емкости. Значение емкости варикапа определяется емкостью его р-n-перехода и изменяется при изменении приложенного к переходу (диоду) напряжения.
Полупроводниковым материалом для изготовления варикапов является кремний.
В полупроводниковых диодах существуют прямосмещенный р-n-переход (который характеризуется диффузионной емкостью) и обратносмещенный р-n-переход (который характеризуется барьерной емкостью). В варикапах используется барьерная емкость, которая отличающаяся малым температурным коэффициентом, низким уровнем собственных шумов и слабой зависимостью от частоты. Следовательно, в рабочем режиме к варикапу прикладывается запирающее внешнее напряжение.
Поскольку толщина p-n-перехода зависит от величины приложенного внешнего напряжения U, то, изменяя последнее, можно регулировать значение ёмкости. Это используется, в частности, для электронной настройки колебательного контура на нужную частоту в цифровых радиоприёмниках.
Рисунок 2а – Зависимость емкости варикапа
от обратного напряжения
Рисунок 1 – УГО варикапа.