Содержание
- 2. Материалы
- 3. Электрические свойства полупроводников Si, Ge -4e А(II)В(VI) CdS, CdTe, α-ZnS А(III)В(V) GaAs, GaP, InSb, InP, AlP,
- 4. Si, Ge связь (4e)+(4e)=8 e оболочка ковалентная неполярная А(II)В(VI), IIB (Zn, Cd)+VIA (S, Se, Te) A
- 5. Собственные носители заряда а – образование носителей заряда, б – энергетическая шкала, в – перемещение носителей
- 6. Примесные носители заряда Примесь Sb (5e) Примесь In (3e) Донор е электронная проводимость n-типа (negative) Акцептор
- 7. Фотопроводимость Фоторезисторы CdS, ZnS, CdSe Фотореле, сигнализация, датчики наличия, датчики светоосвещенности
- 8. p-n (электронно-дырочный) переход Диффузия носителей заряда Возникновение слоя двойного заряда – запирающего слоя
- 9. Прямое включение p-n перехода + источника к р-области источника к n-области Движение е источника увеличивает поток
- 10. Обратное включение p-n перехода - источника к р-области + источника к n-области Поток носителей не меняется
- 11. Вольт-амперная характеристика (ВАХ) p-n перехода Транзисторы Фотодиоды Стабилизаторы напряжения Полупроводниковые лазеры Солнечные батареи Микросхемы
- 12. ВЫВОДЫ P-n переход образуется на границах p- и n- областей, созданных в кристалле полупроводника В результате
- 17. General Electric 1962 GaAs красный зеленый Синий GaN 1971 (Тпл=20000С р=40 атм) Исаму Акасаки, Хироси Амано
- 19. Принцип работы транзистора Ток не идет
- 20. Принцип работы транзистора Ток идет
- 21. Принцип работы компьютера
- 22. Гетероструктура — полупроводниковая структура с несколькими p-n гетеропереходами (ГП);. Между двумя различными материалами формируется ГП, на
- 23. Применение гетероструктурных транзисторов
- 24. Закон Мура
- 25. Схема производства ИМС
- 26. Метод направленной кристаллизации Ян Чохральский 1916
- 27. Литография – формирование отверстий в масках Фоторезист - вещество в котором под воздействием излучения протекают хим.
- 28. Фотолитография →Рентгенолитография →Электроионолитография
- 29. Легирование – локальное введение в подложку донорных или акцепторных примесей, для образования p-n переходов
- 30. Легирование – локальное введение в подложку донорных или акцепторных примесей, для образования p-n переходов
- 31. Транзисторное радио, 1953
- 32. 45-нанометровый р-канальный транзистор
- 33. Полупроводниковые (ПП) материалы
- 34. Простые ПП Si, Ge, Si-Ge (быстродействие в 2-4 раза↑), C (алмаз и графит), α-Sn (серое олово),
- 35. Элементарные ПП и ПП соединения
- 36. Полупроводниковые соединения
- 37. Полупроводниковые соединения
- 38. Соединения AIIIBV GaAs, InP, InAs, InSb, GaР (GaxAl1-xAs, GaAsxP1-x, GaxIn1-xP, GaxIn1-xAsyP1-y) A=B, Al, Ga, In; B=P,
- 40. Скачать презентацию