у некоторых металлов возникает сверхпроводящее состояние. У диэлектриков и полупроводников электропроводность при Т → 0 обращается в нуль.

Слайд 4

08/15/2023

А.В. Шишкин, АЭТУ, НГТУ

3. Заполнение энергетических зон электронами

При сближении и взаимодействии N

08/15/2023 А.В. Шишкин, АЭТУ, НГТУ 3. Заполнение энергетических зон электронами При сближении
атомов энергетические уровни электронов изменяются. Эти изменения тем больше, чем дальше от ядра находится электрон. Наибольшие изменения касаются энергии валентных электронов: происходит расщепление каждого энергетического уровня валентного электрона на N уровней.
Энергетические зоны могут перекрываться.
В кристалле есть зоны разрешенных и зоны запрещенных энергий электрона.
С увеличением энергии запрещенные зоны сужаются, а разрешенные расширяются.

Схема расщепления энергетических уровней в энергетические зоны при сближении атомов

Слайд 5

08/15/2023

А.В. Шишкин, АЭТУ, НГТУ

3.1. Металлы

В соответствии с принципом Паули при ограниченном числе

08/15/2023 А.В. Шишкин, АЭТУ, НГТУ 3.1. Металлы В соответствии с принципом Паули
электронов, заполненными окажутся лишь несколько наиболее низких энергетических зон. Все остальные зоны будут пусты (свободные зоны).

Наполовину заполненной валентной зоне при Т = 0 К соответствуют наполовину заполненные s-орбитали атомов, например, в Na (рис. слева).
Внешние s-электроны полностью заполняют валентную зону, которая перекрывается со следующей, образованной p-орбиталями этого же уровня, например, в Mg (рис. справа).

Слайд 6

08/15/2023

А.В. Шишкин, АЭТУ, НГТУ

3.2. Диэлектрики

Валентная зона заполнена полностью и отделена от следующей

08/15/2023 А.В. Шишкин, АЭТУ, НГТУ 3.2. Диэлектрики Валентная зона заполнена полностью и
за ней свободной зоны широкой (Eg > 2÷3 эВ) запрещенной зоной – энергетической щелью. Внешнее электрическое поле не создает электрического тока, так как электроны заполненной зоны не могут перейти в свободную. Такие вещества являются диэлектриками.

Слайд 7

08/15/2023

А.В. Шишкин, АЭТУ, НГТУ

3.3. Полупроводники

Если валентная зона полностью заполнена и ширина запрещенной

08/15/2023 А.В. Шишкин, АЭТУ, НГТУ 3.3. Полупроводники Если валентная зона полностью заполнена
зоны Eg < < 2÷3 эВ, то такие вещества называются полупроводниками. В полупроводниках за счет тепловой энергии kBT заметное число электронов оказывается переброшенным в свободную зону (зону проводимости). При наложении внешнего электрического поля возникает электрический ток, который много слабее, чем в металлах, из-за низкой концентрации носителей заряда. При очень низких температурах любой полупроводник становится диэлектриком.

Между металлами и диэлектриками существует качественное различие, а между диэлектриками и полупроводниками – лишь количественное.

Слайд 8

08/15/2023

А.В. Шишкин, АЭТУ, НГТУ

4. Электропроводность в металлах

i = envd, где e – заряд

08/15/2023 А.В. Шишкин, АЭТУ, НГТУ 4. Электропроводность в металлах i = envd,
электрона; n – концентрация электронов; vd – дрейфовая скорость электрона.
Дрейфовая скорость пропорциональна напряженности электрического поля E, где коэффициент пропорциональности μ называется подвижностью: vd = μE.
Закон Ома может быть записан как i = γE, γ = enμ.
Уровень, который отделяет полностью заполненные уровни от полностью незаполненных, называется уровнем Ферми (энергией Ферми) EF. С физической точки зрения уровень Ферми – это электрохимический потенциал носителя электрического заряда, в данном случае электрона. Электрохимический потенциал равен сумме электрического и химического потенциалов.
В металлах уровень Ферми расположен в разрешенной зоне. В этом случае концентрация электронов n практически не зависит от температуры и температурная зависимость γ определяется температурной зависимостью μ.

Слайд 9

08/15/2023

А.В. Шишкин, АЭТУ, НГТУ

4.1. Влияние температуры

Электроны в твердом теле движутся не беспрепятственно,

08/15/2023 А.В. Шишкин, АЭТУ, НГТУ 4.1. Влияние температуры Электроны в твердом теле
они рассеиваются. Рассеивание будет происходить в том случае, если расстояние между рассеивающими центрами по величине соизмеримо с длиной волны электронов. Электроны рассеиваются на тепловых колебаниях и дефектах кристаллической решетки.

