Зонная структура примесных полупроводников. Примесная проводимость. Типы примесных состояний

Содержание

Слайд 2

ЗОННАЯ СТРУКТУРА ПРИМЕСНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ.

Разрешенные зоны:
Валентная зона - заполнена валентными электронами.
Зона проводимости -

ЗОННАЯ СТРУКТУРА ПРИМЕСНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. Разрешенные зоны: Валентная зона - заполнена валентными электронами.
не имеет свободных электронов при абсолютном нуле.
Запрещенная зона — это зона, в которой отсутствуют энергетические уровни. 

Слайд 4

ПРИМЕСНАЯ ПРОВОДИМОСТЬ.
Уровень Ферми E в полупроводниках n-типа при T=0К расположен посередине между дном

ПРИМЕСНАЯ ПРОВОДИМОСТЬ. Уровень Ферми E в полупроводниках n-типа при T=0К расположен посередине
зоны проводимости и донорным уровнем
Уровень Ферми E в полупроводниках p-типа при T=0К располагается посередине между потолком валентной зоны и акцепторным уровнем.

полупроводник р-типа

полупроводник n-типа

Слайд 5

ТИПЫ ПРИМЕСНЫХ  СОСТОЯНИЙ.

1. Донорная примесь.

ТИПЫ ПРИМЕСНЫХ СОСТОЯНИЙ. 1. Донорная примесь.

Слайд 6

2. Акцепторная примесь.

2. Акцепторная примесь.

Слайд 7

ХИМПОТЕНЦИАЛ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ

зависимость от температуры  
уровня химического потенциала в полупроводнике n-типа

ХИМПОТЕНЦИАЛ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ зависимость от температуры уровня химического потенциала в полупроводнике n-типа

Слайд 8

ПОДВИЖНОСТЬ И ПРОВОДИМОСТЬ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ.

С увеличением температуры подвижность носителей заряда сначала увеличивается,

ПОДВИЖНОСТЬ И ПРОВОДИМОСТЬ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ. С увеличением температуры подвижность носителей заряда сначала
а затем, достигнув определённого максимума, уменьшается. 
Зависимость подвижности зарядов от температуры определяется выражением:

Слайд 9

Проводимость примесного полупроводника определяется концентрацией носителей и их подвижностью

АВ - примесная проводимость полупроводника. 

Проводимость примесного полупроводника определяется концентрацией носителей и их подвижностью АВ - примесная
ВС - область истощения примесей.
CD - собственная проводимость полупроводника

Слайд 10

ФОТОЭДС, P-N ПЕРЕХОД.

Условия:
1. Освещение должно быть неоднородным.
2. Освещаемый полупроводник должен быть неоднородным.

Под воздействием внутреннего

ФОТОЭДС, P-N ПЕРЕХОД. Условия: 1. Освещение должно быть неоднородным. 2. Освещаемый полупроводник
электрического поля Е в p+-n переходе электроны будут перемещаться в n-область, а дырки – в p+- область, где происходит их накопление.
Имя файла: Зонная-структура-примесных-полупроводников.-Примесная-проводимость.-Типы-примесных-состояний.pptx
Количество просмотров: 37
Количество скачиваний: 0