Содержание
- 2. Варикап 2 Варикап — это специально сконструированный полупроводниковый диод, применяемый в качестве конденсатора переменной емкости. Значение
- 3. Параметры варикапа 3 Общая емкость варикапа (Св) – емкость, измеренная при определенном обратном напряжении (измеряется при
- 4. Свойства варикапа 4 К основным положительным качествам варикапа относят: - низкий уровень потерь электроэнергии; - незначительный
- 5. Светодиод 5 Светодиоды – полупроводниковые источники света, основой которых является излучающий рп-переход. Свечение рn-перехода вызвано рекомбинацией
- 6. Параметры светодиодов 6 Ризлуч – полная мощность излучения (до 100 мВт). Unp – постоянное прямое падение
- 7. Фотодиод 7 Фотодиод – это полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на внутреннем фотоэффекте, состоящем в
- 8. Параметры фотодиода 8 Вольт-амперная характеристика – зависимость напряжения и тока от постоянного светового потока. Световая характеристика
- 9. Внешний вид полупроводниковых диодов 9 Рисунок 8 – Выпрямительные диоды. Рисунок 9 – Варикап. Рисунок 10
- 10. Варистор 10 Варистор – (VARI-able resi-STOR) то есть прибор, который автоматически изменяет значение своего сопротивления в
- 11. Защита нагрузки с помощью варистора 11 Варистор обеспечивает защиту цепи от перенапряжения посредством фиксации напряжения аналогично
- 12. Параметры 12 Напряжение классификации — значение разности потенциалов, взятое с учетом того, что сила тока, равная
- 14. Скачать презентацию
Слайд 2Варикап
2
Варикап — это специально сконструированный полупроводниковый диод, применяемый в качестве конденсатора переменной
Варикап
2
Варикап — это специально сконструированный полупроводниковый диод, применяемый в качестве конденсатора переменной
Полупроводниковым материалом для изготовления варикапов является кремний.
В полупроводниковых диодах существуют прямосмещенный р-n-переход (который характеризуется диффузионной емкостью) и обратносмещенный р-n-переход (который характеризуется барьерной емкостью). В варикапах используется барьерная емкость, которая отличающаяся малым температурным коэффициентом, низким уровнем собственных шумов и слабой зависимостью от частоты. Следовательно, в рабочем режиме к варикапу прикладывается запирающее внешнее напряжение.
Поскольку толщина p-n-перехода зависит от величины приложенного внешнего напряжения U, то, изменяя последнее, можно регулировать значение ёмкости. Это используется, в частности, для электронной настройки колебательного контура на нужную частоту в цифровых радиоприёмниках.
Рисунок 2а – Зависимость емкости варикапа
от обратного напряжения
Рисунок 1 – УГО варикапа.
Слайд 3Параметры варикапа
3
Общая емкость варикапа (Св) – емкость, измеренная при определенном обратном
напряжении
Параметры варикапа
3
Общая емкость варикапа (Св) – емкость, измеренная при определенном обратном
напряжении
Коэффициент перекрытия по емкости (Кп = Св max/Св min ) – отношение емкостей варикапа
при двух крайних значениях обратного напряжения (Кп = 5-8 раз);
Добротность варикапа (Q = Хс/rп) – где Xc – реактивное сопротивление варикапа;
rп – сопротивление активных потерь;
Постоянный обратный ток (Iобр) – постоянный ток, протекающий через варикап в
обратном направлении при заданном обратном напряжении;
Температурный коэффициент – характеризует зависимость величины емкость варикапа
от температуры окружающей среды.
Рисунок 2б – Включение варикапа в схему
Слайд 4Свойства варикапа
4
К основным положительным качествам варикапа относят:
- низкий уровень потерь электроэнергии;
- незначительный
Свойства варикапа
4
К основным положительным качествам варикапа относят:
- низкий уровень потерь электроэнергии;
- незначительный
- небольшая стоимость;
- надежность и продолжительный срок службы.
Слайд 5Светодиод
5
Светодиоды – полупроводниковые источники света, основой которых является излучающий рп-переход.
Свечение рn-перехода вызвано
Светодиод
5
Светодиоды – полупроводниковые источники света, основой которых является излучающий рп-переход.
Свечение рn-перехода вызвано
Светодиоды изготавливаются из карбида кремния, арсенида галлия или фосфида галлия. Свечение может быть весьма интенсивным и лежит в инфракрасной, красной, зеленой и синей частях спектра.
Светодиод начинает испускать свет, как только подается прямое напряжение, причем с ростом тока интенсивность свечения увеличивается.
Рисунок 4 – Прямая ветвь ВАХ светодиода
Рисунок 3 – УГО светодиода.
Слайд 6Параметры светодиодов
6
Ризлуч – полная мощность излучения (до 100 мВт).
