Слайд 3К полупроводниковым резисторам относятся резисторы, принцип действия которых основан на изменении электрического

сопротивления полупроводниковых материалов под воздействием различных управляющих факторов: электрического напряжения, температуры, светового и теплового излучения, магнитного поля. Полупроводниковые резисторы имеют нелинейную вольтамперную характеристику (ВАХ) и их часто называют нелинейными резисторами.
Слайд 4Классификация полупроводниковых резисторов

Слайд 5Варисторы
Это полупроводниковые резисторы, сопротивление которых сильно зависит от приложенного электрического напряжения и

имеющие симметричную, резко выраженную нелинейную ВАХ.
Варисторы изготавливают методом спекания смеси из мелкокристаллического порошка карбида кремния (карборунда, SiC), окиси цинка (ZnO) c добавками или селена (Se) и связующих веществ (керамических материалов, жидкого стекла, кремнийорганических лаков и т. п.).
Слайд 8ТерВаристорыморезисторы
рморезистороВв широкое распространение получили медно-марганцевые (CuO-Mn3O4), кобальто-марганцевые (Co3O4-Mn3O4), медно-кобальто-марганцевые (CuO-Co3O4-Mn3O4) и некоторые

другие окисные поликристаллические полупроводники с большим отрицательным ТКС (порядка 10–2…10–11/K).
Слайд 10Материалы для терморезисторов
Терморезисторы с положительным ТКС выполняют главным образом на основе титаната

бария (BaTiO3), удельное сопротивление которого значительно снижено за счет добавления примесей редкоземельных элементов.
Для изготовления терморезисторов применяют также монокристаллические полупроводниковые материалы – Ge и Si. Перспективно применение широкозонных моно-кристаллических полупроводников, таких как SiC, InP (фосфид индия), обеспечивающих более высокую температурную чувствительность термоэлемента
Слайд 14Магниторезисторы
Магниторезисторы - это электронные компоненты, действие которых основано на изменении электрического сопротивления полупроводника

(или металла) при воздействии на него магнитного поля. Магниторезисторы характеризуются такими параметрами, как магнитная чувствительность, номинальное сопротивление, рабочий ток, термостабильность и быстродействие, диапазон рабочих температур.
Выделяются две большие группы магниторезисторов, которые условно можно разделить на «монолитные» и «пленочные».
Слайд 16Обозначение магниторезистора на схемах

Слайд 17Магниторезистор представляет собой подложку с размещенным на ней магниточувствительным элементом (МЧЭ). Подложка

обеспечивает механическую прочность прибора. Элемент приклеен к подложке и защищен снаружи слоем лака. МЧЭ может размещаться в оригинальном или стандартном корпусе и снабжаться ферритовым концентратором магнитного поля или «смещающим» постоянным микромагнитом.