Физические основы электронных приборов. Полупровордниковые диоды. Трирсторы. Лекция 1

Физические основы электронных приборов
Электронными называю приборы, в которых ток создается движением электронов в вакууме, газе или полупроводнике.

Физические основы электронных приборов
Зонная структура лежит в основе разделения веществ на проводники, полупроводники и диэлектрики
Ширина запрещенной зоны ΔΕ
диэлектрика более 6 эВ
полупроводника от 0,1 до 3 эВ

Физические основы электронных приборов
Примесные полупроводники
Генерация – явление возбуждения электрона, сопровождающееся появлением дырки
Рекомбинация – исчезновение пары свободных носителей противоположного заряда

Физические основы электронных приборов
Р-п-переход и его свойства
Uк – контактная разность потенциалов (потенциальный барьер)
- ширина р-п-перехода
Uпр - прямое напряжение (р-п-переход открыт)
Uобр – обратное напряжение (р-п-переход закрыт)

Физические основы электронных приборов
Способы изготовления p-n-переходов
Метод сплавления
Метод диффузии
Метод эпитаксиального наращивания
Ионное легирование
Оксидное маскирование
Фотолитография

Полупроводниковые диоды
Диод «открыт»
Пропускает прямой ток
Падение напряжения десятки доли вольт
Диод «закрыт»
До Uобрmax диод пропускает пренебрежительно малый ток I0
При достижении Uпроб наступает пробой p-n-перехода (электрический или тепловой), при котором обратный ток резко возрастает

Полупроводниковые диоды