Unp – постоянное прямое падение напряжения
Параметры светодиодов
6
Ризлуч – полная мощность излучения (до 100 мВт).
Unp – постоянное прямое падение напряжения
Iпр. – постоянный прямой ток (до 110 мА).
Цвет свечения.
Слайд 7Фотодиод
7
Фотодиод – это полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на внутреннем фотоэффекте,
Фотодиод
7
Фотодиод – это полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на внутреннем фотоэффекте,
Фотодиоды применяются в качестве датчиков освещенности.
Рисунок 6 – ВАХ фотодиода
Рисунок 5 – УГО фотодиода и схема его включения.
Рисунок 7 – Световая характеристика фотодиода
Слайд 8Параметры фотодиода
8
Вольт-амперная характеристика – зависимость напряжения и тока от постоянного светового потока.
Световая
Параметры фотодиода
8
Вольт-амперная характеристика – зависимость напряжения и тока от постоянного светового потока.
Световая
Чувствительность (S) –отражает изменение электрического сигнала (сила тока или
напряжение) на выходе фотодиода при его освещении.
SI = Iф / Ф – токовая чувствительность,
Sv = Uф / Ф – вольтовая чувствительность.
Порог чувствительности (Фп) – величина минимального светового потока
отнесённая к единице полосы рабочих частот.
Постоянная времени (τ) – время, в течение которого фототок фотодиода изменяется
после освещения или после затемнения фотодиода в е раз по
отношению к установившемуся значению (10-6 – 10-8с).
Темновое сопротивление (RТ) – сопротивление фотодиода в отсутствие освещения.
Спектральная характеристика – зависимость фототока от длины волны λ падающего
света (длина волны, на которую приходится максимальная
чувствительность, у кремниевых фотодиодов примерно равна
λмакс = 800 – 900 нм, у германиевых фотодиодов находится при
λмакс = 1500 – 1600 нм).
Слайд 9Внешний вид полупроводниковых диодов
9
Рисунок 8 – Выпрямительные диоды.
Рисунок 9 – Варикап.
Рисунок 10
Внешний вид полупроводниковых диодов
9
Рисунок 8 – Выпрямительные диоды.
Рисунок 9 – Варикап.
Рисунок 10
Рисунок 11 – Фотодиод.
Рисунок 12 – Диод Шоттки.
Слайд 10Варистор
10
Варистор – (VARI-able resi-STOR) то есть прибор, который автоматически изменяет значение своего сопротивления
Варистор
10
Варистор – (VARI-able resi-STOR) то есть прибор, который автоматически изменяет значение своего сопротивления
В настоящее время варисторы изготавливаются из полупроводникового материала.
Рисунок 13 – УГО варистора.
Рисунок 15 – ВАХ варистора.
Рисунок 14 – Зависимость сопротивления
Варистора от напряжения.
Слайд 11Защита нагрузки с помощью варистора
11
Варистор обеспечивает защиту цепи от перенапряжения посредством фиксации
Защита нагрузки с помощью варистора
11
Варистор обеспечивает защиту цепи от перенапряжения посредством фиксации
При нормальной работе варистор имеет очень высокое сопротивление, позволяя более низким пороговым напряжениям проходить без изменений.
Однако, когда напряжение на варисторе (любой полярности) превышает номинальное значение, его эффективное сопротивление сильно уменьшается с ростом напряжения.
Рисунок 16 – Внешний
вид варистора.
Рисунок 17 – Структура
варистора.
Слайд 12Параметры
12
Напряжение классификации — значение разности потенциалов, взятое с учетом того, что
сила тока,
Параметры
12
Напряжение классификации — значение разности потенциалов, взятое с учетом того, что
сила тока,
Максимальная величина переменного напряжения — является среднеквадратичным
значением, при котором он открывается и, следовательно, величина его
сопротивления понижается.
Постоянное максимальное напряжение — напряжение, при котором варистор открывается
в цепи постоянного тока. Как правило, оно больше предыдущего
параметра для тока переменной амплитуды.
Допустимое напряжение (напряжение ограничения) — величина, при превышении которой
происходит выход элемента из строя. Указывается для определенной
величины силы тока.
Поглощаемая максимальная энергия измеряется в Дж (джоулях — характеристика
оказывает величину энергии импульса, которую может рассеять варистор
и при этом не выйти из строя.
Время реагирования (единица измерения — наносекунды, нс) — величина, требуемая для
перехода из одного состояния в другое, т. е. изменение величины
сопротивления с высокой величины на низкую.
Погрешность напряжения классификации — отклонение от номинального его значения в
обе стороны, которое указывается в % (для импортных моделей: К = 10%,
L = 15%, M = 20% и Р = 25%).