Содержание
- 2. ЗОННАЯ СТРУКТУРА ПРИМЕСНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. Разрешенные зоны: Валентная зона - заполнена валентными электронами. Зона проводимости - не
- 4. ПРИМЕСНАЯ ПРОВОДИМОСТЬ. Уровень Ферми E в полупроводниках n-типа при T=0К расположен посередине между дном зоны проводимости
- 5. ТИПЫ ПРИМЕСНЫХ СОСТОЯНИЙ. 1. Донорная примесь.
- 6. 2. Акцепторная примесь.
- 7. ХИМПОТЕНЦИАЛ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ зависимость от температуры уровня химического потенциала в полупроводнике n-типа
- 8. ПОДВИЖНОСТЬ И ПРОВОДИМОСТЬ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ. С увеличением температуры подвижность носителей заряда сначала увеличивается, а затем, достигнув
- 9. Проводимость примесного полупроводника определяется концентрацией носителей и их подвижностью АВ - примесная проводимость полупроводника. ВС -
- 10. ФОТОЭДС, P-N ПЕРЕХОД. Условия: 1. Освещение должно быть неоднородным. 2. Освещаемый полупроводник должен быть неоднородным. Под
- 12. Скачать презентацию