ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПРОЦЕССОВ И ЯВЛЕНИЙ, ЛЕЖАЩИЕ В ОСНОВЕ методов получения информации

Содержание

Слайд 2

Рис. 51-2. Результаты сравнения рентгенограмм:
таблица сравнения межплоскостных расстояний

Рис. 51-2. Результаты сравнения рентгенограмм: таблица сравнения межплоскостных расстояний

Слайд 3

Рис. 52. Сравнение штрихдиаграммы образца со штрихдиагаммой
одного из стандартов: 21-1272, анатаз

Рис. 52. Сравнение штрихдиаграммы образца со штрихдиагаммой одного из стандартов: 21-1272, анатаз

Слайд 4

Рис. 53. Расчет концентраций компонентов и сравнение штрихдиаграмм
образца и модели: 21-1272,

Рис. 53. Расчет концентраций компонентов и сравнение штрихдиаграмм образца и модели: 21-1272, анатаз; 1-1292, рутил.
анатаз; 1-1292, рутил.

Слайд 5

Элементарные ячейки

Проекции на плоскость bc

Рис. 54 Полиморфные модификации оксида титана

Элементарные ячейки Проекции на плоскость bc Рис. 54 Полиморфные модификации оксида титана

Слайд 6

Рис.55. КФА по дифракционной картине нанопорошкаTiO2

Рис.55. КФА по дифракционной картине нанопорошкаTiO2

Слайд 7

МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ, В ОСНОВЕ КОТОРЫХ ЛЕЖИТ ЯВЛЕНИЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯ

I =

МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ, В ОСНОВЕ КОТОРЫХ ЛЕЖИТ ЯВЛЕНИЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯ I =
Ioexp(−μmρt) – закон ослабления рентгеновских лучей в веществе
μm – массовый коэффициент ослабления, равный сумме коэффициентов истинного поглощения (τm) и рассеяния (σm): μm = τm + σm.
σm~0.2 см2/г
ρ- плотность материала, t – толщина
μm (λ, Z)

Рис. 1. К расчету коэффициента ослабления

Слайд 8

Рис.2. Зависимость коэффициента истинного поглощения платины (Pt) от длины волны падающего излучения

Рис.

Рис.2. Зависимость коэффициента истинного поглощения платины (Pt) от длины волны падающего излучения
3.
Зависимость атомного коэффициента поглощения от атомного номера элемента Z для длины волны λ =1 Å

Слайд 9

Рис. 4. Схема возникновения первичного и вторичного (флуоресцентного) рентгеновского характеристического излучения

Рис. 4. Схема возникновения первичного и вторичного (флуоресцентного) рентгеновского характеристического излучения

Слайд 10

Рис.5 Энергетические уровни атома.
Разрешенные переходы электронов на К - уровень.

Рис.5 Энергетические уровни атома. Разрешенные переходы электронов на К - уровень.

Слайд 11

Рис. 6. Возникновение
линий K-серии:
а - α1: hνα1 =E2p2- E1s;
б

Рис. 6. Возникновение линий K-серии: а - α1: hνα1 =E2p2- E1s; б
- α2: hνα2 =E2p1- E1s;
в - β: hνβ =E3p2- E1s

Слайд 12

; Rc=3.29⋅10-15Гц

Рис. 7. Зависимость корня из частоты
вторичного излучения от атомного номера

; Rc=3.29⋅10-15Гц Рис. 7. Зависимость корня из частоты вторичного излучения от атомного
элемента

Закон Мозли 1913 г.

Генри Гвин-Джефрис Мозли (1887-1915 ), aнглийский физик,
Источник: © Calend.ru
http://www.calend.ru/person/3467/

Слайд 13

Рис. 8. Схема регистрации углового распределения интенсивности
а – без фильтра; б

Рис. 8. Схема регистрации углового распределения интенсивности а – без фильтра; б
- с фильтром перед счетчиком

Определение коэффициента поглощения фона, создаваемого на рентгенограмме флуоресцентным излучением образца.

Слайд 14

Рис. 9. Угловое распределение интенсивности а – без фильтра; б - с

Рис. 9. Угловое распределение интенсивности а – без фильтра; б - с фильтром перед счетчиком
фильтром перед счетчиком

Слайд 15

Контрастность рентгенограммы:
K=Iлинии /Iфона

Закон ослабления для линии:

Закон ослабления для фона:

Контрастность рентгенограммы: K=Iлинии /Iфона Закон ослабления для линии: Закон ослабления для фона:

Слайд 16

Методы рентгеновского анализа

Рентгенгофлуоресцентный анализ
Волнодисперсионный
Энергодисперсионный
Полного внешнего отражения
Со скользящим углом отбора
С поляризованным пучком
На

Методы рентгеновского анализа Рентгенгофлуоресцентный анализ Волнодисперсионный Энергодисперсионный Полного внешнего отражения Со скользящим
сорбционных фидьтрах
С различными видами возбуждения: синхротрон, частицы, радиоизотопы, трубки с капилярной оптикой
Рентгеновский эмиссионный анализ
Рентгеновский микроанализ
Рентгеновский абсорбционный анализ
Интегральный
Спектроскопия краев поглощения
Рентгеновская дефектоскопия
Фотоэлектронная спектроскопия
Оже-электронная спектроскопия
Рентгенолюминисцентный анализ
Рентгенодифракционный анализ
Рентгеновская рефлектометрия
Рентгеновская рефрактометрия

Слайд 17

Рис.10. Результаты энергодисперсионного флуоресцентного анализа

Рис.10. Результаты энергодисперсионного флуоресцентного анализа

Слайд 18

EXAFS (ТСРП) – АНАЛИЗ ТОНКОЙ СТРУКТУРЫ РЕНТГЕНОВСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯ

Рис. 11.Схематическое изображение появления спектра

EXAFS (ТСРП) – АНАЛИЗ ТОНКОЙ СТРУКТУРЫ РЕНТГЕНОВСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯ Рис. 11.Схематическое изображение появления спектра EXAFS
EXAFS

Слайд 19

Рис. 12. Спектры EXAFS сплава железо-никель (Fe-Ni), имеющего ГЦК решетку и содержащего

Рис. 12. Спектры EXAFS сплава железо-никель (Fe-Ni), имеющего ГЦК решетку и содержащего 45% никеля
45% никеля

Слайд 20

Рис. 13. а) Экспериментальный спектр EXAFS μ (Е) вблизи K-края поглощения железа.
б)

Рис. 13. а) Экспериментальный спектр EXAFS μ (Е) вблизи K-края поглощения железа.
Распределение электронной плотности

.

Слайд 21

Рис. 14. Схема EXAFS-экспериментальной установки, используемой в Стэнфордской лаборатории синхротронного излучения

Рис. 14. Схема EXAFS-экспериментальной установки, используемой в Стэнфордской лаборатории синхротронного излучения
Имя файла: ФИЗИЧЕСКИЕ-ОСНОВЫ-ПРОЦЕССОВ-И-ЯВЛЕНИЙ,-ЛЕЖАЩИЕ-В-ОСНОВЕ-методов-получения-информации-.pptx
Количество просмотров: 194
Количество скачиваний: 0