ЗАО «ЭПИЭЛ»

КРАТКО О КОМПАНИИ
ГОД ОСНОВАНИЯ
РАСПОЛОЖЕНИЕ
Зеленоград, Москва, РФ
ПРОДУКЦИЯ
ПЕРСОНАЛ
Высококлассные специалисты в области эпитаксии с многолетним опытом работы
ЗАО «Эпиэл» - российский лидер в производстве кремниевых эпитаксиальных структур и партнер ведущих производителей микроэлектронных приборов России и СНГ
1998

В компании работает 110 человек
в нашей исследовательской лаборатории
10 инженеров-исследователей и научных сотрудников работают над совершенствованием эпитаксиальных технологий,
среди них - 7 обладателей ученых степеней
опыт наших ведущих специалистов в эпитаксии – более 30 лет
80% сотрудников непосредственно участвуют в процессе производства и разработке новых продуктов
НАШ ПЕРСОНАЛ

ПРОДУКЦИЯ
2000
2002
2004
2006
2008
ИС
Диоды
Мало-сигнальные транзисторы
IGBT
Диоды Шоттки
Силовые транзисторы
ДМОП
Ультра-быстрые диоды
Тензомодули
(76 и 100мм)
СБИС спец. назначения (100мм)
Система менеджмента качества
Кремниевые эпиструктуры
(применение)
Cтруктуры
КНС
(применение)
1998
2010
СБИС спец. Назначения (150мм)
ИС 130-180 нм
(200мм)
запуск в 2010 -
запуск в 2010 -
ISO 9001:2008
(с конца 2009)
ISO 9001:2000
ISO 9002:1994

ЗАО «ЭПИЭЛ» - партнер ведущих производителей микроприборов в России и СНГ:
ЭПИЭЛ В ОТРАСЛИ
Кремниевые
пластины
Эпитаксиальные
структуры и эписервис
Полупроводниковые приборы
Потребительская, Промышленная и Военная электроника
ОАО «НИИМЭ и Микрон», Москва, РФ
ОАО «Ангстрем», Москва, РФ
ЗАО «ВЗПП Микрон», Воронеж, РФ
НПО «Интеграл», Минск, Беларусь
ФГУП «ГЗ Пульсар», Москва, РФ

Эпитаксиальные структуры мирового уровня диаметром 100, 125 и 150 мм
PE2061 S
PE2061
PE2061 S
PE2061 S
PE2061
PE2061 S
Эпиквар
Эпиквар
Эпиквар
Эпиквар
Эпиквар
Эпиквар
Эпиквар
Эпиквар
Эпиквар
Эпиквар
Эпиквар
Эпиквар
Эпиквар
Эпиквар
Эпиквар
Эпиквар
Эпиквар
2001
2004
2007
ЛИНИЯ A
ЛИНИЯ Б
Эпитаксиальные структуры
диаметром 76 и 100 мм
ПРОИЗВОДСТВЕННЫЕ МОЩНОСТИ
Импортное оборудование
Отечественное модернизированное оборудование
Эпиквар
Эпиквар
Эпиквар
1998

Максимальное кол-во в месяц, шт
27 000
45 000
57 000
60 000
100 000
Максимальное кол-во в месяц, шт
ПРОИЗВОДСТВЕННЫЕ МОЩНОСТИ
ЛИНИЯ A
ЛИНИЯ Б
3 установки
6 установок
Диаметр
Диаметр
100
125
150
76
100

4-х зондовый измеритель (RS30 Omni Map, ResMap178)
Измеритель сопротивления растекания (SSM130) Измеритель пробивного напряжения эпислоя
CV-измеритель (SSM 495)
Фурье-спектральный измеритель (ФС1201П)
Установка контроля качества поверхности (Reflex300, Reflex375)
Микроскопия («Jenatech», «Ergolux», «Latimet»)
ЗАО «ЭПИЭЛ» имеет собственную исследовательскую лабораторию проведения исследований и разработок в сфере эпитаксиальных технологий
ПАРК ИЗМЕРИТЕЛЬНОГО ОБОРУДОВАНИЯ

Параметры структур соответствуют требованиям стандартов SEMI
ПАРАМЕТРЫ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР
Структуры Кремний на Кремнии

* - в 2009 году мы освоили производство структур КНС диаметром 100 и 150 мм с толщиной кремниевого слоя 0,3 мкм
ПАРАМЕТРЫ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР
Структуры Кремний на Сапфире

Параметры эпитаксиальных структур соответствуют международным стандартам SEMI для дискретных приборов
Методы измерения и контроля полностью соответствуют стандартам ASTM
Система менеджмента качества сертифицирована на соответствие
стандарту ISO 9001:2008
Индивидуальный подход и тесное взаимодействие с Заказчиком по вопросам качества продукции
Гарантированное выполнение согласованных с заказчиком требований
КАЧЕСТВО – НАШ ПРИОРИТЕТ №1
КАЧЕСТВО ПРОДУКЦИИ
РАБОТА С ЗАКАЗЧИКОМ

НАШ СЕРТИФИКАТ ISO 9001:2008

ЗОНА ЗАГРУЗКИ ПЛАСТИН
Чистое производственное помещение

Установки PE2061S -
вид из зоны обслуживания
Силовые генераторы
ЗОНА ОБСЛУЖИВАНИЯ ОБОРУДОВАНИЯ

Газовые панели
Испарители
Панели управления
СИСТЕМЫ ПОДАЧИ И РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ХЛОРИДОВ

Газовый шкаф и панель для PH3
Автоматический шкаф для HCl
СИСТЕМА ПОДАЧИ И РАСПРЕДЕЛЕНИЯ HCl & PH3

Очистка водорода
Точка росы ≤ минус 100ºC
Панель управления
СИСТЕМА ДООЧИСТКИ ВОДОРОДА

ГЕОМЕТРИЯ ПЛАСТИН
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ОКР «ФИЕСТА»

ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ СЛОЙ
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ОКР «ФИЕСТА»

ПАРАМЕТРЫ ЭС,
ВЫПУСКАЕМЫХ НА УСТАНОВКЕ PE 2061S

ОДНОРОДНОСТЬ ТОЛЩИНЫ ЭС,
ВЫПУСКАЕМЫХ НА УСТАНОВКЕ PE 2061S

Изменение толщины ГЭС по площади структур КНС Ф150 мм при изменении плана контроля
(9 → 5 точек контроля)
ИЗМЕНЕНИЕ ПЛАНА КОНТРОЛЯ

ОДНОРОДНОСТЬ ТОЛЩИНЫ ГЭС КНС Ф150 ММ
Распределение толщины слоя кремния по площади пластины (верхний ярус, контроль по 9 точкам)

ОДНОРОДНОСТЬ ТОЛЩИНЫ ГЭС КНС Ф150 ММ
Распределение толщины слоя кремния по площади пластины (нижний ярус, контроль по 9 точкам)

НАПРАВЛЕНИЕ ДАЛЬНЕЙШИХ РАБОТ
Повышение воспроизводимости и однородности параметров кремниевых слоев в структурах КНС Ф150 мм.
Разработка промышленного метода контроля остаточных загрязнений (частиц) на пластинах сапфира и структурах КНС ( по типу Surfscan для кремния).
Разработка метода контроля и технологии удаления статического заряда на пластинах сапфира и структурах КНС.
Разработка установки контроля границы раздела «кремний – сапфир» методом фото-ЭДС с применением картографирования поверхности.
Разработка структур КНС Ф150 мм с улучшенным кристаллическим совершенством границы раздела «кремний – сапфир».
Разработка структур КНС Ф150 мм с ультратонким приборным слоем.