Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Параметры п/п лазеров
Основные результаты:
Полупроводниковый лазер на длине волны 0,96 - 0,98 мкм, излучающий через подложку
Полупроводниковые лазеры с широкими туннельно связанными волноводами
Двухполосные лазеры на квантовых ямах InGaAs/GaAs/InGaP
Руководитель проекта: к.ф.-м.н. Б.Н. Звонков
Структуры с квантовыми ямами InGaAs/GaAs/InGaP и лазерные диоды
Разработка и производство полупроводниковых
фотодиодов и лазеров

Лазерные диоды на квантовых точках InAs/GaAs
Лазерные диоды, излучающие в диапазоне 1,3-1,55 мкм
Разработка и производство полупроводниковых
фотодиодов и лазеров

Фото - диоды, сформированные на квантово-размерной гетероструктуре GaAs/InGaAs/InAs-QD/GaAs
Основные результаты: фото-диоды на диоде Шоттки, сформированном на квантово-размерной гетероструктуре GaAs/InGaAs/InAs-QD/GaAs, работающие при комнатной температуре; длина волны излучения может перестраиваться в некоторых пределах путем изменения толщины и состава покровного слоя GaAs/InGaAs
Спектры ЭЛ (300 К) диодов на различных гетероструктурах с квантовыми точками: 1 – со слоем изолированных квантовых точек; 2, 3 – с квантовыми точками, покрытыми покровным слоем InGaAs КЯ. Толщины слоя GaAs : 1, 2 - 30 нм; 3 - 10 нм.
Разработка и производство полупроводниковых
фотодиодов и лазеров

Двухчастотный лазер на основе гетероструктур InGaP/GaAs/InGaAs
с квантовыми ямами
Спектр двух полос генерации лазера
Достоинство: возможность генерации разностной частоты лазера, соответствующей дальней ИК области длин волн (30-80 мкм)
Публикации:
Труды конференции «Нанофотоника». 2003. Т.2. С.315-317.
Разработка и производство полупроводниковых
фотодиодов и лазеров

Пример спектра эмиссии на двух длинах волн, а также нелинейные сигналы на суммарных и разностных частотах при комнатной температуре
Схематическое изображение
Оптическое перемешивание в структуре лазерных диодов GaAs/InGaAs/InGaP: новая схема для генерации суммарных и разностных частот
Основные результаты: впервые продемонстрирована возможность непрерывной генерации суммарных и разностных частот в структуре состыкованных лазерных диодов GaAs/InGaAs/InGaP
Сотрудничество:
Институт физики микроструктур РАН, Н.Новгород
Институт прикладной физики РАН, Н.Новгород
Physics Department and Institute for Quantum Studies, Texas A&M University, USA (grant CRDF)
Разработка и производство полупроводниковых
фотодиодов и лазеров

Основные применения лазерных диодов
Разработка и производство полупроводниковых
фотодиодов и лазеров
ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ
Оптические системы связи
Накачка твёрдотельных лазеров
Лазерная локация
Экологический мониторинг
Медицина
Охранная сигнализация
Защита и идентификация продукции и изделий

Применение в качестве защиты
Защита и идентификация изделий предприятий, терпящих убытки за счет реализации на рынке аналогичной контрафактной продукции;
Защита и идентификация материальных ценностей, находящихся в государственной и частной собственности;
Защита документов и ценных бумаг от подделки;
Защита произведений искусства;
Разработка и производство полупроводниковых
фотодиодов и лазеров

Высокоскоростная сверхпластичность объемных нанокристаллических алюминиевых сплавов
Основные результаты: получены рекордные характеристики высокоскоростной сверхпластичности: удлинение до разрушения составляет 880% при скорости деформации 1 с-1 (100 % в секунду) для нанокристаллического алюминиевого сплава Al-4.5%Mg-0.22%Sc-0.15%Zr.
0.1 мм/с
0.3 мм/с
3.0 мм/с
2250%
1430%
880%
Образцы после высокоскоростной сверхпластической
деформации при T=450 0C
Руководитель проекта: профессор д.ф.-м.н. Чувильдеев В.Н.
Работы выполнены при поддержке Международного научно- технического центра – проект #1413 “Aluminum Composite Alloys with High-Strain-Rate Superplasticity Effect” в сотрудничестве с Ливерморской национальной лабораторией (США)
Разработка и создание нано- и микрокристаллических металлов и сплавов с улучшенными пластическими и прочностными свойствами

Сверхпластичность нанокристаллических магниевых сплавов
Изделие из нанокристаллического магниевого сплава МА14.
Скорость штамповки - 1 мм/с, температура штамповки - 240 oC
Основные результаты:
1. Разработаны и получены новые сверхпластичные нанокристаллические магниевые сплавы по технологии равноканального углового прессования.
2. Получены рекордные сверхпластические характеристики при низких температурах: удлинение до разрушения составляет 810 % and 570 % при температурах 250-300 °C в нанокристаллических магниевых сплавах МА14 и AZ91, соответственно.
• Chuvil’deev V.N., Nieh T.G., Gryaznov M.Yu., Sysoev A.N., Kopylov V.I. Low-temperature superplasticity and internal friction in microcrystalline magnesium alloys processed by ECAP. Scripta Materialia, 2004, vol.50, No.6, pp.861-865.
• Chuvil'deev V.N., Nieh T.G., Gryaznov M.Yu., Sysoev A.N., Kopylov V.I. Superplasticity and internal friction in microcrystalline AZ91 and ZK60 magnesium alloys processed by equal-channel angular pressing. Journal of Alloys and Compounds, 2004, Vol. 378, №1-2, pp 253-257.
Разработка и создание нано- и микрокристаллических металлов и сплавов с улучшенными пластическими и прочностными свойствами

Нанокристаллические поршневые силумины
Основные результаты:
1. Разработаны и получены новые сверхпластичные нанокристаллические силумины по технологии равноканального углового прессования.
2. Получены рекордные характеристики пластичности (без потери прочности) для нанокристаллического сплава Al–18%Si: удлинение до разрушения составляет порядка 200%, что в 4 раза выше, чем пластичность аналогичного литого сплава.
Ультрамелкозеренная структура нанокристаллического сплава Al–18%Si
Пластические характеристики литого и нанокристаллического сплава Al–18%Si
Разработка и создание нано- и микрокристаллических металлов и сплавов с улучшенными пластическими и прочностными свойствами