Слайд 2Триод - предшественник транзистора
![Триод - предшественник транзистора](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1134990/slide-1.jpg)
Слайд 3Уильям Шокли
Уолтер Браттейн
Джон Бардин
1947 год
сотрудники Bell Telephone Labs
![Уильям Шокли Уолтер Браттейн Джон Бардин 1947 год сотрудники Bell Telephone Labs](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1134990/slide-2.jpg)
Слайд 4Транзистор -
это самый главный элемент
в электронике!
Transistor = transfer + resistor
![Транзистор - это самый главный элемент в электронике! Transistor = transfer + resistor](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1134990/slide-3.jpg)
Слайд 7Транзисторы
Биполярные
Полевые
Биполярно-полевые
![Транзисторы Биполярные Полевые Биполярно-полевые](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1134990/slide-6.jpg)
Слайд 9Биполярные транзисторы
p-n-p
n-p-n
КТ3102
![Биполярные транзисторы p-n-p n-p-n КТ3102](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1134990/slide-8.jpg)
Слайд 10Внутренняя структура биполярного транзистора типа p-n-p
Анимация
р-слой
n-слой
Дырка
Электрон
Положит. ион
Отрицат. ион
ЭДС1
р-слой
ЭДС2
Эмиттер
База
Коллектор
![Внутренняя структура биполярного транзистора типа p-n-p Анимация р-слой n-слой Дырка Электрон Положит.](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1134990/slide-9.jpg)
Слайд 11Соотношения между токами в биполярном транзисторе
![Соотношения между токами в биполярном транзисторе](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1134990/slide-10.jpg)
Слайд 12Основные параметры биполярного транзистора:
коэффициент передачи тока коллектора
максимальный ток коллектора
максимальное обратное напряжение коллектор-эмиттер
максимальная
![Основные параметры биполярного транзистора: коэффициент передачи тока коллектора максимальный ток коллектора максимальное](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1134990/slide-11.jpg)
рассеиваемая мощность
Слайд 13Транзистор 2SA1930(Q) Toshiba
База
Коллектор
Эмиттер
= 2 А
= 180 В
= 2 Вт
= 100
![Транзистор 2SA1930(Q) Toshiba База Коллектор Эмиттер = 2 А = 180 В](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1134990/slide-12.jpg)
Слайд 14Проверка транзистора с помощью мультиметра
![Проверка транзистора с помощью мультиметра](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1134990/slide-13.jpg)
Слайд 15Вольт-амперные характеристики биполярного транзистора
![Вольт-амперные характеристики биполярного транзистора](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1134990/slide-14.jpg)
Слайд 18MOSFET – Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
![MOSFET – Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1134990/slide-17.jpg)
Слайд 20Внутренняя структура MOSFET с n-каналом
Дырка
Электрон
Диэлектрик
Полупроводник
Затвор
Исток
Сток
Подложка
n
n
p
+
-
+
-
p
![Внутренняя структура MOSFET с n-каналом Дырка Электрон Диэлектрик Полупроводник Затвор Исток Сток](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1134990/slide-19.jpg)
Слайд 21Вольт-амперные характеристики MOSFET с n-каналом
Крутизна стоко-затворной характеристики
![Вольт-амперные характеристики MOSFET с n-каналом Крутизна стоко-затворной характеристики](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1134990/slide-20.jpg)
Слайд 23IGBT – Insulated Gate Bipolar Transistor
![IGBT – Insulated Gate Bipolar Transistor](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1134990/slide-22.jpg)
Слайд 24Условное обозначение IGBT
Схема замещения IGBT
![Условное обозначение IGBT Схема замещения IGBT](/_ipx/f_webp&q_80&fit_contain&s_1440x1080/imagesDir/jpg/1134990/slide-23.jpg)