Слайд 3К полупроводниковым резисторам относятся резисторы, принцип действия которых основан на изменении электрического
![К полупроводниковым резисторам относятся резисторы, принцип действия которых основан на изменении электрического](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1024228/slide-2.jpg)
сопротивления полупроводниковых материалов под воздействием различных управляющих факторов: электрического напряжения, температуры, светового и теплового излучения, магнитного поля. Полупроводниковые резисторы имеют нелинейную вольтамперную характеристику (ВАХ) и их часто называют нелинейными резисторами.
Слайд 4Классификация полупроводниковых резисторов
![Классификация полупроводниковых резисторов](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1024228/slide-3.jpg)
Слайд 5Варисторы
Это полупроводниковые резисторы, сопротивление которых сильно зависит от приложенного электрического напряжения и
![Варисторы Это полупроводниковые резисторы, сопротивление которых сильно зависит от приложенного электрического напряжения](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1024228/slide-4.jpg)
имеющие симметричную, резко выраженную нелинейную ВАХ.
Варисторы изготавливают методом спекания смеси из мелкокристаллического порошка карбида кремния (карборунда, SiC), окиси цинка (ZnO) c добавками или селена (Se) и связующих веществ (керамических материалов, жидкого стекла, кремнийорганических лаков и т. п.).
Слайд 8ТерВаристорыморезисторы
рморезистороВв широкое распространение получили медно-марганцевые (CuO-Mn3O4), кобальто-марганцевые (Co3O4-Mn3O4), медно-кобальто-марганцевые (CuO-Co3O4-Mn3O4) и некоторые
![ТерВаристорыморезисторы рморезистороВв широкое распространение получили медно-марганцевые (CuO-Mn3O4), кобальто-марганцевые (Co3O4-Mn3O4), медно-кобальто-марганцевые (CuO-Co3O4-Mn3O4) и](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1024228/slide-7.jpg)
другие окисные поликристаллические полупроводники с большим отрицательным ТКС (порядка 10–2…10–11/K).
Слайд 10Материалы для терморезисторов
Терморезисторы с положительным ТКС выполняют главным образом на основе титаната
![Материалы для терморезисторов Терморезисторы с положительным ТКС выполняют главным образом на основе](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1024228/slide-9.jpg)
бария (BaTiO3), удельное сопротивление которого значительно снижено за счет добавления примесей редкоземельных элементов.
Для изготовления терморезисторов применяют также монокристаллические полупроводниковые материалы – Ge и Si. Перспективно применение широкозонных моно-кристаллических полупроводников, таких как SiC, InP (фосфид индия), обеспечивающих более высокую температурную чувствительность термоэлемента
Слайд 14Магниторезисторы
Магниторезисторы - это электронные компоненты, действие которых основано на изменении электрического сопротивления полупроводника
![Магниторезисторы Магниторезисторы - это электронные компоненты, действие которых основано на изменении электрического](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1024228/slide-13.jpg)
(или металла) при воздействии на него магнитного поля. Магниторезисторы характеризуются такими параметрами, как магнитная чувствительность, номинальное сопротивление, рабочий ток, термостабильность и быстродействие, диапазон рабочих температур.
Выделяются две большие группы магниторезисторов, которые условно можно разделить на «монолитные» и «пленочные».
Слайд 16Обозначение магниторезистора на схемах
![Обозначение магниторезистора на схемах](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1024228/slide-15.jpg)
Слайд 17Магниторезистор представляет собой подложку с размещенным на ней магниточувствительным элементом (МЧЭ). Подложка
![Магниторезистор представляет собой подложку с размещенным на ней магниточувствительным элементом (МЧЭ). Подложка](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1024228/slide-16.jpg)
обеспечивает механическую прочность прибора. Элемент приклеен к подложке и защищен снаружи слоем лака. МЧЭ может размещаться в оригинальном или стандартном корпусе и снабжаться ферритовым концентратором магнитного поля или «смещающим» постоянным микромагнитом.