L-образной вольтамперной характеристикой (ВАХ) и заключается в том, что при определенных значениях питающего напряжения и внешнего неэлектрического воздействия проводимость полупроводниковой структуры (в прямом направлении) и, соответственно, амплитуда протекающего через нее тока, меняются скачком со временем переходного процесса 1-5 мкс. Величина скачка проводимости составляет от единиц до 1000 раз от исходного значения. Изменение проводимости, подобно структурам с S-образной ВАХ, сопровождается возникновением шнура тока, но с иными физическими свойствами, основным из которых является постоянство плотности тока в шнуре при изменении напряжения на структуре.
Controllable conductivity jump phenomenon appears in the structures with L-form current-voltage characteristics (CVC) and presents itself the sharp changing of conductivity and corresponding current amplitude through the semiconductor structure at the certain values of power supply and external non electric influence. Transition time is 1-5µs. Amplitude jump is from units to 1000 times of beginning value. Conductivity jump similarly to structures with S-form CVC generates current filament but with another physical properties the main of which is constant current density when structure’s power supply increases.
Controllable Conductivity
Jump Phenomenon
(Z-phenomenon)