Зонная диаграмма ОПЗ полупроводника

Февраль 16, 2021

Главная
Разное
Зонная диаграмма ОПЗ полупроводника

Содержание

2. ОПЗ - приповерхностная область полупроводника, в которой под действием внешнего поля возникает заряд.
4. Состояния поверхности полупроводника Обогащение Обеднение Слабая инверсия Сильная инверсия
5. Обогащение Обеднение Слабая инверсия Сильная инверсия n-тип n-тип
6. p-тип p-тип
7. Обогащение состояние поверхности полупроводника, когда поверхностная концентрация основных носителей больше, чем концентрация основных носителей в нейтральном
8. Обеднение состояние поверхности полупроводника, когда поверхностная концентрация неосновных носителей меньше, чем концентрация основных носителей в квазинейтральном
9. Слабая инверсия состояние поверхности полупроводника, когда поверхностная концентрация неосновных носителей больше, чем поверхностная концентрация основных, но
11. Скачать презентацию

Слайд 2

ОПЗ
- приповерхностная область полупроводника, в которой под действием внешнего поля возникает заряд.

ОПЗ - приповерхностная область полупроводника, в которой под действием внешнего поля возникает заряд.

Слайд 3

Слайд 4

Состояния поверхности полупроводника
Обогащение
Обеднение
Слабая инверсия
Сильная инверсия

Состояния поверхности полупроводника Обогащение Обеднение Слабая инверсия Сильная инверсия

Слайд 5

Обогащение
Обеднение
Слабая инверсия
Сильная инверсия
n-тип
n-тип

Обогащение Обеднение Слабая инверсия Сильная инверсия n-тип n-тип

Слайд 6

p-тип
p-тип

p-тип p-тип

Слайд 7

Обогащение
состояние поверхности полупроводника, когда поверхностная концентрация основных носителей больше, чем концентрация

Обогащение состояние поверхности полупроводника, когда поверхностная концентрация основных носителей больше, чем концентрация

основных носителей в нейтральном объеме

назад

Слайд 8

Обеднение
состояние поверхности полупроводника, когда поверхностная концентрация неосновных носителей меньше, чем концентрация основных

Обеднение состояние поверхности полупроводника, когда поверхностная концентрация неосновных носителей меньше, чем концентрация

носителей в квазинейтральном объеме, но больше, чем поверхностная концентрация неосновных носителей

назад

Слайд 9

Слабая инверсия
состояние поверхности полупроводника, когда поверхностная концентрация неосновных носителей больше, чем

Слабая инверсия состояние поверхности полупроводника, когда поверхностная концентрация неосновных носителей больше, чем

поверхностная концентрация основных, но меньше, чем концентрация основных носителей в квазинейтральном объеме

назад