Слайд 2Что такое МЭМС?
МЭМС (микроэлектромеханические системы) – это объединение механических элементов, датчиков, приводов
![Что такое МЭМС? МЭМС (микроэлектромеханические системы) – это объединение механических элементов, датчиков,](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/984218/slide-1.jpg)
и электроники на одном кремниевом основание (подложке).
Слайд 3История развития
1989г., на многолюдном собрании в Солт-Лейк-Сити была принята аббревиатура MEMS
![История развития 1989г., на многолюдном собрании в Солт-Лейк-Сити была принята аббревиатура MEMS](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/984218/slide-2.jpg)
Слайд 6Объемная микрообработка
Датчик давления для особо надежных авиационных и промышленных приложений
Датчик давления STMicroelectronics
![Объемная микрообработка Датчик давления для особо надежных авиационных и промышленных приложений Датчик давления STMicroelectronics](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/984218/slide-5.jpg)
Слайд 7LIGA-технология
Высокая шестерня с большим коэффициентом соотношения сторон, созданная с помощью технологии LIGA
![LIGA-технология Высокая шестерня с большим коэффициентом соотношения сторон, созданная с помощью технологии LIGA](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/984218/slide-6.jpg)
Слайд 8SIGA-технология
SIGA (в переводе) означает – ультрафиолетовая литография, гальваника и формовка. В отличие
![SIGA-технология SIGA (в переводе) означает – ультрафиолетовая литография, гальваника и формовка. В](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/984218/slide-7.jpg)
от технологии LIGA в ней резист вместо рентгеновского излучения экспонируется ультрафиолетом.
Слайд 9Волоконная технология
Суть: спекается пучок стеклянных волокон (полых или сплошных), различающихся избирательностью к
![Волоконная технология Суть: спекается пучок стеклянных волокон (полых или сплошных), различающихся избирательностью](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/984218/slide-8.jpg)
травлению по отношению к растворителю, вытягивании этого пучка до требуемого поперечного размера, разрезании вытянутой части пучка на куски и вытравливании затем из куска растворимых волокон. Укладка волокон в пучок осуществляется таким образом, что нерастворимые волокна образуют в сечении пучка структуру (топологию) изготавливаемой микроструктуры в некотором масштабе. Данная технология позволяет изготавливать детали с минимальными поперечными размерами отверстий до 0,2 мкм при высоте от 100 мкм до 1 см.
Слайд 10Поверхностная обработка
Поверхностная микрообработка кремния
![Поверхностная обработка Поверхностная микрообработка кремния](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/984218/slide-9.jpg)
Слайд 11Технология индивидуального формообразования методами корпускулярно-лучевого и электростатического микропрофилирования, а также алмазного фрезерования
![Технология индивидуального формообразования методами корпускулярно-лучевого и электростатического микропрофилирования, а также алмазного фрезерования](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/984218/slide-10.jpg)
Слайд 12Корпускулярно-лучевое микропрофилирование
![Корпускулярно-лучевое микропрофилирование](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/984218/slide-11.jpg)
Слайд 13Высокочастотные ключи
Работа устройств по технологии Bluetooth
Ku-диапазон (12.4…18 ГГц)
W-диапазон (75…110
![Высокочастотные ключи Работа устройств по технологии Bluetooth Ku-диапазон (12.4…18 ГГц) W-диапазон (75…110 ГГц)](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/984218/slide-12.jpg)
ГГц)
Слайд 14Высокочастотные ключи
Контактные
Ёмкостные
Управление кантилевером
Электростатический
Магнитостатический
Пьезоэлектрический
Электротермический
![Высокочастотные ключи Контактные Ёмкостные Управление кантилевером Электростатический Магнитостатический Пьезоэлектрический Электротермический](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/984218/slide-13.jpg)
Слайд 15ВЧ ключи (контактные)
Внешний вид мембранного ключа (а) и сечения по линии А-А`,
![ВЧ ключи (контактные) Внешний вид мембранного ключа (а) и сечения по линии](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/984218/slide-14.jpg)
показывающие положение мембраны в разомкнутом (б) и замкнутом (в) состояниях ключа
Слайд 18Преимущества ВЧ ключей
Цифровое управление при расширенных функциональных возможностях;
Малая потребляемая мощность цепи управления
![Преимущества ВЧ ключей Цифровое управление при расширенных функциональных возможностях; Малая потребляемая мощность](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/984218/slide-17.jpg)
(порядка единиц микроватт);
Малые потери в замкнутом состоянии;
значительно меньшая емкость и, соответственно, лучшая развязка в разомкнутом состоянии;
Ничтожные нелинейные искажения проходящего сигнала;
Высокая стойкость к проникающей радиации;
Более широкий диапазон рабочих температур
Слайд 19Список литературы
Белов Л., Житникова М. Микроэлектромеханические компоненты радиочастотного диапазона //Электроника: наука, технология,
![Список литературы Белов Л., Житникова М. Микроэлектромеханические компоненты радиочастотного диапазона //Электроника: наука,](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/984218/slide-18.jpg)
бизнес. – 2006. – №. 8. – С. 18-25.
Carty E., Fitzgerald P., McDaid P. The Fundamentals of Analog Devices’ Revolutionary MEMS Switch Technology //Technical Article. – 2016.
Баринов И. Н., Волков В. С. Микромеханика вокруг нас //Режим доступа: http://dep_pribor.pnzgu.ru/files/dep_pribor.pnzgu. ru/mikromehanika_vokrug_nas.df. – 2011.
Maluf N., Williams K. Introduction to microelectromechanical systems engineering. – Artech House, 2004.
Сысоева С. Высокочастотные МЭМС-ключи. Технологии и применения //Компоненты и технологии. – 2011. – №. 11. – С. 29-36.
Гуртов В. А., Беляев М. А., Бакшеева А.Г. Микроэлектромеханические системы: Учеб.пособие. – Петрозаводск: Из-во ПетрГУ, 2016. – 171 с.
Варадан В., Виной К., Джозе К. ВЧ МЭМС и их применение. – Москва: Техносфера, 2004. – 528с. ISBN 5-94836-030-X