Коллективные колебания атомов в кристалле представляют собой звуковые волны, а соответствующие им возбуждения – кванты звука, или фононы.
При стремлении температуры к абсолютному нулю в идеальном кристалле число фононов будет стремиться к нулю и удельное электросопротивление также будет стремиться к нулю.
При низких температурах подвижность определяется рассеянием электронов на дефектах, в основном на точечных (в первую очередь на атомах примеси), так как длина волны электрона в металле ~10–10 м = 0,1 нм.
При высоких температурах доминирует рассеяние электронов на фононах. ~ T ⇒ μ ~ 1/T ⇒ ρ ~ T.

Слайд 10

08/15/2023

А.В. Шишкин, АЭТУ, НГТУ

4.2. Влияние твердого раствора

Изменение удельного электросопротивления в результате легирования

08/15/2023 А.В. Шишкин, АЭТУ, НГТУ 4.2. Влияние твердого раствора Изменение удельного электросопротивления
с образованием твердого раствора можно приблизительно выразить соотношением ρx = αxx(1 – x), или для разбавленных растворов ρx = αxx, где x – молярная доля растворенного элемента; αx – примесный коэффициент электросопротивления, который возрастает в случае большой разницы между размерами и валентностями атомов растворимого элемента и растворителя.
Согласно правилу Матиссена–Флеминга электросопротивление слабоконцентрированного твердого раствора выразится следующим образом: ρ = ρ1 + ρx, где ρ1 – электросопротивление растворителя (матрицы).
dρ / dT = αTρ0 + αTxρx0.

Влияние примеси на γCu.

Слайд 11

08/15/2023

А.В. Шишкин, АЭТУ, НГТУ

4.3. Влияние упорядочения

Упорядочение твердого раствора (образование сверхструктур) приводит к

08/15/2023 А.В. Шишкин, АЭТУ, НГТУ 4.3. Влияние упорядочения Упорядочение твердого раствора (образование
уменьшению ρ.

В упорядоченной структуре резко возрастает средняя длина свободного пробега электрона. Синяя кривая – сплав AuCu3 после закалки (неупорядоченный); красная – сплав AuCu3 после отжига (упорядоченный).

Слайд 12

08/15/2023

А.В. Шишкин, АЭТУ, НГТУ

4.4. Влияние наклепа

Наклеп – изменение структуры и свойств металлического

08/15/2023 А.В. Шишкин, АЭТУ, НГТУ 4.4. Влияние наклепа Наклеп – изменение структуры
материала в результате пластической деформации. В результате наклепа происходит искажение кристаллической решетки и возникают дефекты, которые приводят к дополнительному рассеянию электронов. Если дополнительное (остаточное) сопротивление наклепа обозначить как ρh, то выражение для ρ можно переписать так: ρ = ρ1 + ρx + ρh.
ρh не зависит от температуры, т.е. dρ / dT не зависит от степени деформации. Когда исчезает наклеп, например, при высоких температурах, то исчезает и слагаемое ρh.

Слайд 13

08/15/2023

А.В. Шишкин, АЭТУ, НГТУ

4.5. Влияние термообработки

Увеличение размера зерна приводит к уменьшению ρ,

08/15/2023 А.В. Шишкин, АЭТУ, НГТУ 4.5. Влияние термообработки Увеличение размера зерна приводит
что связано с уменьшением площади межзеренных границ.
Закалка, фиксируя высокотемпературное (обычно более дефектное) состояние, приводит к возрастанию электросопротивления. Отжиг, снимающий наклеп, и отжиг, увеличивающий зерно, должны приводить к уменьшению сопротивления и т.п.
Для ряда сплавов, характеризующихся внутрикристаллической неоднородностью твердого раствора, обнаруживается падение электросопротивления с ростом деформации (соответственно ρ возрастет при отжиге и отпуске). Это характерно, например, для медно-никелевых, железоникелевых и никель-хромовых сплавов

Слайд 14

08/15/2023

А.В. Шишкин, АЭТУ, НГТУ

4.6. Влияние химических соединений

Сопротивление химического соединения выше, чем составляющих

08/15/2023 А.В. Шишкин, АЭТУ, НГТУ 4.6. Влияние химических соединений Сопротивление химического соединения
его элементов. Это связано с тем, что в результате химического взаимодействия (образование ковалентных или ионных связей) уменьшается число свободных электронов – носителей тока в металле. В результате химического взаимодействия металлическая проводимость вообще может исчезнуть.
Влияние электронных соединений и фаз внедрения на электропроводность иногда схоже с влиянием химического соединения, т.е. приводит к уменьшению проводимости, но возможна и противоположная картина, когда проводимость возрастает.
Имя файла: Электропроводность-твердых-тел.pptx
Количество просмотров: 289
Количество скачиваний: 2