Содержание
- 2. Содержание Светодиоды П/п лазеры П/п лазеры на фотонных кристаллах
- 3. Светодиодом, или излучающим диодом, называют полупроводниковый прибор (p-n переход), излучающий кванты света при протекании через него
- 4. На рис. приведена зависимость запрещенной от волнового вектора для нескольких значений х, из которой следует, что
- 5. Электроны в прямом минимуме зоны проводимости и дырки в максимуме валентной зоны обладают одинаковыми квазиимпульсами; электроны
- 6. Принцип действия светодиода основан на излучательной рекомбинации инжектированных носителей в прямосмещенном p-n переходе
- 7. Конструкции светодиодов. Среди светодиодных структур основной является структура с плоской геометрией (см. рис.). Обычно прямозонные светодиоды
- 8. При использовании подложки GaAs на неё наращивается переходный слой GaAs(1-x)Px переменного состава с х, изменяющимся в
- 9. Полная эффективность преобразования электрического сигнала в оптический даётся следующим выражением:
- 10. На рис. показаны поперечные разрезы других светодиодов, которые имеют параболическую, полусферическую и усечённо сферическую геометрию. Основное
- 11. Инфракрасные светодиоды Областями применения диодов ИК-излучения являются оптронные устройства коммутации, оптические линии связи, системы дистанционного управления.
- 12. Различают два основных типа светодиодов, обеспечивающих ввод излучения в оптические волокна малого диаметра: светодиоды с излучающей
- 13. Важным параметром, который должен учитываться при конструировании светодиодов для оптических систем связи, является диапазон рабочих частот.
- 14. Полупроводниковые лазеры Полупроводниковые лазеры, подобно другим лазерам (таким, как рубиновый лазер или же лазер на смеси
- 15. 1. В обычных лазерах квантовые переходы происходят между дискретными энергетическими уровнями, тогда как в полупроводниковых лазерах
- 16. Диапазон длин волн лазерного излучения охватывает область спектра от ультрафиолетовой до инфракрасной. В интервале длин волн
- 17. Стимулированное излучение. Работа лазера связана с тремя основными процессами, обусловленными переходом носителей: поглощения, спонтанной эмиссии и
- 18. На рис. показана базовая структура лазера с p-n переходом. Две боковые грани структуры скалываются или полируются
- 19. Для изготовления лазеров используют полупроводники с прямыми зонами, например GaAs или GaAlAs, в которых возможны переходы
- 20. На рис. приведена энергетическая зонная диаграмма лазера в присутствии внешнего напряжения U
- 21. Через p - n - переход инжектируются электроны из n - области I в активную область
- 22. В качестве материала, инжектирующего электроны (вместо n - GaAs) может быть использован более широкозонный (рис.). В
- 23. Наиболее легко и эффективно инверсия населенности достигается в p-n-переходах за счет инжекции электронов. Известно, что в
- 24. В области p-n-перехода образуется потенциальный барьер, не позволяющий переходить основным носителям из зоны в зону. Если
- 25. Инжектированные электроны после диффундирования на небольшое расстояние, определяемое диффузионной длинной, рекомбинируют с дырками; в результате возникает
- 26. Деградация инжекционных лазеров обусловлена целым рядом механизмов. Выделяют три основных типа деградации: 1) катастрофическое разрушение; 2)
- 27. Полупроводниковые лазеры на фотонных кристаллах
- 28. Ученым из компании Bell Labs удалось разработать лазер нового поколения, используя в качестве полупроводника для изготовления
- 30. Фотонный кристалл, являющийся неотъемлемой частью нового лазера, представляет собой полупрозрачный диэлектрик с определенной периодической структурой и
- 31. Многокаскадный полупроводниковый лазер представляет собой этакий "сэндвич", состоящий из нескольких (более двух) тончайших, в несколько нанометров
- 33. Скачать презентацию